SiC进入关键增长期，大尺寸落地进程提速
回顾2025年，碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果，同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既迎来技术突破与场景扩容的新机遇，也面临产业优化与市场竞争的新挑战。
为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2026》专题报道。本期嘉宾为中恒微新能源事业部总监孔令超、飞仕得科技设备事业部销售总监骆皓荣。后续，我们将持续邀约更多行业领军企业与权威人士参与《行家瞭望2026》专题，带来深度洞见与前沿观点，敬请持续关注。
拐点与分化格局显现
SiC产业规模渗透加速
行家说三代半：如果用一个关键词总结回顾2025年的第三代半导体（SiC和GaN）产业发展，您会用哪个词？为什么？
中恒微-孔令超：我会用“拐点”这个词。2025 年，是 SiC 真正从技术走向市场、从试点走向规模、从海外主导走向国产崛起的关键一年。
最明显的是成本拐点，随着国产衬底、外延产能大规模释放，SiC不再是高成本的 “奢侈品”，在电动汽车、光储充、AIDC等场景里，已经具备真实的系统性价比，这是SiC走向普及的核心前提。
其次是市场拐点，SiC功率模块不再局限于少数电动车高端车型，而是在主驱、PCS、SST等全面开花，需求从点状爆发变成规模化落地。最直观的感受就是SiC功率模块订单快速增长，车规级、工业级需求同步起量。
更重要的是国产替代拐点。2025年国内产业链从衬底、器件到模块封装基本打通，本土供应链越来越稳。我们凭借响应快、定制化强、成本更优的优势，和国际品牌的差距持续缩小。对中恒微来说，这都是一个质变节点。
飞仕得-骆皓荣：我认为这个关键词是“分化”。
2025年的第三代半导体产业呈现出了全方位的“分化”格局：
一是应用市场的分化： 以碳化硅为例，电动汽车领域一骑绝尘，占据了全球市场74.4% 的份额，成为绝对的增长引擎。而光伏、储能等领域虽然增长强劲（年复合增长率预计分别达28.7%和44.1%），但起量速度和应用规模仍无法与车规市场抗衡。
二是企业业绩的分化： 上市公司层面，头部企业凭借规模效应保持着营收和利润的优势；而许多中小厂商或在细分赛道挣扎，或陷入“增收不增利”的困境，资本市场也呈现了分化。
三是材料角色的分化： 氮化镓（GaN）不再仅仅是SiC的补充。2025年，GaN功率元件市场规模年增率高达62.7% ，凭借其高频特性，在消费电子快充、数据中心乃至汽车领域开始“独当一面”，逐步取代SiC在中压、高频领域的角色。
四是价格与成本的分化： 一方面，12英寸SiC衬底等技术突破为长期降本打开了空间；另一方面，短期内市场为了争夺份额（尤其是车企的订单）陷入“内卷”，导致产品价格承压，毛利空间被压缩。
行家说三代半：您认为，从整个第三代半导体产业角度，2025年有哪些可圈可点的进步或者成绩？
中恒微-孔令超：第一，上游材料端的大尺寸突破，让我们看到了成本下降的明确路径。2025年底，全球首款12英寸SiC外延晶片在国内实现首发。对于我们来说，这意味着未来单片衬底可产出的芯片数量是6英寸的约4倍多。虽然大规模应用还需时间，但这从根本上解决了SiC“贵”的痛点，为我们未来在中低端市场“上量”打开了空间。当然，目前市场最追捧的还是8英寸的逐家量产。
第二，电动车市场对SiC的渗透不再是讲故事，而是实打实的“上车”数据。 2025年1-8月，国内新能源乘用车主驱模块中SiC MOSFET占比已达18%，特别是在800V高压架构车型中，碳化硅渗透率高达76%。这说明高压快充已成为中高端车型标配。
第三，AI算力爆发带来的能源消耗问题，成为功率半导体的新增长极。 随着数据中心用电量指数级增加，对供电架构提出了更高要求。2025年我们看到在AIDC领域正在积极采用SiC功率器件，提高开关频率的同时，效率也得到了明显提升。对于我们来说，这意味着除了车，储能和AIDC将成为我们的新增长引擎。
飞仕得-骆皓荣：2025年的进步主要体现在从“能用”向“好用”和“低成本”的跨越，技术底座的夯实为未来的放量奠定了基础，主要体现在以下几大方面：
尺寸跃迁：12英寸时代的开启。2025年，中国企业在衬底环节取得了历史性突破。国内企业发布了全球首款12英寸碳化硅衬底，以及成功开发了12英寸碳化硅外延晶片。这意味着单片晶圆可承载的芯片数量是6英寸的4.4倍，将极大降低下游器件的制造成本。
性能登顶：超高压器件的成熟，实现了10千伏乃至12千伏额定电压的SiC MOSFET器件研制，并完成可靠性测试。这标志着中国在用于柔性直流互联、兆瓦级新能源装备的超高压器件领域不再受制于人。
工艺精进：8英寸产线工艺的跑通。 国内已实现8英寸SiC MOSFET（沟槽栅） 流片成功，晶圆良率高达90%以上，并通过了1000小时可靠性考核。这意味着国产SiC器件开始从平面栅向性能更优、成本更低的沟槽栅结构迈进，具备了与国际大厂同台竞技的工艺基础。
生态补齐：产业链“隐形短板”受到关注。 随着系统电压向千伏级迈进，隔离技术成为新的竞争焦点。2025年，以国产毫米波无线隔离芯片为代表的技术突破，解决了传统光耦在耐压、延时和抗干扰能力上的瓶颈，补齐了高压高频系统安全与效率的关键拼图。
降本增效成为行业焦点
材料/器件/封装需三维合力
行家说三代半：当前第三代半导体行业面临的主要问题是什么？未来有哪些技术路径可能突破这些限制？
中恒微-孔令超：我认为核心问题主要集中在这几点：一是SiC衬底成本偏高，8 英寸衬底良率偏低，上游产能集中、供应链对外依赖度较高，制约规模化降本；二是器件与封装适配难度大，SiC材料特性带来工艺挑战，材料分层、模块的热阻、寄生参数、长期可靠性仍是痛点；三是，应用端数据的完善，车规级验证周期长、上路数据积累不足，AIDC应用处于前期，样机及运维的长期可靠性数据不足，因此需要国内产业链上下游保持协同。
未来的突破路径，首先是大尺寸SiC衬底量产与缺陷控制，通过 6—8 英寸衬底良率提升、本土供应链配套，从源头降低成本；其次是封装技术革新，推进低温银烧结、低电感封装、热管理、高效散热等方案，解决SiC模块可靠性与功率密度瓶颈；再者是模块结构优化与车规标准体系完善，补齐可靠性验证短板；最后通过产业链协同、自主专利布局，实现材料到模块的全链路应用适配。
飞仕得-骆皓荣：当前行业面临的主要问题是：
成本与性价比的残酷考验： 尽管SiC材料成本在下降，但其整体系统成本依然是硅基IGBT的数倍。在车企极致降本的背景下（如价格战向20万元以下车型渗透），SiC必须证明其带来的续航和性能提升足以覆盖高昂的成本差价。
可靠性验证的长期性： 尤其是在车规和电网领域，对器件长期可靠性的要求极为苛刻。虽然实验室数据亮眼，但批量装车后的长期失效数据（如栅氧可靠性、体二极管退化等）仍需时间积累。这也正是你们动态老化测试设备（DHTRB/DHTGB） 市场需求存在的根本原因——厂商必须在出厂前筛选出潜在的失效风险。
产业链协同不足： 随着系统向高压、高频演进，单纯的器件性能提升已遇到瓶颈。例如，传统隔离技术已经成为SiC/GaN释放潜能的“掣肘”，光耦、磁耦在耐压、速度上跟不上宽禁带器件的开关速度。
未来的突破路径主要有以下几点：
材料端：氧化镓等超宽禁带材料的产业化。2025年，中国已实现8英寸氧化镓单晶的重大突破，其生产效率提升300%以上，成本降低60%。未来氧化镓有望在超高压场景成为SiC的有力补充或替代。
制造端：从6英寸向8英寸乃至12英寸的全面迁移。 更大尺寸的衬底是降本的捷径，通过技术迭代，进一步降低衬底损耗，提升材料利用率。
封装与系统端：采用先进封装与高压隔离技术。一方面采用封装创新，如PCB嵌埋封装、铜夹互联等无键合线技术，将降低寄生参数，提升功率循环能力。另一方面采用毫米波无线隔离技术，通过超过1000μm的绝缘层实现万伏级耐压，同时将通信延迟降低至皮秒级，让SiC/GaN器件真正逼近理论开关极限。
产业进入规模化关键期
SiC将迈向多场景应用
行家说三代半：如果用1个关键词展望未来5年的第三代半导体行业的发展，您会用哪个词？请展开谈谈您的看法。
中恒微-孔令超：我认为是“规模化”。这不是单纯的产能扩张，而是技术、市场、生态的全方位质变，会彻底重塑行业竞争格局，让SiC从 “高端选配” 真正变成 “产业标配”。
从技术端看，未来5年是SiC规模化量产的关键突破期。8 英寸晶圆乃至12英寸晶圆会从试产全面走向规模化生产，良率能稳定到85%以上，单位成本直接下降40%-50%，这是行业普及的核心前提。同时模块工艺会持续成熟，导通电阻大幅降低，模块集成度显著提升，搭配双面冷却先进封装技术及先进散热材料的应用，能完美适配更高功率的场景需求，让 SiC 的效率优势彻底释放。
从应用端看，规模化会带来全场景的渗透爆发。电动汽车是第一增长极，“800V + ”平台会成为主流，SiC 模块会从高端车型快速下沉到中低端车型，预计2028年就能实现和硅基IGBT的性价比平价。同时新能源光储充会接棒成为第二增长极，新能源市场的SiC需求会翻倍增长；AIDC市场的爆发，也会借着SiC的耐高温、低损耗，高开关频率等特性，实现30%以上的节能，契合“双碳”大趋势。
从产业生态看，规模化会推动国产替代的全面落地。国内产业链会完成从衬底、外延到模块封装的本土化闭环，国产化率能达到70%以上。同时车企严苛的车规认证会被国产企业突破，行业测试、可靠性标准也会逐步完善，打破国际巨头的垄断，让中国在全球三代半导体格局中占据主动。
说到底，规模化的核心是让SiC从 “技术高地” 走向 “普惠应用”，既会助力能源转型实现万亿级节能，也会让中国企业在半导体产业实现“换道超车”。未来 5 年，规模化会定义三代半导体的黄金发展周期，成为支撑新能源电力电子产业的核心骨架。
飞仕得-骆皓荣：我选择的关键词是“系统级”。
未来5年，第三代半导体行业的竞争将不再是单一芯片的性能竞赛，而是上升为“系统级”的综合能力比拼。
1.从“器件定义”到“系统定义”：
随着AI算力中心从415V向800V直流供电架构演进，以及新能源汽车向1200V甚至1900V高压平台发展，应用端的需求正在反向定义器件。单纯的导通电阻或耐压值不再是唯一指标，如何通过新拓扑结构（如多电平结构）配合器件特性，实现系统整体效率最高、体积最小、成本最优，才是胜负手。
2.“集成化”成核心抓手：
未来的功率单元将走向高度集成。不仅仅是芯片本身的集成（如将驱动与开关管集成的GaN IC），更是功能的融合。例如，将功率器件与保护、隔离、传感功能集成在一个模块内，形成“功率集成电路”。这也催生对新的测试需求，未来可能需要向模块级系统测试延伸。
3.“性价比”等于“系统成本”：
2026年被称为车规功率半导体的“赛点” 。未来5年，SiC要大规模替代IGBT，必须证明其在全生命周期系统成本上的优势。这需要产业链的极致协同：衬底厂通过大尺寸降本、制造厂通过高良率（如90%的沟槽栅良率）提质、设备厂通过高可靠性测试方案保障其寿命。
行家说三代半：贵公司2026年将重点发力哪些市场或者哪些发展目标？
中恒微-孔令超：2026 年我们将坚守工业控制这一核心基本盘，保障业务稳健增长；同时以电动汽车、新能源两大领域为核心增长引擎，全面落地“深耕存量、卡位增量” 的差异化发展战略。
面向电动汽车与新能源等主流增量市场，以解决客户实际痛点为导向，持续提供高性价比的配套解决方案，不断夯实市场竞争力；此外，在AIDC应用领域，我们推出2000V-SiC功率模块，明显减少级联数量和系统杂散电感，更优适配SST新方案。我们还将以前瞻性应用场景为抓手，以优质产品解决方案换取市场先发优势，推动公司在功率模块领域持续高质量发展。
飞仕得-骆皓荣：结合2025年的行业特征（分化、降本、高压化）和2026年的“赛点”判断，简单而言，2026年我们将聚焦于：“做差异、抓高端、拓增量”。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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