安徽新增8吋GaN产线，曾联手小米实现技术突破
12月27日，安徽池州经开区2026年第一季度重点项目集中签约活动举行，11个重点项目进行了现场签约，涵盖半导体、新材料等多个领域，总投资达66.85亿元。苏州能讯的8英寸氮化镓晶圆制造项目就位列其中。
官微显示，苏州能讯成立于2011年，是国内领先的射频氮化镓制造服务商，自主研发并构筑了完整的氮化镓功率芯片技术体系，包括：外延生长、工艺开发、晶圆制造、封装测试及可靠性等方面，具有0.45μm、0.25μm、 0.15μm、0.1μm工艺制程能力，丰富的射频产品线覆盖了电信基础设施、射频能源、消费电子及各类通用市场的应用。
产能建设方面，除新签约的8英寸氮化镓晶圆制造项目外，苏州能讯的5G基站氮化镓射频多芯片模组生产线技术改造项目也于2024年获环评批复，总投资2.5亿元，建设地点在昆山市高新区晨丰路18号10号房，预计建成后年生产氮化镓射频多芯片模组500万只。
作为先进射频氮化镓制造中心，能讯半导体在低压射频GaN工艺领域持续深耕，目前已与全球头部移动智能终端厂商的射频团队达成合作，合力推动低压射频氮化镓工艺平台的规模化量产。而在消费电子终端应用层面，能讯半导体近期更与小米集团、香港科技大学联手，斩获了一项具有里程碑意义的技术突破。
12月14日，小米创办人，董事长兼CEO雷军在微博平台上宣布，小米手机射频团队论文已成功入选全球半导体与电子器件领域顶会 IEDM 2025。该论文正是小米集团手机部与苏州能讯高能半导体有限公司、香港科技大学联合攻关的成果，标志着三方在氮化镓高电子迁移率晶体管技术领域实现的历史性突破：
GaN晶体管能够在10V工作电压下，实现了功率附加效率突破80%，在手机平台上完成了系统级性能验证。
实现了GaN HEMT工艺的功放芯片与Si CMOS工艺的电源管理芯片在模组内进行高密度封装集成。
采用D-Mode GaN HEMT，有效规避误开启与击穿风险。
业内分析认为，小米与能讯的技术合作有助于打破氮化镓在移动终端应用的技术壁垒，而此次能讯新项目的签约或有望加速双方合作技术的产业化进程。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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