英诺赛科荣获多项行业荣誉！
2025收官临近，英诺赛科凭借先进的8英寸硅基氮化镓研发与制造能力，卓越的市场开拓能力，以及在环境、社会与治理领域的标杆性落地实践，荣获多项荣誉，成为氮化镓功率半导体领域的领航者！
TrendForce TechFuture Awards 2025中国功率半导体先锋奖
AspenCore 2025全球电子成就奖-年度功率半导体
2025 年度上市公司最佳 ESG 实践奖
行家极光奖 第三代半导体市场开拓领航奖
行家极光奖 中国GaN器件十强企业
行家极光奖2025年度优秀产品奖
21dianyuan 功率器件-GaN行业-卓越奖
TrendForce TechFuture Awards
2025中国功率半导体先锋奖
TrendForce TechFuture Awards 2025中国功率半导体先锋奖
TechFuture，寓意“科技x未来”的交汇，随着科技浪潮的变革，AI、大数据分析、以及边缘计算等核心技术，正以前所未见的规模和效率，驱动着全球科技产业实现深刻的转型与飞跃。英诺赛科凭借其高性能氮化镓技术，帮助消费电子、家电、AI数据中心、新能源汽车及工业等领域实现了高效运作，不断推动着功率半导体向更节能、更智能的方向发展。在TechFuture Awards 2025 颁奖典礼上，英诺赛科与三星、台积电、长江存储等龙头企业共同入围，是唯一一家获评 TechFuture Awards 2025中国功率半导体先锋奖的氮化镓企业。
AspenCore World Electronics Achievement
2025全球电子成就奖
全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards）由AspenCore创办，以其严格的评选标准和权威性享誉业界，旨在表彰在全球电子产业创新中做出杰出贡献的企业与产品。英诺赛科100V氮化镓芯片（INN100EA035A）凭借在AI数据中心、机器人等前沿领域的技术创新与市场表现，被评选为年度功率半导体产品。截止今年，英诺赛科已连续四年获评，是集成电路行业对英诺赛科技术创新实力与产品卓越性能的再次肯定。
ESG 2025
上市公司最佳 ESG 实践奖
除了领先的氮化镓技术实力，2025年英诺赛科也凭借在环境、社会与治理领域的标杆性落地实践，成功斩获 “上市公司最佳 ESG 实践奖”。该奖项聚焦 ESG 管理建设与可量化价值创造，英诺赛科以持续技术创新引领，充分发挥从上至下的三级架构，有效落实ESG策略，成为可持续发展的行业代表。
与此同时，英诺赛科也在行家说三代半年会和21Dianyuan 的电源技术发展论坛上被授予第三代半导体市场开拓领航奖、中国GaN十强、年度优秀产品奖及功率器件-GaN行业-卓越奖，成为第三代半导体行业的标杆。
作为氮化镓技术的领航者，英诺赛科将持续深耕功率半导体领域，通过技术创新、引导产业协同合作，推动氮化镓向多领域渗透，为全球电子产业的节能高效、绿色发展注入新活力！
END
英诺赛科 (02577.HK) 是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。公司拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，产品设计及性能处于国际先进水平。公司氮化镓产品用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今，英诺赛科拥有1100项专利及专利申请，产品可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。
英诺赛科，引领氮化镓革命，赋能未来！
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