美国东部时间2025年12月2号，针对英飞凌向英诺赛科发起的337调查案件，美国国际贸易委员会（ITC）发布裁判结果：在涉案的两项专利中，ITC裁定英诺赛科当前产品设计均完全不侵权。本次裁决是英诺赛科对抗英飞凌系列专利案的又一场重大胜利。

2024年7月，英飞凌通过4项专利向美国ITC提出英诺赛科专利侵权指控，但在随后在案件审理过程中，英飞凌主动撤回了其中两项涉案专利的全部指控。此次ITC对剩余两项涉案专利亦不侵权的判决结果是英诺赛科在专利大战中取得的又一次关键性胜利，将为氮化镓产业的全球化发展扫清障碍。

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英诺赛科 (02577.HK) 是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。公司拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，产品设计及性能处于国际先进水平。公司氮化镓产品用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今，英诺赛科拥有1100项专利及专利申请，产品可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。

英诺赛科，引领氮化镓革命，赋能未来！

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