总投资超33亿！2个SiC项目封顶/奠基

近期，“行家说三代半”发现业内传来SiC项目的多则动态，涉及武汉化合物半导体孵化加速及制造基地项目、印度首个碳化硅半导体工厂，总投资金额达33.4亿元，SiC晶圆/芯片年产能共计20.4万片。详情如下：

武汉化合物半导体项目：

投资17亿，SiC芯片年产能14.4万片

近日，“津村环境”宣布中标武汉化合物半导体孵化加速及制造基地项目。该基地作为华中地区第三代半导体产业发展的核心载体，聚焦氮化镓、碳化硅等关键材料的研发与芯片制造，致力于构建从材料生长、器件设计到封装测试的全链条服务能力。

据介绍，该基地总投资17亿元，主体结构已于日前封顶，预计2026年9月30日前全面建成并投入使用，并规划建设8英寸化合物半导体专用产线，全面覆盖从材料研发到车规级芯片认证的全流程环节。

其中，一期工程已实现月产3000片6英寸GaN功率器件，良品率稳定在92%以上，产品主要面向新能源汽车领域；二期项目预计于2025年投产，重点攻关1200V SiC MOSFET芯片制造，设计月产能为1.2万片。

作为湖北省及武汉新城的重点科技项目，基地建成后将成为光谷千亿级化合物半导体产业创新街区的核心引擎。该创新街区总面积约14平方公里，整体规划构建“一核三区”发展格局——以九峰山实验室为“科技创新核”，联动布局产业发展融合区、产业发展赋能区和尖端人才聚集区，共同推动区域产业链与创新链深度融合。

印度首个碳化硅半导体工厂：投资16.04亿，SiC晶圆年产能6万片

11月1日，据外媒消息，印度半导体厂商SiCSem在布巴内斯瓦尔举行碳化硅半导体生产设施的奠基仪式，标志着该国首个碳化硅半导体工厂正式启动建设。

该工厂总投资约200亿卢比（折合人民币约16.04亿元），预计在2027至2028年间投入运营，规划年产6万片SiC晶圆，封装能力约9.6亿片。该项目还获得了印度政府大力支持，被视为印度电子产业近年来持续高速扩张的重要组成部分，有望进一步强化该国在第三代半导体领域的本土布局。

据“行家说三代半”此前报道，今年2月，SiCSem已与印度理工学院布巴内斯瓦尔分校合作共建碳化硅研究与创新中心（SiCRIC），重点攻关6英寸和8英寸碳化硅晶锭及衬底的大批量生产工艺。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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