斯达：SiC已批量上车，GaN即将装车应用
8月28日，斯达半导体披露了2025 年半年度报告。其中透露，2025 年上半年，公司实现营业收入约19.36亿元，较 2024 年同期上升26.25%，实现归属于上市公司股东的净利润约2.75亿元，较去年同期上升 0.26%。
聚焦到碳化硅业务领域，斯达半导体重点公布了其市场业务、产能布局等多方面的进展。另一方面，他们在GaN业务也取得了突破性进展，其GaN模块已经取得平台定点，预计明年实现装车应用。
发力汽车、光储等领域
SiC产品实现批量出货
据报告透露，2025 年上半年，斯达半导体的新能源行业营业收入约为12.13亿元，较去年同期上升 52.82%，主要得益于IGBT/SiC业务在新能源汽车、发电等领域的快速发展。
新能源汽车
2025 年上半年，斯达半导体车规级SiC MOSFET模块新增多个量产车型，在国内外多个品牌大批量配套上车。此外，商用车业务进展顺利，车规级IGBT和SiC MOSFET模块新增多个量产车型，同时新增多个国内外 Tier1方案项目定点。
与此同时，斯达半导体自主研发的车规级第二代SiC MOSFET芯片开始批量出货，平台电压覆盖750V、1200V、1400V、1500V等多个电压等级，将对应配套400V、800V、1000V等电压平台主电驱项目。
斯达半导体还持续开展和欧洲一线品牌Tier1下一代平台的项目合作，持续新增多个IGBT和SiCMOSFET主电机控制器项目平台定点，预计将对公司新能源汽车行业2026-2030年销售增长提供持续推动力。
新能源发电及储能行业
2025 年上半年，斯达半导体应用于光伏逆变器、储能等下游行业的多个封装系列的新一代750V、1200V SiC MOSFET分立器件（单管）产品开始批量交付，应用于组串式储能系统的三电平混合SiC模块方案也开始在行业头部客户大批量交付。
针对光储行业，斯达半导体还推出第八代微沟槽IGBT芯片平台和1400V第二代SiC MOSFET芯片平台，大幅提高芯片出流能力，基于该技术，他们发布了光伏地面电站组串式2000V系统500KW逆变器功率模块解决方案。
数据中心等新兴行业
2025 年上半年，斯达半导体车规级IGBT和SiC MOSFET模块获得多个低空飞行器项目定点，并且多个项目开始批量装机。其中，车规级SiC MOSFET模块获得载人电动商用飞行器定点，公司产品首次进入商业航空领域，预计2026开始批量销售。
此外，斯达半导体产品已通过电源客户大批量应用于服务器电源及数据中心设备，同时开展对下一代 AI 服务器电源、数据中心所需IGBT、SiC MOSFET、GaN等产品系列的开发，预计2026年开始推向市场。
产能建设方面，斯达半导体的募投项目——SiC芯片研发及产业化项目以及高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目，已经完成项目建设。
该项目形成了年产6万片6英寸车规级SiC MOSFET芯片以及30万片6 英寸3300V以上高压特色功率芯片的生产能力。其中，自建6英寸SiC芯片产线随着量产车型迅速爬坡，芯片和模块良率均达到国际领先水平。
GaN模块预计明年装车
拟投资3亿扩大产能
值得注意的是，2025年上半年，斯达半导体车规级GaN驱动模块获得了主电机控制器平台定点，预计2026年进入装车应用阶段。
据“行家说三代半”此前报道，2024年斯达半导体已经开发出车规级GaN驱动模块，主要针对30kW-150kW车用驱动应用。
而在2025年6月，斯达半导体披露“向不特定对象发行可转换公司债券预案”的公告。根据公告，斯达半导体计划发行总额不超过15亿元的可转换公司债券，将募资资金用于建设车规级GaN模块产业化项目、车规级SiC MOSFET模块制造项目等。
其中，车规级GaN模块产业化项目投资总额约3亿元，拟投入募集资金2亿元。斯达半导体表示，这次发行募集的资金均用于现有主营业务，他们将扩大客户数量，提高在已进入细分领域的市场份额和市场地位，保证现有成熟业务的持续稳定增长。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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