天科合达：8英寸SiC衬底和外延技术进展

5月15日，“行家说三代半”将在上海召开“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”，天科合达已正式确认出席本次大会。

届时，天科合达CTO刘春俊将带来《8英寸SiC衬底和外延技术进展》的主题报告，分享天科合达在碳化硅材料领域的产业化突破与技术前瞻。

该报告将聚焦于天科合达8英寸导电型SiC衬底的产业化进展以及8英寸导电型外延技术中的关键工艺突破：

● 8英寸技术规模化落地：天科合达2024年实现8英寸导电型衬底及外延小规模量产，衬底厚度优化至350μm，为高压器件降本提供核心支撑；同步启动12英寸导电型衬底研发，引领大尺寸晶圆技术迭代。

● 缺陷控制全球领先：通过自主生长装备与工艺创新，攻克多型体缺陷、位错集群等行业难题，8英寸导电型外延以领先的参数指标保障车规级器件可靠性。

天科合达以“技术迭代+量产经验”双轮驱动，持续推动碳化硅材料在新能源汽车、工业电源等领域的应用拓展。欲深入了解天科合达如何通过技术创新降低成本，提高衬底可用厚度及单晶产量，欢迎参与“行家说三代半上海大会”。

本次大会将聚焦碳化硅（SiC）技术产业化进程中的核心挑战与创新突破，设置“数字能源SiC技术应用研讨会”与“电动交通SiC技术应用研讨会”两大会议主题，并开设碳化硅与数字能源解决方案专题展区。

除天科合达外，会议还邀请了三菱电机、意法半导体、Wolfspeed、三安半导体、元山电子、大族半导体、香港大学、长飞先进、宏微科技、利普思、昕感科技、国扬电子、国基南方、芯长征、合盛新材料、瀚天天成、芯研科、国瓷功能材料、季华恒一等行业领军企业&机构参与，将共论产业发展，再谱产业新章。

大会现已开放报名渠道，因会议名额有限，先到先得，欢迎各位行家扫码报名参会，期待与你在上海相会！

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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