总投资超50亿！天岳先进等3个SiC项目下线、试产

插播：英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技、鸿成半导体、中科无线半导体等已确认参编《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。

近期，天岳先进、中国台湾格棋化合物半导体及昆明国兴半导体三家企业的碳化硅项目接连取得新进展，产能扩张与技术突破同步加速，详情请看：

天岳先进：

碳化硅单晶项目新进展

4月28日，据“济南槐荫政府”披露消息，2025年一季度，济南市槐荫区以“开年即决战、起步即冲刺”的姿态，开启项目建设热潮。

其中，天岳先进位于济南先进材料智造港的“年产500吨碳化硅单晶基地”扩产能项目迎来了新进展——该项目可一次性解决5000台生长炉的扩产能需求，计划2025年5月进行生产设备安装调试、6月实现首批生产设备投产试运营。

3月28日，天岳先进正式公布2024 年年度财务报告，报告中还披露了上海生产基地的项目进展及产能情况——2024 年上半年已经达到年产 30 万片碳化硅衬底的量产能力，实现该目标原计划是到 2026 年。此外，第二阶段产能提升规划也已启动，总体产能规划约60万片/年。

营收方面，2024 年度天岳先进实现营业收入17.68亿元，较2023年增长41.37%；其中，碳化硅半导体材料实现收入 14.74 亿元，较上年同期增加35.72%。

值得一提的是，天岳先进已确认参编《2025 碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》，其他参编单位还包括同光股份、恒普技术、京航特碳、合盛新材料、三安半导体、中电化合物、东尼电子等，目前，《白皮书》已经进入调研阶段，参编咨询可扫描下方二维码。

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台湾格棋：

8吋碳化硅项目加速推进

4月26日，据台媒消息，中国台湾SiC厂商格棋化合物半导体日前获得了第二十三届「金峰奖—大型企业组」十大杰出奖项，并透露了旗下SiC项目建设进展：

目前，格棋正积极部署8英寸SiC晶圆产能，预计至2025年底，8吋SiC长晶炉将扩增至百台规模，并将正式进军日本、欧洲与北美等国际市场，进一步强化全球战略布局。

据其官网资料显示，格棋成立于2022年，公司长期关注第三代化合物半导体的市场需求和工艺技术开发，公司团队成员在该领域拥有超过10年的经验。

2024年10月，格棋举行了其位于桃园中坜区新工厂的落成典礼，该厂总投资金额达6亿新台币（约1.33亿人民币），规划6吋碳化硅衬底月产能5000片，预计2024年第四季达到满产。

昆明国兴半导体：

建设6/8吋SiC外延片

据昆明日报3月24日消息，近期，昆明国兴半导体项目实现碳化硅研发样品下线，并有望成为国内半导体材料产能前三的产业化基地。

据了解，国兴半导体项目作为滇中新区引进的首个超大型半导体材料项目，正加速布局碳化硅材料领域。该项目总投资50亿元，规划建设6英寸和8英寸单晶抛光片及外延片生产基地。

报道称，该厂区建成后将拥有生产宽禁带半导体材料6英寸和8英寸单晶抛光片和外延片的机台及检测设备上千台套，预计2025年5月19日建成投产，7月15日完成研发中心的建设和改造。届时，将实现年产SiC单晶抛光片和外延片300万片，年销售收入达到35亿元人民币，净利润5亿元人民币。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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