落户、投产！安徽、湖北等新增3大IGBT项目
前段时间，上海、浙江、湖北等地5个IGBT/SiC项目曝新进展（.回顾点这里.）；近日，安徽、湖北以及山东也传来IGBT项目新动态,详情请往下看。
英弗耐思：车规IGBT项目落户武汉
3月26日，据“武汉经开区”消息，由武汉经开产投集团以投带引，英弗耐思电子科技有限公司成功落户武汉经开区。至此，武汉经开区迎来又一车规级芯片企业落户。
企查查显示，英弗耐思目前已发生工商变更，注册地从江苏镇江迁移到武汉经开区，注册资本从“71.3343万元人民币”增加到至“72.1634万元人民币”。
英弗耐思创始人、董事长李威博士透露道，武汉经开区是湖北省汽车产业主阵地、“武襄十随”国家级汽车产业集群的核心承载区，布局在武汉经开区的车规级芯片研发及应用产业化基地，主要用于芯片研发设计，以及新能源汽车电源模块、大功率充电模块产品研发与制造等。
英弗耐思从2012年研发IGBT功率器件驱动芯片和相关模拟电源集成电路芯片，成功研发了多种电源管理芯片和智能功率模组IPM，并基于功率器件驱动在三代半导体的延伸。旗下拥有功率器件驱动芯片等产品，其产品可降低电磁干扰和开关损耗，同时还可提供电源模组等产品服务，应用于新能源汽车领域。此外，旗下产品已供货于广汽、东风、长城、陕汽等国内头部整车制造厂。
台芯科技：IGBT产业园一期投产
1月10日，据“黄渤海新区”消息，烟台业达创业投资有限公司正式投资入股万华电子，进一步深化对半导体领域上游芯片设计、中游半导体材料及封测、下游应用设备的布局，同时规划建设了六大专业园区。其中涉及一个IGBT产业园——台芯功率半导体产业园。
据了解，台芯功率半导体产业园由烟台台芯电子科技有限公司牵头建设。该产业园统筹布局IGBT模块研发生产、芯片设计、功率模块封装、可靠性检测等板块，建设全国首个第三代功率半导体全链条IDM园区，目前一期已建成投用，二期正在规划设计，全部建成后年可实现产值150亿元。
公开资料显示，台芯科技成立于2017年5月，主营业务包括IGBT芯片设计、研发，IGBT功率模块和单管封装、生产、检测和销售，以及第三代宽禁带半导体SiC器件的研发和生产，拥有涵盖芯片设计、模块及单管封装、产品检测、产品销售、产品应用为一体的完整产业链，建有专业的研发中心和可靠性检测中心。
东风半导体：新增IGBT基板项目
4月8日，宣城市人民政府网发布《广德东风半导体科技有限公司年产300万张功率半导体覆铜陶瓷基板项目环境影响报告表（送审稿）》受理公示。该项目暂时未披露更多信息，“行家说动力总成”将持续关注。
公开资料显示，广德东风半导体科技有限公司由广德东风电子有限公司投资设立，成立于2023年2月。旗下拥有生产厂房面积20000平方米，专业从事功率半导体用高性能陶瓷基覆铜板(DBC)的设计、研发、生产和销售，产品广泛应用于IGBT功率半导体模块、5G射频器件、电动汽车、轨道交通、新能源领域、航空航天等应用领域。目前，东风半导体的年生产能力达150万片高性能陶瓷基覆铜板。
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