行家说消息  东京大学的助理教授 Ryota Akiyama、研究生 Haruko Toyama 和 Shuji Hasegawa 教授在碳化硅 (SiC) 基板上制造了一层碳原子的石墨烯，并添加了钙来表现超导性。

原则上，SiC衬底的一侧可以是超导的。它导致具有新原理的高速设备，例如通过超导降低元件之间的传输损耗。在碳原子排列的碳化硅衬底表面上形成一层石墨烯。在这里蒸镀和加热钙时，钙被插入到SiC和石墨烯之间，以及SiC衬底的碳原子层和硅原子层之间。

然后，插入钙的石墨烯形成两层，并在极低的温度下变得超导。1 微安的电流可以流过 1 微米的导线（微是百万分之一），存在传统超导理论无法解释的特性，他们认为新原理的超导性正在显现，并提出了诸如通过超导布线连接SiC衬底上的元件以及消除元件之间的传输损耗等应用。