又有11家企业取得12/14英寸SiC突破
近期，12英寸碳化硅领域迎来多项突破，国内外企业多点发力：既有企业推进12英寸SiC衬底导入验证，也有企业在12英寸SiC英寸长晶、加工、清洗、检测等配套设备及技术上取得重要进展，推动SiC产业链向大尺寸、高精度、国产化方向稳步迈进。
衬底厂商方面：湖南三安完成12英寸衬底送样，Wolfspeed发布 12 英寸技术平台，持续夯实大尺寸材料供应能力。
长晶设备方面：天成半导体、上海汉虹基于自研设备，推动大尺寸长晶技术落地。
衬底加工方面：科友半导体、北京中电科、硅来半导体及丞达精机在衬底剥离及减薄等环节实现突破，为规模化量产提供保障。
衬底清洗与检测方面：华林嘉业、创锐光谱、松梓阳科技聚焦衬底清洗与检测技术，进一步提升大尺寸衬底的品质管控与生产效率。
湖南三安：
12吋SiC衬底已送样验证
4月1日，三安光电在互动平台回答投资者提问时表示，他们持续推进碳化硅衬底在AI/AR眼镜、热沉散热等方向的应用，12吋碳化硅衬底已向客户送样验证。
据了解，三安光电旗下全资子公司湖南三安已构建了从长晶、衬底、外延到芯片制造的垂直整合制造服务平台，其生产基地位于湖南和重庆。3月31日，三安光电公开透露碳化硅产能最新情况，其产能正不断释放：
湖南三安基地：已拥有6吋碳化硅配套产能1.6万片/月，8吋碳化硅衬底产能1000片/月、外延产能2000片/月，8吋碳化硅芯片产线已通线。
重庆三安基地：现有8吋碳化硅衬底产能2000片/月。
安意法基地（三安与意法合资8吋SiC晶圆厂）：现有产能2000片/周。
Wolfspeed：
推出12英寸SiC技术平台
3月10日，Wolfspeed发布12英寸碳化硅技术平台，定位为下一代 AI 与高性能计算（HPC）异构封装的核心基础材料，他们正与AI生态系统合作伙伴合作，探讨如何解决下一代AI和高性能计算封装架构的热、机械和电气性能障碍。
基于12英寸SiC衬底的100mmx100mm大型中介层基板概念演示
Wolfspeed表示，随着AI与高性能计算工作负载激增，封装尺寸、功率密度与集成复杂度大幅提升，传统硅或有机基板在热管理、机械可靠性与电气传输方面已逼近极限。碳化硅因其远超硅的热导率（370–490 W/m·K）、高机械强度与优异电绝缘性能，成为解决散热瓶颈、支持大面积芯粒组装和高密度布线的理想材料基础。
Wolfspeed的12英寸碳化硅平台不仅与现有半导体制造基础设施兼容，实现可规模化生产，还能制造大型中介层与热扩散组件，支持直接芯片液体冷却和封装内功率传输等先进集成方案。通过产业协作评估，该平台正为下一代AI/HPC系统铺平碳化硅-硅混合封装的技术路径，显著提升热管理与电气集成能力。
天成半导体：
成功研制14英寸SiC单晶材料
3月11日，天成半导体宣布依托自主研发设备，成功制备出14 英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达 30mm，实现国内大尺寸碳化硅技术向14英寸扩径的关键跨越。
该公司在2025 年已掌握12英寸高纯半绝缘与N型单晶生长双成熟工艺，且12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35mm厚。本次14英寸产品主要面向半导体制造设备用碳化硅部件，可应用于刻蚀、外延、薄膜沉积等环节，有望打破韩、日、欧厂商在该领域的垄断格局。
上海汉虹：
实现12英寸SiC长晶突破
近日，上海汉虹精密机械有限公司宣布，他们依托自主研发的碳化硅长晶炉及配套热场工艺，成功生长出12英寸碳化硅晶锭，验证了其设备在大尺寸晶体生长控制上的技术成熟度。
此次突破依托其开发的6-12英寸电阻式PVT碳化硅长晶炉，通过温区精准控制技术与热场成熟结构的融合，优化炉腔内温度梯度与气相原料分布，有效解决了大尺寸碳化硅晶体生长中温场均匀性难控制、晶体易开裂等技术难题。
与此同时，上海汉虹在液相法（LPE）碳化硅长晶领域亦具备设备制造与长晶工艺能力，目前已具备LPE 8英寸晶锭生长技术工艺，12英寸晶锭长晶技术开发中。通过不断投入与工艺迭代，上海汉虹已构建覆盖PVT与LPE双技术路线的碳化硅长晶装备平台。
科友半导体：
实现12 英寸SiC加工技术突破
3月10日，科友半导体在官微宣布，12 英寸导电型与半绝缘碳化硅晶片加工双双取得重大进展，成功打通从晶体生长到晶片加工的大尺寸全链条核心技术，为12英寸碳化硅衬底的规模化量产奠定了工艺基础。
具体来看，科友半导体通过设备兼容性升级、大直径薄壁游星轮结构设计、非标准渐开线齿形优化、数字孪生仿真验证四大核心技术，实现关键工艺参数突破：总厚度偏差 TTV≤1.0μm、局部平坦度 LTV≤0.5μm、表面粗糙度 Ra≤0.2nm，表明其在加工精度上已迈入先进行列，为高端功率器件与射频器件的制造提供了可靠的材料保障。
北京中电科：
12英寸SiC减薄设备成功交付
近日，“行家说三代半”了解到，北京中电科的12英寸SiC晶锭和衬底减薄设备率先在龙头企业端导入，交付量已超过20台套。其设备不仅有效破解TTV＜1μm的加工难点，其整体化方案还可实现12英寸SiC加工降本超30%。
针对12英寸SiC的减薄难题，北京中电科推出了两大方案。一是12英寸SiC晶锭减薄设备（WG-1260M），其配备了“自动化抓取与吸附双模式搬送系统”，可精准适配国内市场各类激光剥离设备的工艺需求，均能高效解决12英寸晶锭的传输难题。
二是12英寸SiC衬底减薄设备（WG-1261M）。该设备在高精度加工指标上已实现优异表现，可稳定实现片内总厚度偏差（TTV）μm、片间厚度偏差（WTW）±1μm。同时，再搭配高目数精磨砂轮，可将精磨后的SiC衬底表面粗糙度（Ra）控制在3nm以内，可显著降低客户后续抛光工艺成本。
硅来半导体：
顺利交付12英寸SiC激光剥离设备
近日，硅来半导体正式宣布，他们已经为客户完成了第三批兼容12英寸SiC衬底激光剥离量产设备的顺利交付。
据悉，硅来半导体先后推出6英寸、8英寸和12英寸SiC衬底激光剥离量产设备。他们不仅顺利交付多批次12英寸设备，而且全系列SiC激光剥离设备亦同步实现规模化出货。
硅来半导体的激光剥离设备解决了大尺寸，尤其是超大尺寸SiC衬底加工的技术难题，效率和损耗显著优于传统线切割工艺。以8英寸SiC衬底为例，单片激光剥离时间＜15分钟，较传统线切工艺提升20–30倍。
据该公司负责人介绍，“公司的SiC激光剥离设备自推向市场以来，短短半年内累计出货已达数十套，广泛覆盖国内多家头部SiC企业，凭借扎实的产品力赢得了从国内市场到海外市场的广泛认可”。
丞达精机：
推出两大12英寸SiC设备
2026年一季度，宁波丞达精机股份有限公司在SiC领域实现两大技术突破：
SiC衬底激光剥离系统：支持8/12英寸SiC晶锭，切片厚度适配350/750μm，标准厚度单片损耗＜80μm，8英寸产线年产量2万片以上，12英寸产线1.5万片以上，为SiC衬底量产提供高效、低成本的国产化解决方案；
ZM9730晶圆研磨减薄设备：适配8/12英寸晶圆，晶圆整体TTV＜1.5μm，表面粗糙度Ra＜10nm，适用于先进封装、3D封装、功率器件、CMOS图像传感器等封测环节，
宁波丞达精机股份有限公司，是一家专注于第三代半导体、半导体封装测试领域精密加工设备研发、生产、销售的高新技术企业。丞达精机聚焦半导体产业链两大核心环节，打造全系列国产化精密加工设备，同时具备从工艺配套到产线搭建的一站式整线集成交付能力。
华林嘉业：
12英寸SiC清洗线问世
近日，华林嘉业在官网宣布，他们与某上市公司正式达成战略合作，共同研发的14英寸、12英寸碳化硅清洗线正式面世，这是国内率先能够同时完美兼容12寸与14寸晶圆的全自动清洗线。
华林嘉业表示，在半导体制造链条中，后道封装的洁净度直接决定着芯片的良率与可靠性。随着第三代半导体碳化硅的广泛应用，其高硬度、高脆性的特性对清洗设备提出了前所未有的要求。
这条由华林嘉业参与研发的清洗线融合去蜡、酸碱清洗、兆声波及无损干燥等多重工艺，配合全自动机械手与智能温控系统，在确保晶圆无损前提下高效去除各类污染物。研发过程中华林嘉业还与头部封测厂深度合作，已获客户良率提升的积极反馈，并接连斩获数千万级订单。
创锐光谱：
实现12英寸SiC无损检测
3月，创锐光谱在官微透露，他们借助自主研发的Dispec-9000碳化硅衬底位错缺陷无损检测设备，成功实现12英寸导电型碳化硅衬底位错缺陷的无损检测，为大尺寸碳化硅产业降本增效提供重要支撑。
据了解，创锐光谱采用瞬态光谱学技术，可以在较短时间内对6、8、12英寸SiC衬底的三种位错缺陷进行无损检测，包括TSD（贯穿型螺位错）、TED（贯穿型刃位错）和BPD（基平面位错）等复杂缺陷，检测过程无需化学腐蚀，避免了晶圆损坏，且检测效率较传统方法大幅提升，12英寸衬底检测时间约为1小时/片，可实现晶圆片片全检，可为衬底生产厂家节约近五分之一的生产成本。
松梓阳科技：
联合攻克12英寸SiC检测技术
近日，上海松梓阳科技有限公司联合平顶山学院、上海工程技术大学、上海电机学院等单位，共同完成的“面向12 inch 三代半导体 wafer多表面形貌在线检测技术研究”荣获2025年度中国商业联合会科学技术奖二等奖。
据悉，该研究面向12 英寸第三代半导体晶圆，融合光学干涉与机器视觉，实现三维形貌与缺陷的非接触、高精度、高速在线测量，提升大尺寸晶圆加工一致性，支撑第三代半导体器件制造国产化。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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