8寸SiC MOS和衬底要来了？日本再砸43亿
日本要推进8寸SiC MOSFET和8寸SiC衬底了！参与企业包括罗姆、电装、东芝、昭和电工、Mipox和中央玻璃等企业。
2月25日，日本NEDO（新能源与产业技术开发机构）官网宣布，他们将启动“下一代数字基础设施建设”项目，旨在开发下一代绿色功率半导体和下一代绿色数据中心，总预算为1376亿日元（约76亿元人民币），计划于2021年-2030年期间实施。
其中，“下一代绿色功率半导体”项目专门针对碳化硅技术，分为2个方向：8寸SiC MOSFET器件和模块，以及8寸SiC衬底技术开发。
开发8寸SiC MOSFET
成本与硅相当
“8寸SiC MOSFET器件和模块制造”项目的实施主体为罗姆、电装 、东芝，项目总预算约为527亿日元（约29亿元人民币），其中NEDO将资助305亿日元（约16.7亿人民币）。
据介绍，该项目的目标是为电动汽车、工业设备、可再生能源和服务器等设备，开发8英寸SiC MOSFET，并打造8英寸高品质SiC器件专用线；同时还要开发用于下一代高压功率转换器的 SiC 模块，并开发高耐压高散热封装，通过功率转换器PoC验证；此外，该项目还要开发 GaN 功率器件。
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值得注意的是，与现有SiC器件相比，NEDO提出的下一代功率半导体器件制造技术的损耗将降低 50%或以上，并在量产时实现与传统硅基功率半导体相同的成本。
开发8寸碳化硅衬底
缺陷密度降一个数量级
“8寸SiC衬底”项目由昭和电工、Mipox、中央玻璃株式会社共同承接，项目总预算约为258亿日元（约14亿元人民币），其中NEDO将资助186亿日元（约10亿人民币）。
该项目的目标是通过多种长晶方法，比如升华法、溶液法等，实现更大直径和更高质量的 SiC 晶圆的开发。
该项目将开发超高品质8英寸、低成本的SiC晶圆，并开发下一代SiC单晶的快速生长技术，同时进行8英寸SiC晶圆性能验证。
预计到2030 年，该项目将进行的大直径高质量基础研究包括：确立8英寸SiC单晶制造技术，将晶体缺陷密度降低一个数量级以上，并降低8英寸SiC 晶圆的成本。
据了解，早在2020年10月，日本政府就宣布了“2050年碳中和”计划，并设定了到2050年实现温室气体零排放的目标。为此，日本经济产业省在NEDO中设立了总额为2万亿日元（约1104亿元人民币）的基金，以推进碳中和目标。
NEDO表示，通过下一代绿色功率半导体的研发，日本将有望实现电动汽车（xEV）、可再生能源以及服务器电源等领域的更高性能和效率，从而实现碳中和这一目标。
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