行家说消息  2月23日，湖南大学电气与信息工程学院、华中科技大学及同济大学的三位教授合作利用第三代功率半导体器件碳化硅MOSFET，首次在电子领域构建了暂态宇称时间（PT）对称系统。

以往的PT对称结构往往针对强迫振荡模式，未涉及暂态振荡模式，且对增益与损耗都有较严苛的要求。杨鑫课题组利用第三代电力电子开关器件低损耗的特点，构建了开关耦合振荡电子系统，依据系统开关状态进行了等效电路变换，通过暂态向量法以及Laplace变换，成功在开关振荡瞬态过程中构建了隐藏的PT对称哈密顿算符。

研究人员表示，该成果将进一步拓展PT对称理论的适用领域，在电子系统电磁干扰抑制、耦合系统暂态分析、机械减振降噪等领域具有良好的应用前景。