Wolfspeed创始人当选院士；英飞凌换运营官；韩国70亿支持碳化硅……
2月21日，碳化硅、氮化镓产业最热新闻都在这里啦！
碳化硅
韩国：将投近70亿支持碳化硅企业
据韩媒2月16日报道，韩国半导体芯片行业准备在 2022 年投资 56.7 万亿韩元（合计3000亿人民币），以创造就业机会并加强供应链。
今年韩国的投资总额中，1.3万亿韩元（合计约69亿人民币）将用于专注于芯片设计和碳化硅化合物半导体的中小企业。另外1.8万亿韩元（合计95.3亿人民币）将用于专注于原材料、零部件、设备和半导体后处理的中小企业。
国产碳化硅电驱取得标志性进展
日前，中国汽车工程学会“节能与新能源汽车技术路线图系列年度研究成果”发布，对2021年度节能与新能源汽车标志性技术进展以及2022年最受关注的十大技术趋势进行了详细研判。
入选2021年度电驱动总成标志性进展的技术中，中国科学院电工研究所的高功率密度碳化硅电机控制器，功率密度达到47.8kW/L，最高效率为99.8％，工作环境水温105℃。“高功率密度碳化硅电机控制器”的参与企业包括：精进电动、中国科学院电工研究所、阳光电源、宇通客车、上海电驱动、中车时代电动。
Wolfspeed创始人当选美国国家工程院院士
2月16日，Wolfspeed官网宣布，他们的联合创始人兼首席技术官 John Palmour（约翰·帕尔穆尔）博士当选为美国国家工程院院士。据悉，美国国家工程院院士资格是为了表彰那些对工程研究和实践做出杰出贡献的人，包括开拓新兴和发展中的技术领域以及在工程方面取得重大进展。Palmour 在碳化硅和氮化镓电子器件的制造和器件设计领域共发表了386篇科学作品，并拥有 81 项美国专利。
英飞凌更换首席运营官，曾任宽禁带业务主管
2月18日，英飞凌表示要更换首席运营官——Rutger Wijburg 将于4月1日接替 Jochen Hanebeck， 出任英飞凌首席运营官。
据了解，Wijburg 自 2018 年以来一直在公司工作。作为英飞凌德累斯顿的董事总经理，他负责提升高度自动化的 300 毫米生产线。在 2021 年初接任前端负责人之后，Wijburg 一直专注于扩大宽带隙容量，并在建立 300 毫米“一个虚拟 Fab”集群的概念方面发挥了重要作用。他将在半导体行业 30 多年的国际经验带到他的新职位。
SK Siltron扩建韩国碳化硅工厂
据日媒《亚洲经济》2月16日报道，韩国SK Siltron正在扩建韩国龟尾市的两家工厂，以生产碳化硅晶圆。据介绍，日本龟尾二厂将从美国子公司SK Siltron CSS获得部分碳化硅晶圆，并负责后半程的生产，于今年下半年开始量产。若龟尾的两个工厂的扩建和良率（合格品无缺陷率）稳定下来，生产规模将较去年大幅扩大。
此前，SK Siltron已进行了两轮投资扩张：
2019年9月以5亿美元（合计28.5亿人民币）收购了杜邦SiC晶圆事业部。
2021年1月28日以268亿韩元（合计42亿人民币）收购了韩国es Power Technix的33.6％股权。
山西省：2项碳化硅项目入选重大专项计划
2月17日，山西省科技厅发布重大专项计划“揭榜挂帅”项目的中榜名单，合计27项。
其中，在21项重大技术攻关类项目中，包含2个碳化硅项目，分别是大尺寸4H-SiC单晶衬底材料制备产业化技术研发和8英寸碳化硅单晶生长设备研发，以满足山西省企业的生产需求。
II-VI：采用金刚石提升碳化硅器件性能
2月11日，II-VI宣布 已从英国Element Six获得单晶金刚石技术的许可，以提高其功率和射频设备的性能。
这将使金刚石层能够作为散热器添加到电源和射频设备中，例如通过在碳化硅晶片的背面生长单晶层。这可以通过改善与 SiC 的热界面来显着提高功率器件的性能。
氮化镓
广东半导体所：氮化镓外延实现新突破
1月18日，广东省科学院半导体所宣布，其先进材料平台制备了位错密度低至2.7×108cm-2且方块电阻高达2.43×1011Ω/R的高质量GaN外延层模板。
据悉，该平台针对因基板氧元素扩散导致GaN/蓝宝石模板呈现n型导电特性的问题开展深入研究，通过单步磁控溅射工艺引入超薄（10nm）AlN缓冲层对外延界面调控实现了新突破。
罗姆：将于2022年春展开氮化镓功率元件量产
2月10日，罗姆宣布将于2022 年春天展开氮化镓功率元件的量产。罗姆将于滨松工厂等日本国内外的生产据点，量产150V GaN HEMT。该产品适用于数据中心和5G基站。
广西飓芯：氮化镓外延线已建成
2月11日，广投集团一行赴柳州市调研，拜访了广西飓芯科技有限责任公司。
据广西飓芯CEO宗华介绍了，广西飓芯承担了北京飓芯氮化镓蓝绿激光器的生产任务并进行生产性研发，目前已完成氮化镓外延片产线建设。
徐州致能：氮化镓产值达5.4亿
据徐州日报2月17日报道，徐州致能半导体有限公司交出了一份漂亮的“成绩单”——氮化镓芯片项目年产值达到5.4亿元。
据悉，致能半导体有限公司是入驻高新区电子信息产业园的第一家企业，2020年11月双方签约；2021年1月正式开始施工；3月份设备陆续进场安装调试；6月底整个项目全线通线。
杰华特：氮化镓项目获374.8万补贴！
2月17日，据杭州市西湖区人民政府下达的《2021年第四批杭州市工业和信息化发展财政专项资金的通知》显示，杰华特微电子股份有限公司获市资金及区配套补贴合计374.2万元，用于氮化镓器件的高频有源钳位反激控制芯片的研发及应用。
技术文献
中国人大：二维氮化镓可控制备获新进展
近日，中国人民大学物理学系陈珊珊教授团队采用等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD）合成了大面积超薄、宽带隙的二维氮化镓。
相比于传统使用的氨气，该工作采用对环境友好的氮气作为氮源，对预先沉积在硅片上的氧化镓模板进行了氮化，通过平衡同时发生的氮等离子体的氮化和刻蚀，实现了双层氮化镓的可控制备。
新研究：C轴碳化硅实现业界最高电子迁移率
日本京都大学的研究小组使用碳化硅霍尔棒结构研究了在不同温度和施主浓度下垂直和沿 c 轴的电子迁移率。在C轴上实现了有史以来最高的碳化硅电子迁移率——1160 cm2 V-1s-1。
目前，该研究发表在《应用物理快报》杂志上。
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