并联碳化硅MOSFET的主动自动抑制电流不平衡技术
行家说消息
作者：Nektarios Giannopoulos、George Ioannidis 和 Constantinos Psomopoulos西阿提卡大学电气与电子工程系（古橄榄园校区）
摘要：
如今，中高功率应用使用碳化硅 (SiC) MOSFET，并且很多时候它们的并行化是必要的。不幸的是，这种要求会导致功率器件之间不可避免的电流不平衡，从而影响功率开关的性能。在过去十年中，已经进行了大量研究，提出了各种能够减轻许多分立并联 SiC MOSFET 的电流不平衡的技术。
然而，大多数方法的实现需要了解功率器件的技术特性，从而增加了系统的额外成本，因为筛选是一个耗时且昂贵的过程。这种必要性降低了这种技术在电力电子应用中实施的可能性，从而阻止了对 SiC MOSFET 特殊功能的利用。此外，这些技术中的大多数只能抑制在开启和关闭转换期间发生的电流不平衡。
本文提出了一种主动自动抑制电流不平衡技术，无需器件筛选。主动式方法是一个闭环系统，能够自动、主动且独立地检测和消除并联 SiC MOSFET 之间的整个电流不平衡。仿真结果展示了该技术的可行性和有效性。
关键词：宽带隙（WBG）半导体；碳化硅 (SiC) 半导体；有源电流平衡技术；并联 MOSFET
获取文献请扫描下方二维码
