行家说消息  2021年12月15日，英飞凌根据其战略设计的 GaN 产品组合以不断加强全系统解决方案，推出了 EiceDRIVER™ 1EDN71x6G HS 200V 单通道栅极驱动器 IC 系列。新产品系列旨在提高 CoolGaN™ 肖特基栅极 (SG) HEMT 的性能，但也与其他 GaN HEMT 和硅 MOSFET 兼容。栅极驱动器针对广泛的应用，包括DC-DC转换器, 马达驱动, 电信, 服务器, 机器人, 无人机, 电动工具， 和 D类音频放大器.

1EDN71x6G 变体具有可选的上拉和下拉驱动强度，无需栅极电阻即可优化波形和开关速度。这导致更小的功率级布局和更少的 BOM 组件。最强/最快驱动变体 (1EDN7116G) 适用于具有显着并联的半桥配置。最弱/最慢驱动变体 (1EDN7146G) 可用于某些 dv/dt 限制的应用，如电机驱动或非常小的芯片 GaN（高 R DS(on)，低 Q g）HEMT。每个变体还具有不同的消隐时间，与推荐的最小死区时间、最小脉冲宽度和传播延迟成正比。

真正的差分逻辑输入 (TDI) 功能消除了低端应用中由于地弹引起的误触发风险，并使 1EDN71x6G 能够满足高端应用的需求。此外，所有变体都具有有源米勒钳位，具有极强的下拉以避免感应导通。这为栅极驱动环路中的毛刺提供了额外的鲁棒性，尤其是在驱动具有高米勒比的晶体管时。

此外，1EDN71x6G 提供有源自举钳位，以避免在死区时间内自举电容器过度充电。这提供了自举电源电压调节，无需额外的调节电路即可保护高侧晶体管的栅极。当需要时，例如当 PCB 布局无法完全优化时，还提供了一个带有可调负关断电源的可选可编程电荷泵，以提供额外的米勒感应导通抗扰度。

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