行家说消息  2月1日，II-VI宣布，该公司在其高质量的碳化硅衬底上的1200V碳化硅MOSFET平台已达到严格的汽车标准要求，并通过与GE研究院签署为期三年的技术准入协议（TAA）来扩大其与GE的关系，以获得该实验室的世界级碳化硅模块技术和专家团队，加速客户设计参与活动。

利用其差异化的150毫米SiC衬底，II-VI成功地完成了其1200V SiC MOSFET平台符合汽车电子委员会AEC-Q101标准的鉴定，超过了200℃。 

II-VI新企业和宽禁带电子技术部执行副总裁Sohail Khan说："这项资格认证是一个重要的里程碑，使我们能够开始加强我们在工业电机和可再生能源市场的设备的商业活动，同时，在电动汽车市场启动更长期的设计活动。2020年对通用电气技术的授权使我们能够提前实现我们的资格里程碑。技术使用协议将加强我们与通用电气的关系，并进一步加快我们的上市时间，因为我们将继续执行之前宣布的计划，在未来十年内为我们的碳化硅平台投资10亿美元的产能和创新。" 

与GE研究院的TAA通过在早期协议的基础上扩大了与GE的关系，在该协议中，II-VI 授权GE生产用于电力电子的SiC器件和模块的技术。TAA将涉及GE研究院的十几位SiC器件和系统专家以及测试设施，这些设施将致力于II-VI的SiC器件和模块商业化的下一个阶段。

"我们很高兴达成这项新协议，这将使II-VI 利用汽车、工业和其他领域的电力电子的数十亿美元的新市场机会，"GE的首席技术官Vic Abate说。"随着我们与II-VI ，扩大其市场基础，我们还将利用SiC功率器件和模块的新进展，提高GE在航空市场的SiC产品的地位，并支持GE在能源和医疗保健领域的其他产品，这些产品将从这些能力更强的功率电子器件中受益。"

今天，GE航空为航空航天、工业和军事应用提供了一个强大的基于SiC的电力产品系列。此外，GE的其他业务，包括可再生能源资产、电网基础设施和医疗成像扫描仪，都将在整合SiC基电力电子平台后看到性能和效率的提高。II-VI现在可以提供样品模具，包装好的样品计划在2022年日历年中期提供。