“行家说三代半”发现多家碳化硅企业披露了新动态，包括器件/模块商业化落地、技术共研、设备出货。
8月5日，“清纯半导体”官微发文表示，清纯半导体再次获得一国际车企的海外新能源汽车主驱SiC MOSFET量产项目定点，后续将完成上车前的导入工作，预计2028年开始批量供货。
此前，清纯半导体在2024年获得该车企的研发项目定点，随后在2025年首次获得该车企海外车型的量产定点，目前研发和量产项目均进展顺利，预计2027年开始批量交付。
据悉，清纯半导体拥有一流的碳化硅功率芯片设计与制造技术，具备成熟的产线和稳定的供应保障能力，在碳化硅器件的性能优化、良率提升和应用适配上积累了深厚经验。相比于上一代产品，清纯半导体第三代SiC MOSFET自研技术平台，比导通电阻更低，开关损耗与反向恢复特性进一步优化，能实现更强的电流输出能力，且高温稳定性更佳，能显著提升电驱系统的整体效率与稳定性。
10月16日，据“合肥昕感”官微消息，合肥昕感制造中心已顺利完成面向欧洲车用客户的固态断路器（SSCB）模块产品小批量交付。此次交付的产品采用碳化硅JFET技术方案，标志着昕感科技在车规级功率模块的规模化量产与海外市场拓展上迈出关键一步。
此次昕感科技交付的核心技术方案为SiC Cascode JFET（级联碳化硅结型场效应晶体管），通过将低压硅基MOSFET与高压SiC JFET级联封装，既保留了SiC JFET在高温稳定性与可靠性方面的固有优势，又实现了常关型驱动特性，大幅简化驱动电路设计。
欧洲车企质量体系与可靠性标准要求严苛，本次小批量交付，印证昕感合肥制造中心的产品品质与交付能力获得海外车规客户认可。昕感透露，在完成此次交付后，产线将稳步爬坡。
7月31日，长飞先进官方公众号披露，由长飞先进代工的车规级SBD 650V 30A产品顺利量产并通过了终端车规客户的车规审核认证。该产品由客户研发设计、在长飞先进芜湖基地制造完成，主要应用于车载电机驱动器及开关电源。汽车对功率器件的安全性、可靠性要求更高，获得客户的车规认证是功率器件实现装车应用的前置门槛。
长飞先进近期碳化硅产品线多点推进，在10月15日，他们发布了多项创新技术，覆盖车规SiC MOSFET、车载主驱SiC模块、AIDC数据中心产品以及工业、消费级器件。其中数据中心相关产品已实现供货，客户验证持续开展；车规SiC MOSFET与功率模块处于导入验证环节。早在2025年7月，长飞先进战略运营中心副总裁李刚就曾对外表示，预计2026下半年公司碳化硅芯片实现上车落地，本次SBD量产认证，是其车载碳化硅路线的阶段性进展。
据“爱仕特半导体”官微消息，10月20日，宁晖传能和爱仕特半导体、民生博宇达成战略合作。
三方将聚焦技术研发、产业链配套、产品落地等方向，打通上游碳化硅芯片配套与终端能源装备制造的核心链路，共同推动轻量化大功率电能传输技术的商业化与规模化发展。
据悉，宁晖传能深耕无线电与电力能源行业30年，重点研发轻量化大功率电能传输方案，可服务新能源汽车、船舶电力、智能电网等多个领域，爱仕特专注于碳化硅功率半导体芯片与模块的研发、制造及应用，是国内碳化硅功率器件领域的核心厂商。
10月14日，安森美在官微官宣，阳光电源在其PowerTitan 3.0公用事业级储能平台采用安森美EliteSiC碳化硅混合功率模块，用于高功率DC-AC变换，提升储能系统转换效率与经济性，匹配AI算力、新能源带来的电力增长需求。
该平台采用适配三电平拓扑的Si/SiC混合功率集成模块，单台转换单元最高功率可达450kW，相比前代逆变器效率提升0.4%，峰值效率突破99.3%。按安森美测算，一座100MW储能电站依托该方案每年可节电超475MWh。阳光电源储能事业部储能变流产品线总经理陈鹏表示，依托先进技术和安森美等战略合作伙伴开展协同，阳光电源储能方案性能不断升级，计划2026年在欧洲交付10 GWh的PowerTitan 3.0。
安森美是全球功率半导体方案厂商，Elite SiC系列覆盖储能、工业、车载等高压功率场景；阳光电源为全球新能源装备龙头，储能变流器技术积累深厚。本次落地是双方长期战略合作的延续，碳化硅混合方案也成为大型储能降本增效的重要路线。
当地时间9月28日，纳微半导体宣布中标美国陆军ALATTIS项目，其全称为“加速型大面积10kV碳化硅绝缘栅双极型晶体管原型项目”（Accelerated, Large-Area, 10 kV SiC IGBT）。
该项目由美国陆军研究实验室ARL发起，经过竞争性评审遴选确定合作方，目标是验证一套全新本土制造工艺，开发适配军用核心系统的超高压碳化硅器件。
纳微的碳化硅研发与制造体系布局在美国本土。其GeneSiC平台采用沟槽辅助平面（TAP）架构，现有产品电压覆盖650V–6.5kV，在超高压碳化硅领域拥有深厚技术积淀，曾创下多个行业里程碑：2010年推出6.5kV碳化硅晶闸管，并斩获R&D 100大奖；2012年推出10–15kV PiN二极管；2021年实现6.5kV SiC MOSFET商业化落地。
依托本次项目，纳微将把技术版图从碳化硅MOSFET延伸至10kV SiC IGBT方向，服务军工、电网大功率电力电子装备的升级需求。
10月7日，据“PowerSAC”官微消息，华润微中央研究院副院长郑晨焱博士与香港功率半导体芯片及应用研发中心（PowerSAC）主任陈敬教授代表双方签署合作协议，搭建科研与产业对接通道，为后续深度协同奠定基础。
华润微主营功率半导体、智能传感器与智能控制产品，同时对外提供晶圆代工、封装测试服务，旗下碳化硅、氮化镓产品商业化进展显著。2026上半年，华润微碳化硅业务营收同比翻倍以上增长，汽车、储能两大终端收入合计占比85%；第三代、第四代D-mode氮化镓产品已批量用于手机快充、电视、显示器、适配器等场景。
PowerSAC聚焦氮化镓、碳化硅、氧化镓器件、功率管理集成电路、EDA、AI数据中心供电、新能源车供电等方向，打通器件、电路到系统应用的研发链条。双方将持续共享工程与科研经验，挖掘宽禁带半导体成果的产业化潜力。
8月26日，据“深圳平湖实验室”官微消息，深圳平湖实验室与龙腾半导体正式签署战略合作协议，双方将围绕碳化硅固态变压器（SST）、高端逆变器等方向开展深度协同，推动宽禁带半导体技术攻关与产业化落地。
深圳平湖实验室是第三代半导体国家技术创新中心（深圳）依托单位，由深圳市科创局于2022年牵头设立，重点开展碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料、器件、工艺研发与中试转化，同时布局下一代先进功率半导体技术。龙腾半导体为国内功率半导体器件及系统方案供应商。双方将发挥各自科研与产业优势联动，打通技术研发、中试到产品验证链条，加速碳化硅器件在电网、新能源装备等高价值场景落地。
9月14日，臻驱智慧能源与有孚国际在上海签署战略合作协议，双方以SST为核心，围绕智算中心中压直挂供电方案，在示范验证、方案开发、优先采购、联合研发、绿色低碳与海外市场拓展方面建立长期合作。
此外，双方还将在联合研发与行业标准制定、市场与品牌联合推广、供电效率提升与碳减排核算等绿色低碳领域深化合作。并且，双方将依托有孚国际在海外的数据中心布局，共同推进境外智算中心项目中的供电方案、产品认证与本地化交付合作，携手开拓亚太及全球市场。
臻驱智慧能源为臻驱科技旗下企业，主打SST，自研3.3kV全碳化硅功率模块，面向AI数据中心提供10kV/35kV中压直挂、800V直流供电方案。有孚国际总部位于新加坡，是亚太中立智算服务商，在国内多地运营大型智算中心，在国内及亚太多国运营高等级智算中心，服务互联网、AI、金融、能源等客户。
10月10日，在广州市工信局指导下，广州市电力行业协会组织南网科技、广东芯聚能、芯粤能等单位开展电力电子功率器件专题调研，围绕碳化硅器件在电力装备的落地应用研讨对接。
与会各方围绕碳化硅器件测试验证、批量应用、联合研发展开交流，并达成三点合作共识：推动成熟碳化硅器件供需与场景适配；协同推进自研功率模块产业化；面向新型电力系统联合攻关前沿新型器件，从单纯供货走向联合创新。本次对接瞄准新型储能、车网互动、算电协同等场景，打通“器件－装备－系统－场景”链条。
南网科技深耕电力电子装备技术；芯聚能为广州本土碳化硅功率模块厂商，具备碳化硅模块研发及量产能力。本次交流搭建起电网需求端与半导体供给端的对接通道，助力广州第三代半导体、新能源产业协同，支撑当地新型电网与“六张网”基础设施建设。
9月15日，据“博威合金”官微消息，英飞凌与博威合金在马来西亚马六甲正式签署联合开发协议。双方将整合英飞凌功率半导体封装技术、博威合金数字化研发能力，共同推进“AllinOne”半导体引线框架铜合金的研发及商业化落地。
本次合作目标为开发高导电、无磁性、无析出相的新型铜合金材料。英飞凌负责输出封装端需求、车规可靠性标准与验证平台；而拥有三十余年铜基特种合金研发经验的博威合金，则承担合金配方设计、试样试制、精密轧制与带材工艺优化。双方将组建联合研发团队，分阶段完成试样、封装可靠性测试，推动材料定型与规模化应用。
据悉，英飞凌为全球功率半导体领军IDM厂商，具备芯片设计、制造、封装测试全链条能力，布局硅、碳化硅、氮化镓等功率器件技术。博威合金成立于1993年，于2011年登陆上交所，主营高端合金新材料与新能源业务，在国内外布局十四大制造基地。
10月11日，普达特科技发布《半导体设备业务发展的进展》自愿性公告。公告显示，自2026年3月24日以来，公司新增29台设备订单，其中14台为半导体设备，机型涵盖单片清洗设备、LPCVD炉管设备，面向高端特色工艺及第三代半导体产线。该批订单均已正式签约，收入待客户端验证后确认。
普达特科技布局第三代半导体湿法工艺，推出CUBE、OCTOPUS两大单片湿法清洗平台。该系列设备吞吐效率为同类产品的2倍，目前已进入国内十余家6/8/12吋碳化硅晶圆头部厂商。
8月4日，研微半导体官微发文表示，其自主研发的SiC EPI设备再次交付国内上市公司客户。研微表示，此次属于复购订单，是客户在产线长期量产验证之后做出的采购决策，印证设备在外延薄膜品质上的稳定性。
该款SiC外延设备适配6吋、8吋SiC晶圆，可满足平面、沟槽类SiC外延量产工艺；其平台架构支持晶圆规格升级；设备采用标准化模块化便于运维备件，能提升产线稼动率、优化产线综合成本。
据了解，研微半导体科技有限公司于2022年落地无锡高新区，专注于原子层沉积（ALD）、Si外延沉积（SI EPI）、等离子体化学气相沉积（PECVD）、SiC外延（SiC EPI）以及原子层刻蚀（ALE）等设备及工艺技术的研发。
7月31日，据“众鸿半导体”官微消息，安徽头部SiC IDM企业再度采购众鸿涂胶显影设备，追加2台扩充8吋SiC芯片产线产能。
众鸿半导体透露，此次追加订单的客户为国内垂直整合型SiC功率器件厂商，建有国际先进水平碳化硅产线，配套完善研发与测试平台；产品线覆盖650V至10000V全电压等级SiC SBD、MOSFET、SJ MOSFET、JFET及功率模块，产品面向各类高端功率电子场景。
上海众鸿成立于2011年，是专注半导体前道装备的高新技术企业，自研产品包含涂胶显影设备、单片旋转清洗机、立式炉管、快速退火炉等，广泛用于芯片制造，累计拿下近百项专利。
8月26日，“高测股份”官微发文表示，高测股份自主研发的12吋全自动SiC晶片减薄机正式交付客户。此前公司首台8吋SiC晶片减薄机已完成客户长周期导入验证，顺利通过验收。本次交付机型在8吋设备基础上迭代升级，可兼容8/12吋SiC晶片高精度减薄，全流程自动化作业。
此次高测股份交付的12吋全自动SiC晶片减薄机采用两轴三工位全新布局，搭载高刚性气浮主轴与气浮承片台，保障加工过程高精度、高刚性与高稳定性，核心性能对标国际先进水平。当前，高测股份已完成大尺寸SiC切、倒、磨全流程设备矩阵布局，持续推进装备技术迭代与工艺优化。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
