10月7日，Wolfspeed在官网宣布，他们已获得美国战争部战略资本办公室发出的有条件贷款承诺函，最高可获得15亿美元的长期融资，以支持碳化硅材料和宽禁带功率器件在美国本土的开发生产，并重点关注美国国家安全应用。
除了支持本土宽禁带半导体供应链之外，这笔15亿美元贷款还将推进战争部的关键举措。具体而言，Wolfspeed计划将该融资用于升级其氮化镓外延能力，以服务于下一代通信基础设施和电子战系统，并为其现有SiC和未来GaN产品开发抗辐射加固技术。
Wolfspeed还透露，此次融资预计将推进一项多年计划，目标包括：
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巩固Wolfspeed在国内碳化硅材料和功率器件领域的领导地位；
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建立、扩大或回流美国本土低压/高压GaN功率器件生产能力；
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推进GaN-on-SiC射频外延片技术；
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开发美国本土抗辐射加固技术。
Wolfspeed首席执行官Robert Feurle表示，碳化硅和氮化镓在国家安全领域有着至关重要的应用，这项融资将促使他们持续推进碳化硅材料和宽禁带功率器件的研发，从而构建更具韧性的美国半导体和国防工业基础。
从Wolfspeed的公告来看，此次融资布局重点为GaN-on-SiC产品。但从Wolfspeed的实际布局来看，其氮化镓射频业务虽然起步较早，但目前已经出售，仅保留氮化镓外延业务。
根据《2022年氮化镓功率与射频产业调研白皮书》，Wolfspeed的射频技术来源主要有2部分：
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第一是自主研发：
1998年，Cree/Wolfspeed展示首个GaN-on-SiC HEMT；
2000 年，Wolfspeed成功制造GaN MMIC；
2008 年，Wolfspeed推出了首个GaN-on-SiC射频器件。
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第二是收购：
2004年3月 ，Cree收购先进技术材料（ATMI）的碳化硅衬底和氮化镓外延业务；
2018 年，Wolfspeed还以3.45亿欧元（约27亿人民币）收购英飞凌射频业务。
在2023财年一季度财报会议上，Wolfspeed 执行副总裁兼首席财务官Neill P. Reynolds曾透露，他们的射频业务工厂一直处于满负荷状态，射频产品营收约占他们总营收的20%，但长期计划的营收占比将仅为10%。
但在2023年8月，Wolfspeed和MACOM共同宣布，他们已达成一项交易——Wolfspeed将GaN-on-SiC射频业务出售给MACOM，合计总价为1.25亿美元（约8.99亿人民币），MACOM将接管Wolfspeed的4英寸GaN晶圆制造工厂、射频设计团队和相关产品开发资产等。
根据MACOM公告，Wolfspeed的射频业务当时的年收入约为1.5亿美元（约10.8亿人民币）。伴随交易完成，Wolfspeed预计还将为MACOM提供半绝缘型碳化硅衬底和外延产品。
Wolfspeed氮化镓外延技术示意图
目前，据Wolfspeed官网透露，其仍保留用于射频器件的材料业务，可向客户提供4/6英寸高纯半绝缘碳化硅衬底和氮化镓外延产品。据此来看，Wolfspeed在氮化镓领域的布局已从早期的射频器件IDM模式，转向以高纯半绝缘碳化硅衬底和GaN外延为核心的材料供应模式。
此次获得美国战争部15亿美元资金，重点支持GaN外延能力升级和抗辐射加固技术开发，表明Wolfspeed将强化其在GaN-on-SiC材料环节的竞争力，并进一步深化氮化镓技术与产能布局。
据《2025碳化硅（SiC）衬底与外延产业调研白皮书》透露，SiC基GaN器件是射频市场主流产品和技术解决方案，国际主流尺寸为4-6英寸，4 英寸产线代表企业为日本住友和中国台湾稳懋，6英寸产线主要集中在美国，代表企业为Macom、Qorvo 和恩智浦；国内则有多家衬底厂商推出了8-12英寸半绝缘碳化硅衬底。
而在今年8月，位于欧洲的碳化硅衬底企业TekSiC也宣布在半绝缘碳化硅衬底研发上取得了突破，其参与了瑞典政府的半导体合作项目，将提供半绝缘碳化硅衬底，交由位于瑞典林雪平的晶圆代工厂SweGaN AB进行氮化镓外延加工，并由查尔姆斯理工大学进一步开发成氮化镓HEMT器件。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
