博世：8英寸SiC工厂试产，揽获15亿政府补贴
7月13日，博世在官网宣布，他们已在美国罗斯维尔工厂进行样品生产，并计划于2026年启动商业化生产，基于第三代SiC芯片技术，在8英寸晶圆上生产首批商用芯片。
与此同时，他们已与特朗普政府达成最终协议，将获得美国商务部芯片项目办公室高达2.25亿美元（约合人民币15.25亿元）的直接资金，用于支持博世高达20亿美元（约合人民币135.58 亿元）的投资，以改造其罗斯维尔工厂。
此前，博世的罗斯维尔项目还获得了加州州长商业和经济发展办公室 (GO-Biz) 提供的2500万美元（约合人民币1.69 亿元）税收抵免奖励，进一步支持罗斯维尔工厂的重建和投资。
据“行家说三代半”此前报道，2023年博世收购了TSI Semiconductors位于加州罗斯维尔的晶圆厂资产，作为其位于美国的第一家半导体工厂，并计划投资约15亿美元（约合人民币101.69亿元），将罗斯维尔工厂改造为一座生产和测试8英寸SiC的现代化设施。
目前，博世罗斯维尔工厂拥有300多名员工，未来有望根据市场发展情况继续增长。博世还计划在未来五年内，向其美国业务投资75亿美元（约合人民币508.43 亿元），以增强供应链韧性。
博世的碳化硅业务可追溯到2001年，其当时便启动了SiC功率半导体研发，并于2011年推出首颗SiC MOSFET原型器件，2019年开始对外销售SiC裸片、分立器件及功率模块，2021年实现6英寸SiC芯片量产。
目前，博世在碳化硅芯片出货量、技术平台迭代、全球产能布局三大维度进展如下：
出货量方面：4月22日，博世在官网发文透露，自2021年第一代SiC芯片投产以来，博世已在全球范围内交付了超过6000万颗SiC芯片。
技术平台方面：基于垂直沟槽（trench）结构，博世正推进第三代、第四代和第五代SiC MOSFET技术的发展。其中第四代产品将显著缩小元胞尺寸，预计于2029年前后进入市场，第五代产品将引入超结（Superjunction）结构，于2031年左右问世。
产能布局：自2024年起，博世开始将碳化硅晶圆生产从6英寸逐步过渡到8英寸。从2027年起，博世所有新一代产品都将基于8英寸晶圆进行设计与生产。
目前，博世拥有两座SiC工厂。其中，德国罗伊特林根工厂正开展6英寸转8英寸产线改造工作，改造项目预计2026年全部完成，现阶段该工厂主要量产第二代SiC芯片，罗斯维尔SiC工厂也计划于本年度正式投产。
业绩方面，2025年博世集团销售额为910亿欧元（约合人民币7051.7 亿元），其中智能出行（Mobility）业务销售额是558 亿欧元（约合人民币 4324亿元），占比超过50%。同一年度，博世智能出行集团在中国实现销售额1223亿元人民币，同比增长4.9%，其中约70%来自与中国主机厂的合作。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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