投资超14亿！5个SiC项目投产/签约
近期，国内外SiC项目建设加速推进，覆盖晶圆、外延等关键环节：
SiCSem：SiC项目投资超14亿，目标年产能为6万片SiC晶圆、约9600万个SiC MOSFET和二极管；
矽芯微：晶圆中道加工fab厂投产，可生产硅基、SiC、GaN等各类基材晶圆；
浙江云和：电子硅材料及抛光片生产线项目将开工建设，将生产SiC/GaN外延等产品；
晶驰机电：SiC项目总投资2亿元，预计今年完成施工建设并具备投产条件；
江丰同芯：覆铜陶瓷基板项目进入投产验证阶段，年产能720万片。
SiCSem：
SiC项目年产能6万片
近日，据ScanX等多家外媒透露，印度上市公司Archean Chemical（ACI）子公司SiCSem与印度半导体任务署(ISM)签署了财政支持协议，将用于建设SiC半导体制造和封装工厂，预计投资额为206.7亿卢比（约合人民币14.66 亿元）。
该项目整合了端到端的晶圆制造和封装能力，位于奥里萨邦布巴内斯瓦尔信息谷，目标年产能约为6万片SiC晶圆、约9600万个SiC MOSFET和二极管，将服务于电动汽车、可再生能源、智能电网、5G、工业自动化和数据中心。
官网资料显示，SiCSem是一家集成器件制造商 (IDM)，拥有完善的制造设施，包括从SiC晶体生长设施、用于制造二极管和MOSFET的半导体制造厂以及用于封装成分立器件和功率模块的组装、测试、标记、封装 (ATMP) 设施。
早在2024年10月，SiCSem母公司ACI就宣布以1500万英镑收购英国Clas‑SiC 21.33%股权，布局SiC功率器件制造。据公告透露，Clas‑SiC是英国的SiC晶圆代工厂，2022财年至2024财年的营收分别为204万英镑、1065万英镑、1001万英镑（约合人民币0.19亿、0.97亿、0.91亿）。
ACI同时透露，SiCSem已与全球领先企业达成关键技术与工艺合作，Clas‑SiC将提供SiC工艺技术与设计套件；美国NoMIS Power将支持汽车与工业领域的器件设计及认证；爱思强将提供SiC外延薄膜沉积设备；印度布巴内斯瓦尔理工学院将在SiC晶体生长领域开展产学研合作，其目标是在未来24–36个月内生产高品质SiC功率器件。
矽芯微：
晶圆中道加工fab厂投产
近期，据成都高新区电子信息产业局透露，四川矽芯微科技有限公司成都基地项目迎来里程碑节点——首片8英寸晶圆成功加工下线，并顺利完成小批量试生产，成为国内投产速度较快的晶圆中道加工fab厂。
矽芯微相关负责人表示，成都基地建成后，公司总产能可加工封装成品晶圆6万片/月，涉及6-12寸晶圆，包括硅基、SiC、GaN等各类基材晶圆。当前生产的晶圆产品，良率与性能均全面达到设计标准，且已顺利通过客户验证。从目前订单和意向订单来看，很快就会达到产能满产状态。
矽芯微成立于2015年，是一家专注于半导体先进封装领域的CXO企业。目前业务主要涵盖功率半导体（IGBT/SiC MOS/功率IC等）与射频微波领域，产品广泛应用于新能源汽车、新能源、人工智能、自动化、消费电子等行业。
浙江云和：
SiC外延项目即将开工
5月7日，据浙江开发区透露，电子硅材料及抛光片生产线项目已成功落地位于云和开发区，正在进行开工准备。
文章表示，项目投建企业成立于2020年5月，总部位于丽水经开区，主要从事硅外延片、智能感知系统应用特种硅片、SiC/GaN外延等特色产品生产。目前，该企业在国内半导体电子专用材料外延片细分领域市场占有率超过8%，客户超过100家。
该项目总投资20亿元，其中固投14.5亿元，用地约100亩。在项目一期共投资10亿元，其中固定资产投入7.5亿元，用地约50亩。一期将建设年产600吨单晶硅棒（6、8、12英寸）及180万片（6、8英寸）抛光片产线。项目达产后预计实现年产值5亿元，利税1400万元。
晶驰机电：
SiC项目预计今年完工
近日，据“正定发布”官微透露，河北晶驰半导体材料装备研发生产项目正抢抓施工黄金期、加速推进。
据介绍，该项目由河北晶驰机电有限公司投资建设。项目建成后，将独立研发、生产、制造碳化硅晶体生长和金刚石晶体生长及相关半导体材料设备，预计年营业收入2.2亿元。在碳化硅材料方面，晶驰机电已率先实现8-12英寸碳化硅单晶炉的技术突破，目前设备已批量交付多家头部企业。
据项目施工单位项目负责人李阳透露，该项目总投资2亿元，一期计划建设2栋生产车间和1栋综合楼。目前进度最快的2号生产车间正在进行一层顶模板支设和钢筋绑扎，预计本月底一层封顶，1号生产车间和综合楼同步推进建设，预计整个项目9月底施工完成，具备投产条件。
江丰同芯：
覆铜陶瓷基板项目进入投产阶段
5月14日，据“惠高新前洲发布”透露，江丰同芯年产720万片半导体芯片先进封装用覆铜陶瓷基板项目，成功产出第一块“无锡基地”覆铜陶瓷基板。
文章表示，这块承载着第三代半导体关键材料技术突破的基板，标志着总投资5亿元的新质生产力项目正式进入投产验证阶段。据悉，该项目于2025年8月启动厂房改造，2026年5月实现首片基板成功下线，且订单已趋于饱和。
官网显示，江丰同芯半导体材料有限公司，成立于2022年4月，由江丰电子材料有限公司控股，作为江丰电子第三代半导体产业布局的生力军，是专业从事功率半导体陶瓷覆铜基板（AMB、DBC）材料相关的集研发、 制造、销售于一体的先进制造型企业。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
其他人都在看：
SiC固态变压器成本1.5元/W？5大核心技术披露
12家企业新品亮相，SiC技术再升级
超17亿！3家SiC企业营收集体走高
行家说三代半 向上滑动看下一个
行家说三代半 写留言 ,选择留言身份
