国产SiC实现3项关键技术突破
近期，国内SiC领域迎来三项重要技术进展：
中天晶科：成功制备出12英寸碳化硅晶体；
浙江大学团队：首次实现厚度超300微米的SiC外延稳定制备；
中微精仪：在8英寸碳化硅激光剥离总损耗降至40微米以下。
中天晶科：
成功制备12英寸碳化硅晶体
5月10日，中天晶科（原名中电化合物）发文宣布，他们已成功突破12英寸碳化硅单晶生长技术。
据了解，在大尺寸碳化硅晶体领域的研发方面，早在2022年10月，中天晶科就制备出首块8英寸碳化硅晶体，2025年3月顺利制备出首块12英寸碳化硅晶体。
该公司表示，从2025年3月首块晶体出炉，到2026年5月正式对外公布，这中间的一年多时间，他们凭借深厚的技术储备，逐一攻克了大尺寸晶体生长中的核心难题。
浙江大学：
成功制备3万伏级SiC外延
5月13日，浙江大学杭州国际科创中心宣布，其先进半导体研究院团队，成功生长出厚度超过300μm的SiC外延。他们表示，这是国际上首次实现这一厚度级别的稳定制备。
据介绍，该研究院皮孝东教授和王蓉研究员团队，通过对SiC厚膜外延生长的设备、工艺、缺陷控制等方面开展了系统性攻关，最终开发出一整套超厚碳化硅外延薄膜生长与缺陷控制技术，成功制备出厚度达312μm的碳化硅外延片，表面致命缺陷密度低至0.75个/cm2。
为了解决SiC厚膜外延的“肖克利型层错”微观缺陷，提升SiC器件可靠性，该团队提出一项创新的后处理技术。
据介绍，他们采用低功率紫外光“扫描”材料表面，同时协同高温处理，可以促使缺陷内部的电子被抽取出来，可100%消除肖克利型层错，为超厚SiC材料的缺陷控制提供了全新思路。
该团队认为，新型智能电网配电网电压等级在1-3.5万伏之间、高铁接触网电压为2.75万伏、大型全电推进船舶的直流电网电压也可达数千至数万伏，这些领域将是3万伏级SiC器件的“用武之地”。
中微精仪：
8吋SiC激光剥离总损耗＜40μm
5月14日，中微精仪发文称，他们的激光剥离实现技术量产突破——8英寸碳化硅激光剥离量产的总损耗正式低于40μm。
中微精仪表示，目前8寸SiC主流量产激光剥离方案的SiC材料损耗长期稳定在60–80μm区间，难以突破降本增效瓶颈。
而他们的激光剥离设备可实现量产总损耗低于40μm，相较于行业主流 60–80μm的激光剥离加工方案，损耗降低30%以上；对比传统线切割工艺，其损耗降幅高达80%。
此外，通过智能闭环能量调控算法与精密光路优化，该公司的8英寸SiC单片剥离时长＜15分钟，加工效率较传统工艺提升20–30倍。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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