12家企业新品亮相，SiC技术再升级
近期，SiC新品迎来爆发期，罗姆、芯粤能、赛晶科技、比亚迪、方正微、飞锃半导体、芯塔电子、至信微、芯干线、泰科天润、奕能科技、晶丰明源、GE Aerospace等厂商密集亮剑，产品覆盖650V至6500V全电压等级，为新能源汽车、光伏储能、AI服务器电源、数据中心等高端场景提供了新方案，推动SiC功率器件产业进入高质量发展的全新周期。
罗姆：
第5代SiC MOSFET发布
4月21日，罗姆半导体宣布，他们开发出新一代EcoSiC™——第5代SiC MOSFET，该产品非常适用于xEV（电动汽车）、AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。
罗姆第5代SiC MOSFET通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将高温导通电阻（Tj=175℃）降低约30%。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。
另外，罗姆计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来，罗姆将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。
芯粤能：
推出第二代1400V SiC MOSFET
近日，芯粤能发文称，针对900V电驱平台，他们推出了第二代1400V SiC MOSFET芯片，导通电阻典型值11mΩ，比导通电阻（Rsp）降至2.4 mΩ·cm²，较上一代产品降低29%。
芯粤能第二代1400V SiC MOSFET芯片的实际击穿电压典型值约1700V。而且芯粤能为这颗芯片设计了一组叠加加严的分步考核方案：先在175℃结温下完成HTRB、HTGB各1000小时考核，再将温度提升至200℃，再次执行各1000小时，累计高温偏置应力达2000小时。测试完成后器件电参数稳定，未出现本征失效或显著劣化。
芯聚能V5系列功率模块采用大面积铜框架键合、低杂散电感端子设计以及二代水滴型PINFIN散热结构，在典型值900V的高压母线、冷却液入口温度65℃工况下，匹配芯粤能第二代1400V SiC MOSFET芯片，凭借充足的电压安全裕量，无需降额即可实现最高出流能力≥700Arms。
赛晶科技：
发布2300V SiC MOSFET
4月10日，赛晶亚太半导体宣布，他们基于成熟的m23技术平台，开发出适用于固态变压器应用的2300V SiC MOSFET器件。
据介绍，该产品在电压等级选择上实现了技术性能与系统成本的最优平衡：相较于1200V器件，2300V器件可支持两级拓扑结构，减少50%的子系统数量和系统复杂度；相较于更高电压等级（如6.5kV）器件，则在成本、导通损耗和商用成熟度方面具有显著优势。
该产品具备优异的静态和动态特性：在150°C结温条件下，导通电阻RDS(on）仅为45mΩ，开关损耗控制达到业界领先水平，充分满足固态变压器高频、高功率密度的应用需求。
比亚迪：
发布1500V SiC MOSFET
近日，比亚迪半导体宣布自主研发出TO-247-4 1500V SiC单管。这款产品搭载自研高性能SiC芯片，从根源上攻克传统器件短板，实现多项技术指标行业领先，成为兆瓦闪充2.0的核心动力引擎。
据介绍，此单管具备20mΩ极低单位面积导通电阻，能大幅降低充电过程中的能量损耗，减少器件发热，让充电过程更高效、更稳定；同时拥有更高的开关频率，可适配兆瓦闪充2.0的高速充电需求，显著缩短充电时长，让车主告别漫长等待。
方正微：
车规级G3 SiC MOSFET平台发布
4月26日，深圳方正微电子有限公司举行了G3平台新产品发布会。方正微电子副总裁彭建华介绍了公司全新一代车规级SiC MOSFET——G3平台系列产品。
方正微G3平台产品采用了业界领先的最新栅极和薄外延技术，首款产品为1200V /11mΩ SiC MOSFET芯片，芯片尺寸小于25mm²，但是常温性能做到Rdson为11mΩ，高温175°C的Rdson为19.96 mΩ。
飞锃半导体：
发布第四代SiC MOSFET
近日，飞锃半导体宣布即将推出全新一代碳化硅产品——SiC MOSFET 1200V Gen4 系列，主要包含三个规格：18mΩ、25mΩ、29mΩ，采用TO247-4封装。
相比上一代Gen3，飞锃Gen4系列在多方面实现显著提升，在大电流输出能力、长期运行可靠性、电能转换效率及安装适配性上全面突破，兼容各类电路拓扑与终端设计需求，通用性极强。
芯塔电子：
发布新一代SiC MOSFET
4月23日，安徽芯塔电子科技有限公司发布了新一代SiC MOSFET。
据介绍，芯塔电子的新一代SiC MOSFET是基于自主TOPE XM4.0工艺平台打造的突破性产品，在原胞设计、栅极工程及终端结构等核心层面实现全面革新，成功破解了高频工况下开关损耗与导通电阻的权衡难题、高可靠性与系统成本的平衡挑战，以及驱动复杂度与性能提升的固有矛盾。
在核心性能上，该产品实现跨越式升级：比导通电阻较上一代降低12%，RDS (on) 温升系数低至1.38（150°C/25°C），全温区低损耗特性显著；关断损耗较头部友商低50%，开关损耗达业界领先水平；体二极管反向恢复电荷比头部友商低 25%，可有效规避多管并联高频振荡风险，支撑功率系统高频低噪运行。
可靠性与鲁棒性方面，新品同样表现硬核：短路耐受时间突破3μs，雪崩能量可达 2.5J 以上，可承受瞬时过压冲击；高温IDSS漏电流较头部友商低2个数量级，关键可靠性项目通过2000小时以上加严验证，满足长期严苛服役需求。同时，产品阈值电压温度稳定性优异，抗dv/dt干扰能力可达150V/ns以上，支持15V—18V宽范围驱动电压，大幅简化客户驱动电路设计，降低适配成本，为多管并联大功率系统稳定运行提供坚实保障。
目前，芯塔电子新一代SiC MOSFET主流型号产品良率超99%，已进入客户批量试产阶段，可广泛应用于新能源汽车、光伏储能、算力中心、工业电源等场景，为全球碳中和战略下的功率转换效率、密度及可靠性需求提供优质解决方案。
至信微：
发布650V SiC JFET
今年4月，至信微推出全新量产级碳化硅JFET产品：650V 140mΩ SiC JFET。
据介绍，该器件具有优异的导通特性和耐压能力，能够显著降低系统导通损耗，提升整体能效。今年初，至信微还发布1200V SiC JFET产品，目前已在重要客户端验证通过，进入量产阶段。
芯干线：
推出1700V SiC MOSFET
今年4月，芯干线科技推出了1700V/5A SiC MOSFET，目标是满足当下工业电源、储能系统、高压工控设备持续向更高电压、更高效率、更高可靠性迭代的升级需求。
据介绍，芯干线1700V耐压、5A额定电流的SiC MOSFET，常温导通电阻典型值 1.0Ω，150℃高温仅 1.7Ω，内置碳化硅体二极管反向恢复时间仅25ns，反向恢复电荷15nC。
另外，该器件采用行业通用TO-247-3 直插封装，把高耐压、低损耗、易驱动、强散热四大优势集于一身，是高压工业辅助电源、开关电源、储能变流器等场景的理想选择。
泰科天润：
4500V SiC MOSFET平台发布
今年5月，泰科天润发文称，他们成功研制并全面推出高电压SiC MOSFET全系列器件，覆盖2000V、3300V、4500V、6500V。其中4500V低阻系列涵盖40mΩ、50mΩ、60mΩ三款核心规格，填补了国内外高端超高压SiC器件的市场空白。
该公司表示，2000V—4500V的国产碳化硅产品，将大幅降低固态变压器在系统的串联、冗余上的安全压力，充分提升系统的稳定性，同步降低系统复杂性和批量成本。随着国产碳化硅的发展，将有可能支撑固态变压器的兆瓦成本，推进到适合于大规模应用推广的20万上下。
奕能科技：
发布UHP系列主驱SiC模块
近日，奕能科技发布了适用于新能源汽车主驱逆变器的UHP系列主驱SiC模块。
该模块的阻断电压为1200V，漏极电流为900A，导通阻抗1.25mΩ，换流回路杂感，结流热阻0.0855K/W(@10L/min），适配SiC芯片4-8并联，支持混合开关方案定制开发。
晶丰明源：
推出碳化硅照明方案
近日，晶丰明源结合800V碳化硅 SiC MOSFET 器件优势，率先推出 BP3532GC、BP3532HC 系列产品。
据介绍，该方案在全功率范围内采用准谐振谷底导通与混合频率调节模式，集成恒压 + 恒流双闭环反馈控制，实现高精度电压输出与稳定的过载恒流控制；结合先进大贴片 EHSOP10 封装，在 200W 反激恒压电源应用中，系统效率可达 93% 以上，体积缩减 30%，有效拓展终端应用场景，进一步提升电源整体性能与可靠性。
GE Aerospace:
推出第四代SiC MOSFET
2025年11月，GE Aerospace宣布成功演示了第四代SiC MOSFET芯片，该芯片将提高开关速度、效率和耐用性。
据介绍，GE Aerospace最新一代SiC功率器件采用5mm X 5mm尺寸芯片，可提供1200V耐压和11mΩ的导通电阻，具有200°C的额定温度，适用于汽车、可再生能源、人工智能数据中心和工业电力等众多行业。
深圳平湖实验室：
完成多项SiC国产设备验证
近日，深圳平湖实验室发布了多份“国产化中试验证结果”，包括：
烁科中科信的SiC高温离子注入设备；
成都莱普科技的8吋SiC晶圆激光快速退火设备；
大族半导体的Si隐切DSI-S-TC9221、SiC隐切DSI-S-TC9320、激光开槽DA100-A6 PRO；
华海清科的8吋SiC化学机械研磨设备；
其中，联动科技的功率器件测试系统QT-4100；
矽电半导体的全自动探针台PT-9200；
博测锐创的半导体参数测试仪PST6747A；
同惠电子的功率半导体器件PIV特性测试系统TH500；
润华全芯微的8吋涂胶显影设备。
据介绍，这些设备的各项指标均达到同类设备技术标准和规范，性能满足产品工艺要求。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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