近10家车企/Tier1厂商公布嵌入式SiC模快
前不久，“行家说三代半”报道了北京车展的最新SiC车型（点击链接），除了车企大放异彩外，不少Tier1厂商与SiC企业也在车展上集中亮相。
据不完全统计，此次参展的Tier1厂商与SiC企业主要包括星驱科技、赛力斯动力、浩思动力、精进电动、联合电子、株洲中车、博格华纳、法雷奥、博世、重庆青山工业、上海电驱动、方正微电子、昕感科技、派恩杰半导体、芯合半导体等，集中展示了车规SiC应用的技术积淀与创新实力。
“行家说三代半”调研发现，广汽、小鹏等车企、Tier1厂商与SiC企业在此次车展上披露的车规SiC技术及产品主要有以下几大亮点：
8家企业公布嵌入式SiC模块产品，行业布局速度加快；
7家车企/Tier1厂商齐推基于SiC的混动/增程技术，渗透程度提高；
11家企业发布高压SiC车规产品，针对800V及以上电压架构。
嵌入式模块布局加快
8家企业公布新进展
去年以来，长安汽车、广汽昊铂、保时捷、深蓝汽车等整车企业，以及博世、舍弗勒、联合电子等Tier 1供应商，相继宣布采用或布局嵌入式碳化硅模块技术，进一步推动了该技术在新能源汽车及电驱动领域中的应用进程。
本次北京车展上，“行家说三代半”发现仍有多家企业推出嵌入式模块产品，彰显该技术从预研走向量产的行业趋势。
广汽集团
广汽此次展出一款嵌入式SiC芯片功率模块，尺寸为160x95mm，电压等级为900V，峰值电流为500Arms，热阻为0.116K/W，杂散电感仅为1.54nH。据“行家说三代半”此前报道，2025年8月，广汽集团透露在增程器的发动机端应用碳化硅电控系统等技术，搭载嵌入式功率模块，体积减小80%，电控最高效率达99.9%，在1000V高压平台下驱动电机功率密度达17.29kW/kg，电驱系统CLTC工况效率高达93%。
星驱科技
星驱科技透露，他们在前沿预研端，推出两大创新产品：三电平产品、嵌入式电机控制器，后者采用的是板内嵌入式的封装，加分体式的激光焊接精密工艺，产品尺寸为342*320*138mm，峰值效率达到99%，峰值功率为386kW，峰值电流为500Arms，电压范围为210-1066V，杂散电感控制在2nH以内。
星驱科技成立于2021年，是吉利控股集团旗下的路特斯集团、吉利汽车集团等多方股东合资成立的高性能电驱动公司，团队在动力传动系统和电子元件领域拥有近20年的研发和制造经验。
联合电子
联合电子在展会上也亮相了嵌入式功率模块产品。据了解，联合电子嵌入式逆变砖采用嵌入式功率PCB与驱动电路集成技术，使功率模块与驱动电路的高度降低70%。
联合电子开发的嵌入式逆变砖功率覆盖100kw~350kw，峰值功率密度最高达到200kW/L，与当前市面上最高功率密度的逆变器比提升了66%。由于更高的开关速度，嵌入式逆变砖可将SiC开关损耗做到最低，将SiC的效率发挥到极致，CLTC工况效率约为99.5%。
青山工业
据RIO电驱动报道，青山工业在车展公布的嵌入式功率砖产品电压平台为800V，尺寸为160*137*50mm，峰值效率达到99%，峰值功率为400kW，峰值电流为660Arms。
上海电驱动
上海电驱动此次展出一款嵌入式PCBA产品，漏源级电压可达1200V，导通电阻为2.65mohm，持续电流为460A，脉冲电流为1656A，最高温度为200℃，杂散电感小于2nH。
株洲中车
株洲中车此次亮相的嵌入式模块采用六并联设计，杂散电感低至2nH。通过进一步优化叠层结构，未来有望将这一数值降至1nH以下。相比之下，常规HPD模块的杂散电感为10nH，塑封模块为6nH。
博世
本次车展，博世汽车电子展示了三大核心产品线， 聚焦功率电子、MEMS传感器、车用集成电路（IC）及知识产权（IP）模块。据博世透露，他们的碳化硅芯片配合先进的嵌入式印刷电路板功率封装技术，将全面释放系统级效能。
实际上，博世在去年就公布了嵌入式模块的进展，该公司开发的嵌入式模块可承载超过400A的电流与200kW以上的功率，模块内部杂散电感仅为1-2nH，系统层面也控制在7-8nH。
派恩杰半导体
派恩杰半导体亦重点展示了嵌入式功率模块。据其介绍，派恩杰半导体的超低寄生电感嵌入式模块，每个开关位置采用4颗碳化硅芯片并联，在三相无功加载测试中，基于800V直流母线、360Arms、10kHz开关频率条件下，其结温仅不到120度。
SiC加速渗透混动领域
7家车企/Tier1齐推新技术
近年来，SiC在混动车型的渗透速度不断加快，成为车企及Tier1厂商提升产品竞争力的关键突破口，众多企业纷纷加速技术布局与产品落地。
本次车展上，小鹏、吉利、赛力斯等整车企业，以及浩思动力、星驱科技、青山工业、博格华纳等Tier1供应商围绕混动、增程等技术路线，集中展示了搭载SiC模块的最新产品。
小鹏汽车
小鹏汽车在展会现场重点展示了其800V混合碳化硅同轴电驱和鲲鹏超级增程技术。据悉，800V混合碳化硅同轴电驱CLTC效率达到93.5%，碳化硅用量可降低70%；鲲鹏超级增程技术包括超静谧无感增程器和深度集成高压油冷发电机，后者碳化硅用量可降低9%。
吉利汽车
吉利汽车在现场展示了吉利雷霆11合1混动电驱产品，其峰值功率为175kW，系统功率为92.8%。同时，他们还展出用于雷霆电驱等平台的三电平碳化硅高效技术与Si/SiC混合并联技术。
赛力斯动力
赛力斯动力携第五代赛力斯超级增程系统及2.0T超级增程亮相问界展台。他们的2.0T超级增程系统采用800VSiC高压发电系统，最高效率达到96.7%，发电功率高达120kW。
浩思动力
浩思动力在车展上展示DHT290混动专用变速器与首款14合1集成DHTS超混平台（DHTS210）产品。其中DHT290采用1200V碳化硅功率模块技术，电控效率 99.8%，驱动电机最大功率290KW，扭矩高达 400N·m。DHTS超混平台搭载高性能SiC功率模块，整机重量降低30%，整机效率(WLTC)为93%。
此外，浩思动力围绕稀燃甲醇增程系统与甲醇灵活燃料增程系统构建多路径技术方案，其中稀燃甲醇增程系统的功率模块搭载SiC芯片与浸没式冷却系统，功率密度提升63%。
星驱科技
在电驱领域，星驱科技带来了可覆盖混动与纯电的多款高效、高集成电驱总成产品，其中包括900V 高性能镁铝合金同轴双电驱总成。据了解，该产品已经搭载于极氪混动车型极氪 8X 、纯电车型焕新极氪001。
据“行家说三代半”此前报道，2026年4月，安森美宣布，与吉利汽车集团已达成更广泛的全球战略合作，吉利的SEP浩瀚超级电混系统采用安森美EliteSiC功率技术。
青山工业
在车展现场，青山工业系统展示了公司GI-Drive2.0电驱平台的全系列产品，其拥有混动、电驱两大集成平台，混动覆盖P1至P13主辅驱产品线，电驱则打造了60kW-400kW的全功率段产品家族，可全面适配纯电、插混、增程等多技术路线。
据了解， GI-Drive2.0采用分布式驱动，通过碳化硅功率模块与油冷电机技术，在系统最高效率，功率密度、重量、体积等方面相比第一代都有较大提升。
博格华纳
博格华纳在现场推出了一款电机电控与ECU集成三合一发电系统，其专为增程汽车动力电池模块充电而设计的发电系统，兼容IGBT与SiC设计，适应400-800Vdc宽电压输入。
聚焦高压车规SiC产品
11家企业透露新进展
除了以上技术外，SiC在高压电驱、高压电控的渗透也在加速，不少SiC企业及电驱厂商纷纷发力，推出针对800V以上电压架构的高压产品。
星驱科技
星驱科技在车展上透露，他们的900V高压全系列电控产品已经量产落地，涵盖单电控和双电控两大产品线，全系搭载车规级碳化硅的功率模块，已经批量交付多款900V高压平台的车型。
精进电动
精进电动携多项先进电驱技术亮相北京车展，包括800V平台高功率大扭矩碳化硅三合一电驱动系统(带直磁型机械差速锁)等。
他们还发布了商用车电驱桥的新一代油冷三合一电驱总成。电控则采用最新一代SiC碳化硅模块，控制器效率达到极致。这些措施也降低了总成的重量，比竞品轻10kg左右。系统的效率提升2%–3%，每年可以为用户节省数千元电费支出。
株洲中车
株洲中车在官微透露，他们历经五代产品迭代，以功率砖为核心单元，结合扁线电机工艺平台，中车电驱已实现从部件小型化到场景多样化的全面覆盖，正式迈进“5.0平台时代”。
值得关注的是，株洲中车在2025年年报中披露，他们完成了第五代纯电高压SiC多合一电驱产品平台研制，纯电高压SiC多合一总成功率密度达到 4.42kW/kg，CLTC 工况效率达 93.52%。
法雷奥
法雷奥携ePower系统、智能热泵、座舱监控系统、ADAS激光雷达清洗方案、全域智能照明系统、eACCESS平台等前沿成果重磅亮相，其中包括800V SiC逆变器。
博格华纳
博格华纳此次在车展推出了多款基于SiC技术的最新产品，主要包括DHT双电机控制器（兼容碳化硅芯片）、iDM集成式电驱动系统（iDM180采用SiC模块）、800V SiC逆变器、商用车800V SiC电机控制器、电机电控与ECU集成三合一发电系统（兼容IGBT与SiC设计）、双速电驱动变速箱（内部集成800V SiC逆变器），受到现场的广泛关注。
上海电驱动
上海电驱动除了嵌入式PCBA产品外，还重点展示了800V SiC逆变砖、800V SiC控制器等产品，透露其在SiC领域的持续布局。其中800V SiC 逆变砖峰值输出电流为425Arms，最高效率为99.3%。
博世
博世展出了最新发布的第三代碳化硅芯片，全面覆盖750V至1700V电压等级，综合性能较上一代提升约20%，在800V高压场景下展现出较好的能效与成本优势。
博世表示，他们正加速推进8英寸晶圆产线升级，并斥资约19亿欧元建设美国罗斯维尔制造基地。通过德美双中心布局，中期年产能将迈向数亿颗量级。
方正微电子
方正微电子在车展举办车规主驱SiC MOSFET出货量超3000万颗里程碑暨G3平台新产品发布会。
据悉，方正微电子最新一代G3平台首产品1200V /11mΩ SiC MOS芯片，Die size小于25mm²，常温性能做到Rdson 11mΩ，高温175°C下Rdson为19.96mΩ。针对相同模块输出电流能力，客户仅用4颗芯片并联替代就可以实现当前国际主流方案的6颗芯片并联，仅此一项可以帮助客户实现单电机成本降低40%。
昕感科技
昕感科技这次带来的HPD碳化硅模块采用先进封装与高效散热设计，适配800V–950V高压平台，全面符合AQG-324车规标准，适用于中高端电驱系统；MiniHPD碳化硅模块则在保持可靠性的前提下缩小封装尺寸，为空间紧凑的电驱布局提供更灵活的方案。
派恩杰半导体
派恩杰携SiC核心前沿技术成果——SST（固态变压器）方案、SSCB（固态断路器）方案以及SiC JFET、嵌入式功率模块、半桥模块等车规级产品亮相展会。据了解，他们在650V-6500V多个电压平台已发布百余款不同型号的SiC SBD、SiC MOSFET、SiC MODULE以及SGT MOSFET产品。
芯合半导体
本次参展，芯合半导体重点展出1200V 12mΩ、1200V 35mΩ两款SiC MOSFET以及1200V HPD碳化硅功率模块。两款SiC MOSFET兼具高耐压、低损耗、耐高温等性能优势。其自主研发的SiC功率模块已顺利通过AQG324车规级认证，可高度适配电驱逆变器及800V高压平台主流应用场景。
行家说车规SiC峰会
如今，北京车展已经告一段落，但SiC在汽车领域的发展却不会停歇。展望未来，行业需要进一步探讨SiC上车的核心逻辑、成本下降路径及技术布局方向，以获取更大的发展机遇。
6月3日，行家说将在上海举办【碳化硅赋能未来：数据中心·电驱·能源技术应用创新峰会】，并特别开设【电动交通与SiC技术协同创新研讨会】专场，邀请终端企业、器件厂商等各环节代表参会，共探行业发展。
大会目前已获得三菱电机、三安半导体、天岳先进、东微半导体、普兴电子、中国电科55所、北京中电科、科利金、普源精电、Wolfspeed、昕感科技、上海诚帜、常曜电子、羿变电气、元山电子、狮门半导体等企业的参与支持，具体议程如下，欢迎各位行家扫码报名，共同交流！
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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