数百位行业精英汇聚，共推800VDC数据中心落地
2026年4月10日，800VDC数据中心能源变革——储能与第三代半导体协同发展论坛在深圳成功举办。本次论坛聚焦AI算力与双碳战略下数据中心供电架构升级，汇聚数据中心、电源、半导体、储能等领域数百位专业人士参会，共同探讨下一代绿色高效数据中心能源解决方案，为AI算力基础设施革新凝聚行业共识。
本次论坛邀请天合储能、金威源、明义微、士兰微、普源精电、纳芯微、赛晶半导体等多家领军企业发表重磅演讲，并得到伊莱诺瓦储能、德汇电子等企业的参与支持，同时汇聚中兴、施耐德、阳光电源、长城电源、浪潮信息、科士达、麦格米特、特变电工、智光电气、禾迈电力、永泰数能、科陆电子、中达电通、奥海科技、英博御星、南瑞集团、广汽、东风汽车、比亚迪、欣锐科技、盛弘电气、山特电子、恩玖科技等终端企业代表，共同助力800VDC数据中心技术加快规模化落地，夯实AI时代算力能源底座。
值得关注的是，今年6月3日，“行家说三代半”还将在上海举办【碳化硅赋能未来：数据中心·电驱·能源技术应用创新峰会】，进一步探讨SiC半导体在AI算力基础设施、固态变压器、交通电动化及数字能源等领域的创新应用与系统解决方案，欢迎大家莅临参会！
直击现场
行家说Research
研究总监 方晖
行家说报告：800VDC数据中心市场规模及趋势分析
会议现场，行家说 Research 研究总监方晖首先带来《800VDC 数据中心市场规模及趋势分析》专题演讲，为现场听众深度拆解 800VDC 数据中心产业发展脉络，精准剖析市场增长逻辑与未来演进方向。
方总监在演讲中重点梳理了800VDC数据中心的市场发展现状，结合产业链环节状况，明确了当前市场的核心规模与增长驱动因素。同时，他深入解读了800VDC技术在数据中心节能降本、架构升级中的核心优势，剖析了未来 3-5 年市场的发展趋势、技术迭代路径及潜在机遇，为业界把握 800VDC 数据中心产业风口提供了清晰的方向指引。
天合储能
全球产品管理负责人 李明
天合储能AIDC全域融合解决方案
天合储能全球产品管理负责人李明带来了《天合储能AIDC全域融合解决方案》专题报告，以算电协同助力新型电力系统建设。
他提出，AI算力需求井喷带动全球数据中心用电量高速增长，年增速远超其他行业，传统供配电方案已难以适配AIDC高密、高敏、高耗的发展需求。天合储能推出的AIDC全域融合解决方案，以“源储构网为基，配荷高效为核”，打造能源生产、储存、配送到消费的端到端全链路体系，从电网到芯片重构AIDC能源流，将树立行业能效与系统协同新标杆。
金威源
总工程师 蒋中为
10kV直供芯片：面向超大规模AI供电的两级架构
金威源总工程师蒋中为发表《10kV直供芯片：面向超大规模AI供电的两级架构》报告，分享从电网到机柜芯片的两级供电架构创新。
据悉，传统数据中心的多级电力转换面临多重问题，每一级电压转换都会产生能量损耗，转换路径越长，整体能效越低。为此，金威源摒弃多级冗余，针对800VDC数据中心应用，通过SST与矩阵变换实现“ 10kV→800V→ 1.2V” 直达供电 ，损耗降至理论极限，峰值效率突破99%，即使在低负载情况下 ，系统依然保持着极高的效率，确保了全工况下的能效最大化。
明义微
解决方案部总监 杨周
AI的尽头是电力—数据中心供电挑战与GaN方案破局之道
明义微解决方案部总监杨周在论坛上分享了《AI的尽头是电力—数据中心供电挑战与GaN方案破局之道》主题演讲，针对GaN在AI高密度电源中的应用优势与发展前景作出了具体分析。
杨总监表示，随着AI芯片功耗与供电电流的持续飙升，传统板载DC电源方案的固有设计瓶颈逐渐暴露，但未来板载DC电源将朝着“芯片级供电集成、一体化协同设计、高效率低损耗”的方向持续进化，采用高效GaN器件可以凭借极低的开关损耗特性，为板载DC电源的稳定运行提供保障，实现架构革新与技术升级的双重突破。
士兰微
器件成品产品线市场总监 伏友文
开放共建，协同创新，士兰共筑AI智能数据中心“芯”未来
聚焦数据中心的电源系统应用，士兰微器件成品产品线市场总监伏友文在大会上分享了《开放共建，协同创新，士兰共筑AI智能数据中心“芯”未来》主题演讲。
伏总监表示，随着人工智能技术快速发展，数据中心作为数字经济重要基础设施，对能源消耗需求日益增加。依托在功率半导体领域的深厚积累，士兰微电子可为人工智能数据中心电源系统提供了“功率器件 + 电源管理IC”整体解决方案，包含SiC、GaN、DPMOS、LVMOS等产品系列，全面支持AI服务器电源系统中SST、HVDC、PSU、IBC、Hotswap、BBU、VRM等应用。
普源精电
技术市场经理 王芳芳
800VDC数据中心电源架构下SiC/GaN功率器件动态特性测试
普源精电技术市场经理王芳芳在大会上发表《800VDC数据中心电源架构下SiC/GaN功率器件动态特性测试》主题演讲，助力功率器件精准选型与驱动优化。
论坛现场，王经理分享了800V母线电压下SiC MOSFET双脉冲实测数据，直观揭示高压应用中极易被忽视的隐性风险，包括串扰误导通、关断电压尖峰超限、反向恢复引发桥臂直通等行业常见隐患。同时，她还进一步结合实测案例，解读测试波形的专业评判标准，帮助电源工程师从器件准入到系统验证实现全链路可靠性保障。
纳芯微
技术市场专家 刘建栋
面向800VDC数据中心的SiC&GaN驱动技术及应用
纳芯微技术市场专家刘建栋在大会上发表《面向800VDC数据中心的SiC&GaN驱动技术及应用》主题演讲，重点分享如何应对AI数据中心电源变革带来的驱动方案挑战。
他指出，AI数据中心供电架构的变化不可避免地催生了新拓扑、新控制策略以及新器件的广泛应用。栅极驱动IC作为电源系统中除主控芯片和功率器件之外最为关键的芯片，已然处于这场变革的核心位置。为此，纳芯微推出了面向数据中心应用的第三代半导体专用驱动技术，精准满足了不同SiC、GaN器件的驱动需求。
赛晶半导体
研发主管 Nick Schneider
用于SST应用的2300V SiC MOSFET
赛晶半导体研发主管Nick Schneider在大会上发表《用于SST应用的2300V SiC MOSFET》主题演讲，正式发布面向下一代数据中心能源系统的2300V碳化硅功率器件解决方案。
据Nick Schneider介绍，赛晶亚太半导体基于成熟的m23技术平台，开发出适用于固态变压器应用的2300V SiC MOSFET器件，在150°C结温条件下，导通电阻RDS(on)仅为45mΩ。该产品在电压等级选择上实现了技术性能与系统成本的最优平衡：相较于1200V器件，2300V器件可支持两级拓扑结构，减少50%的子系统数量和系统复杂度；相较于更高电压等级（如6.5kV）器件，则在成本、导通损耗和商用成熟度方面具有显著优势。
行家说三代半
研究总监 张文灵
行家说报告：中美800V数据中心技术演进及核心部件迭代路径
行家说三代半研究总监张文灵在大会上发表《行家说报告：中美800V数据中心技术演进及核心部件迭代路径》主题演讲，为与会者深度拆解全球 800VDC数据中心技术发展脉络，厘清中美技术路线差异与核心部件演进逻辑。
张文灵研究总监在演讲中系统梳理了中美800V数据中心的技术发展历程与当前格局，对比分析了不同厂商在供电架构、应用场景上的差异化路径。同时，他重点拆解了数据中心核心功率器件、电源模块等关键部件的技术迭代方向与性能升级需求，深入解读了第三代半导体在800V架构中的核心价值与应用前景，为业界把握800V数据中心技术演进趋势提供了清晰指引。
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本次800VDC数据中心能源变革论坛的成功举办，为储能与第三代半导体产业的深度融合搭建了高端交流平台。展望未来，行业将继续凝聚多方智慧，加速技术创新与成果转化，携手推动800VDC架构规模化落地，为 AI 时代算力基础设施的绿色高效发展注入源源不断的动力。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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