南砂晶圆4大SiC创新产品亮相，已批量供货头部客户
3月25日至27日，南砂晶圆携多款产品惊艳亮相SEMICON China 2026，不仅全面展现其在大尺寸、高性能SiC衬底领域的全系列布局与技术优势，更凭借优异性能获得多位现场客户的高度认可。
“行家说三代半”走访发现，此次南砂晶圆的展品主要有4大亮点，分别是12英寸4H-单晶SiC衬底、8英寸导电型SiC衬底、光学级SiC衬底、热沉级SiC衬底，在技术及市场领域实现了双向突破：
12英寸SiC衬底：达到商用8英寸衬底水平，已成功导入AI芯片封装头部企业；
8英寸导电型SiC衬底：实现零微管、零层错、零腐蚀TSD，已对国内外头部企业批量供货；
光学级SiC衬底：TTV＜1μm，已实现对行业头部企业的稳定批量供货。
热沉级SiC衬底：精准匹配高功率激光器等应用，可使系统工作温度在70W时降低45℃。
12英寸4H-单晶SiC衬底
本次展会上，南砂晶圆隆重展示了12英寸4H-SiC单晶SiC衬底系列，覆盖12英寸N型导电衬底、12英寸光学级衬底两大产品，均具备低缺陷、高均匀性、高一致性的优越性能，标志着国产大尺寸 SiC 衬底技术再获关键突破。
据了解，南砂晶圆已成功构建完整的12 英寸SiC单晶生长与加工技术体系，通过制备低应力12英寸4H-SiC籽晶，成功生长出低位错密度导电型晶体与光学级晶体，最终实现低缺陷12英寸4H-SiC单晶衬底的稳定制备，为大尺寸SiC衬底的规模化量产奠定了坚实的技术基础。
在核心性能层面，南砂晶圆的12英4H-SiC衬底实现了多方位突破，可适配多元场景的定制化需求。针对衬底电阻率，南砂晶圆可实现从低阻到高阻的完整覆盖，其中低阻区间为 0.015-0.025Ω・cm，中阻区间为 0.1-1Ω・cm，高阻区间大于1E5Ω・cm，能够满足不同器件与应用的差异化要求。
在晶型纯度、缺陷控制、工艺精度等核心维度，该系列产品同样达到行业领先水平：晶型纯度实现4HSiC 100%，无杂相干扰；总厚度变化（TTV）≤1μm，实现极致厚度均匀性；微管密度低于0.01个/cm²，达到近乎零微管的超高晶体完整性；螺位错密度低于2个 /cm²，大幅降低器件失效风险；同时（004）面的 XRD 摇摆曲线半峰宽仅为 20.8 弧秒，充分验证衬底的高结晶质量。
这表明，南砂晶圆研发的12英寸SiC衬底在4H晶型、微管密度、电阻率、螺位错密度等方面已经达到了当前商用8英寸衬底水平，可适配下游高端应用的严苛要求。
依托优异的材料性能，南砂晶圆12 英寸SiC衬底已切入多个高端赛道，实现技术与市场的双向突破。该产品可作为 AR 眼镜核心光学材料，为AR光学系统提供高性能材料支撑；同时适配 AI 算力硬件与高端热管理场景，满足高算力芯片的严苛热管理需求。
目前，南砂晶圆12英寸产品已成功导入AI芯片封装头部企业，开展相关验证工作，为大尺寸SiC在AI领域的规模化应用奠定坚实基础。
8英寸导电型SiC衬底
随着多条8英寸晶圆产线的落地与投产，市场对 8 英寸SiC衬底的需求正呈现急剧爆发之势。目前，南砂晶圆在 8 英寸导电型SiC衬底领域已实现关键技术突破，以自主可控的核心工艺打造出行业领先水平的产品，推动国产大尺寸 SiC 衬底规模化应用再上新台阶。
据了解，南砂晶圆率先突破8英寸SiC单晶扩径瓶颈，形成了具有完全自主知识产权的高效高质量扩径技术，实现了从2英寸到8英寸的全自主扩径，彻底打通大尺寸SiC 晶体生长的核心链路。在此基础上，南砂晶圆进一步过攻克8英寸体系下组分控制、多场耦合、应力控制等行业共性难题，成功制备出高质量8英寸单晶衬底，构建起成熟稳定的8英SiC衬底量产技术体系。
如今在晶体缺陷控制这一核心壁垒上，南砂晶圆实现了里程碑式突破，成功攻克超低缺陷密度8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备技术，实现了“零微管、零螺位错密度、零层错”的8 英寸4H-SiC单晶衬底制备，同时基平面位错密度稳定控制在200cm-2以下，片内电阻率不均匀性低至1%以下，关键性能指标达到行业领先水平。
为进一步保障产品品质，他们还引入XRT 测试技术，实现晶体缺陷的精准检测与管控，持续降低晶体缺陷，全面提升产品一致性与可靠性。
依托成熟的量产工艺与顶尖的性能表现，南砂晶圆8英寸导电型SiC衬底已实现对国内外头部企业的批量供货，充分验证了产品的可靠性与量产稳定性，为下游SiC功率器件的规模化降本提供了核心支撑。
光学级SiC衬底
在AR/VR等下一代消费电子硬件加速迭代的浪潮中，SiC衬底作为光波导核心材料之一，其性能直接决定了光学设备的视场角、亮度、轻薄度与长期稳定性。
南砂晶圆依托在SiC材料领域的深厚技术积累，已推出覆盖 4-12 英寸全尺寸的光学级高纯4H-SiC衬底产品，为AR光波导技术突破提供关键材料支撑，目前已实现对行业头部企业的稳定批量供货。
针对AR行业对光学衬底 “高折射率、高透过率、低色散” 的核心供应需求，南砂晶圆已构建起光学级SiC晶体与衬底的完整量产能力。如今，南砂晶圆成功实现8英寸光学级4H-SiC衬底的批量生产，关键技术指标达到行业顶尖水平：实现零微管缺陷，吸收率＜0.2%，厚度总变化（TTV）＜1μm，局部厚度变化（LTV）＜0.5μm，其优异的面型参数能有效满足 AR 光波导的严苛使用条件。
从核心性能来看，南砂晶圆光学级SiC衬底具备高折射率、高透过率、高热导率三大核心优势。首先，南砂晶圆光学级SiC衬底的折射率大于2.63，远超传统玻璃材料折射率水平。凭借超高折射率，利用单层SiC镜片即可实现80度以上视场角（FOV），同时能有效解决传统光波导方案的彩虹纹与色散问题。
其次，南砂晶圆光学级SiC衬底在可见光波段具备优异的高透过率，根据GB/T7962.12-2010 标准测试，10m厚度样品的红、绿、蓝三波段内透射比分别达到99.65%、99.25%、97.15%，说明其可显著减少光损耗，大幅提升AR画面亮度。
最后，依托高热导率等材料特性，南砂晶圆光学级SiC衬底可解决AR设备长期存在的热堆积难题，为AR眼镜的轻量化设计提供核心支撑。该产品还兼容高精度刻蚀工艺，支持表面浮雕光栅（SRG）光波导结构的高效制备，助力AR设备实现轻薄化设计与量产良率提升。
依托三大核心性能优势，南砂晶圆光学级SiC衬底可用于打造薄至0.55mm、仅重2.7的AR光波导镜片，在满足极致轻薄需求的同时，保障光学性能与结构可靠性，为消费级 AR 眼镜的规模化量产奠定坚实的材料基础。
热沉级SiC衬底
此次展会上，南砂晶圆还正式推出覆盖4-12英寸全尺寸的热沉级SiC衬底产品，进一步完善了其在SiC衬底领域的产品布局。
依托SiC材料极佳的本征热导率，南砂晶圆的热沉级SiC衬底为高功率激光器、数据中心光模块等对散热要求极高的场景提供了高效散热解决方案。一方面，在高功率激光应用场景中，SiC 的散热效能优势尤为突出：在 30W 及以上功率工况下，SiC散热表现显著优于传统氮化铝（AlN）材料，且功率越高优势越明显。
另一方面，根据实测数据显示，SiC热沉可使系统工作温度在30W时降低12.5℃，70W时降幅高达45℃；在＞60W的高功率区间，SiC仍能保持稳定散热，而氮化铝已出现严重热淤积，直接导致激光寿命衰减。相比之下，南砂晶圆热沉级SiC衬底能有效解决高功率场景的散热瓶颈。
目前，南砂晶圆热沉级SiC 衬底已形成 4-12 英寸全尺寸量产能力，可精准匹配光纤激光器和激光显示等高端产品的定制化需求，为其高质量发展注入核心材料动力。
此次SEMICON China 2026参展，南砂晶圆集中推出四大创新SiC衬底产品，全面展现其在碳化硅领域的技术积淀与产品实力。未来，南砂晶圆表示他们将持续深耕SiC衬底核心技术、迭代产品性能，与行业伙伴深度协同、携手共进，持续赋能下游各领域应用升级，共筑第三代半导体产业发展新生态。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
其他人都在看：
利普思：扬州产线开工建设，加速布局电网和算力中心
国产10kV SiC实现量产交付，该企业攻克了哪些难题？
丞达精机：一季度实现开门红，SiC领域双突破
行家说三代半 向上滑动看下一个
行家说三代半 写留言 ,选择留言身份
