铭扬半导体：单片SiC CMP成本控制在百元级别
回顾2025年，碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果，同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既迎来技术突破与场景扩容的新机遇，也面临产业优化与市场竞争的新挑战。
为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2026》专题报道。本期嘉宾为铭扬半导体总经理刘鹏。后续，我们将持续邀约更多行业领军企业与权威人士参与《行家瞭望2026》专题，带来深度洞见与前沿观点，敬请持续关注。
深耕半导体CMP赛道
TTV可控制在1μm级别
行家说三代半：过去一年，贵公司第三代半导体（SiC/GaN）业务主要做了哪些关键性工作？
刘鹏：铭扬半导体是一家专注于CMP装备与工艺平台的公司。公司在2022年成立，但团队成员大多来自半导体国际头部设备行业，CMP领域平均经验超过15年。
我们从SiC CMP工艺起步，逐步拓展到Poly-SiC、GaN、GaAs、大尺寸硅片、先进封装相关材料，未来我们的目标是打造一个多材料兼容的CMP加工平台。
行家说三代半：2025 年贵公司的第三代半导体（SiC/GaN）业务取得了哪些成绩？
刘鹏：过去一年，我们在多个方向取得进展：
CMP设备平台逐渐成熟；
已在多家下游客户完成工艺验证并逐步实现量产导入；
工艺能力持续优化。
同时，公司也在不断推进：大硅片，Device和先进封装相关应用。
行家说三代半：对SiC/GaN产业而言，贵公司的CMP平台具备哪些独特性优势？
刘鹏：在当前第三代半导体制造中，我们的CMP平台有几个比较明显的特点。
一是多材料兼容平台。我们的设备平台支持SiC、Poly-SiC、GaN、GaAs、大尺寸硅片，同时兼容不同晶圆厚度、衬底加工、器件图形片加工。
二是高精度CMP指标。在大部分工艺条件下，TTV可控制在1μm级别。此外，通过设备结构设计与工艺优化，我们重点提升了表面均匀性、批次一致性、长周期稳定性运行。
三是百元级单片加工成本。在规模化工艺条件下，通过优化抛光结构、工艺改进、Slurry使用效率、耗材管理，单片CMP加工成本可以控制在百元人民币级别。这对于第三代半导体产业降低制造成本非常关键，未来还有进一步降价的空间，我们一直持续优化。
四是12英寸CMP平台。铭扬半导体正在推进12英寸CMP设备平台的验证与优化。这一平台不仅面向第三代半导体材料，同时也可以支持大尺寸硅片加工、先进封装相关工艺、Device制造领域。我们希望通过 12 英寸平台，为未来材料和器件制造提供更加灵活的设备能力。
业界聚焦量产提质降本
CMP工艺把控良率命脉
行家说三代半：如果用一个关键词总结回顾2025年的第三代半导体（SiC和GaN）产业发展，您会用哪个词？为什么？
刘鹏：如果用一个关键词总结2025年第三代半导体产业的发展，我会用 “量产深化”。
过去几年SiC与GaN更多处于技术导入阶段，而2025年开始，产业关注点明显转向 稳定量产、成本优化与工艺成熟度。
在功率器件制造过程中，CMP作为关键表面加工工艺，直接影响TTV（Total Thickness Variation）、LTV（Local Thickness Variation）、表面粗糙度Ra、表面缺陷，这些指标最终决定器件良率、可靠性以及后续外延或器件制造的稳定性。
随着产业进入规模化阶段，CMP正在成为第三代半导体制造中 影响良率与成本的重要工艺环节。
行家说三代半：您认为，从整个第三代半导体产业角度，2025年有哪些可圈可点的进步或者成绩？
刘鹏：随着晶圆尺寸升级和器件结构复杂化，对CMP工艺的TTV、LTV和表面缺陷控制能力提出了更高要求。
2025年产业有几个明显趋势，具体如下：
一是应用领域持续扩展。除了新能源汽车和工业电源，随着AI算力需求快速增长，数据中心电源对高效率功率器件需求明显提升，这也成为SiC与GaN应用增长的重要驱动力。
第三代半导体开始进入更多新应用，例如AI数据中心电源、AR/VR智能眼镜、先进封装、工业机器人、储能系统。这些应用对功率密度、效率和散热性能提出更高要求，因此SiC与GaN的产业价值正在不断提升。
二是晶圆尺寸持续升级。大尺寸衬底对设备提出更高要求，例如TTV、LTV、Roughness、Wafer to Wafer Uniformity。
三是制造工艺成熟度提升。在第三代半导体制造中，CMP不仅影响晶圆表面质量，也影响后续外延、器件制造以及封装良率。因此行业对高稳定性CMP平台的需求正在快速提升。
SiC&GaN产业成熟进阶
铭扬推进12英寸CMP平台
行家说三代半：如果用1个关键词展望未来5年的第三代半导体行业的发展，您会用哪个词？请展开谈谈您的看法。
刘鹏：如果用一个关键词来展望未来五年第三代半导体行业的发展，我认为是“成熟”。
过去几年第三代半导体产业经历了快速扩张阶段，而未来五年将逐步进入规模化与成熟化发展阶段。新能源汽车、AI数据中心、电源管理以及储能系统等应用需求持续增长，将推动SiC与GaN器件进一步扩大市场规模。
与此同时，产业链也会逐步完善，包括：
更稳定的衬底质量；
更成熟的外延与器件工艺；
更完善的设备与材料生态。
在这一过程中，CMP等关键工艺的重要性会进一步提升，因为它直接影响晶圆表面质量以及器件制造良率。
随着晶圆尺寸逐步扩大以及器件结构复杂度提升，行业对高稳定性、高一致性的CMP设备平台需求也会持续增长，对 TTV、LTV、Ra以及Wafer-to-Wafer uniformity的控制能力提出更高要求。
同时，随着产业规模扩大以及制造成本优化，行业对12英寸制造平台的工程化验证与落地节奏正在明显加快。
铭扬半导体的12英寸单片CMP平台目前也处于持续验证阶段，我们希望通过提前进行设备平台技术储备，为未来更大尺寸晶圆加工需求做好准备。
行家说三代半：2026年贵公司将重点发展哪些技术和市场？
刘鹏：未来几年，我们将继续围绕 CMP工艺平台深耕，重点包括：
持续优化 SiC / GaN / Poly-SiC CMP 工艺；
推进12英寸CMP平台；
拓展Device与先进封装应用。
行家说三代半：请谈谈2026年贵公司的发展目标。
刘鹏：铭扬半导体希望在CMP这一细分领域持续深耕。
公司目前也得到了地方政府与产业基金的支持，并持续吸引来自半导体设备行业的优秀人才加入。
我们更关注设备在客户量产线长期稳定运行，而不仅仅是实验室指标。我们持续优化CMP设备平台与工艺能力。未来我们也欢迎产业链伙伴来到铭扬的工厂与实验室参观交流，共同推动第三代半导体制造技术的发展。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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