能华半导体：GaN量产交付提速，车规认证稳步推进
回顾2025年，碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果，同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既迎来技术突破与场景扩容的新机遇，也面临产业优化与市场竞争的新挑战。
为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2026》专题报道。本期嘉宾为能华半导体市场总监刘宝生。后续，我们将持续邀约更多行业领军企业与权威人士参与《行家瞭望2026》专题，带来深度洞见与前沿观点，敬请持续关注。
GaN器件持续批量交付
推进车规应用验证与导入
行家说三代半：过去一年，贵公司第三代半导体（SiC/GaN）业务主要做了哪些关键性工作？
刘宝生：2025年，能华半导体主要完成以下关键性工作：
技术研发攻坚：重点推进多衬底外延片的缺陷控制与均匀性优化，完成车规级700V GaN HEMT器件的工艺开发与可靠性验证；启动GaN功率器件的封装技术迭代，提升模块的散热与抗浪涌能力。
产能与供应链建设：扩建GaN外延产线，提升高端射频与功率器件材料供应能力；与国内核心设备、耗材厂商建立深度合作，保障供应链稳定。
市场与生态拓展：与新能源车企、工业电源、数据中心客户开展联合开发，推进GaN器件在车规级场景的认证与导入；参与制定第三代半导体行业标准，推动国产技术规范化发展。
行家说三代半：2025 年贵公司的第三代半导体（SiC/GaN）业务取得了哪些成绩？
刘宝生：我们主要在技术及市场领域实现了突破：
技术成果：成功推出车规级700V GaN功率器件样品，通过AEC-Q101可靠性初步验证；多衬底外延片良率达到国际一流水平。
市场突破：功率型GaN器件进入国内头部工业电源、快充厂商供应链，实现批量交付；海外市场实现小批量出口，覆盖东南亚、欧洲客户。
GaN开启多领域渗透
国内产业链逐渐成熟
行家说三代半：如果用一个关键词总结回顾2025年的第三代半导体（SiC和GaN）产业发展，您会用哪个词？为什么？
刘宝生：如果用一个关键词总结2025年的第三代半导体产业，我会选择“突破”，其主要体现在三大层面：
• 技术层面：江苏能华微在多衬底外延材料、车规级功率器件等核心环节实现关键突破，打破海外技术垄断，多项指标达到国际先进水平；
• 市场层面：在新能源汽车、数据中心等领域，GaN器件“从实验室走向商业化应用”，渗透率快速提升，国产替代进程显著加快；
• 产业层面：国内厂商在衬底、外延、器件、封装全链条协同进步，行业从“跟跑”向“并跑、局部领跑”转变。
行家说三代半：您认为，从整个第三代半导体产业角度，2025年有哪些可圈可点的进步或者成绩？
刘宝生：2025年第三代半导体产业的进步主要体现在三个维度：
• 技术迭代加速：多衬底外延良率大幅提升，GaN器件在高频高压场景的可靠性验证完成，为大规模量产奠定基础；
• 应用场景拓宽：GaN不仅在新能源汽车主驱、OBC系统成为标配，还在AI数据中心电源、储能变流器、工业电机等领域实现批量落地；
• 国产供应链成熟：国内衬底、外延、设备、封装等环节逐步自主可控，降低了对海外供应链的依赖，为产业长期发展提供保障。
行家说三代半：当前第三代半导体行业面临的主要问题是什么？未来有哪些技术路径可能突破这些限制？
刘宝生：我认为当前行业存在的核心问题主要有两点：
一是车规认证壁垒高：车规级器件认证周期长、测试标准严苛，国产厂商进入供应链难度大；
二是高端人才短缺：第三代半导体涉及材料、器件、封装等多学科交叉，高端研发与工程人才缺口较大。
未来的突破路径主要有以下几点：
技术降本：推进大尺寸外延工艺优化，通过AI辅助缺陷检测、规模化生产降低单位成本；开发Si/GaN混合衬底技术，兼顾性能与成本；
生态协同：联合车企、检测机构提前开展可靠性验证，缩短认证周期；参与车规级器件标准制定，推动国产技术纳入行业规范；
人才培养：与高校共建联合实验室，开展定向人才培养；引进海外高端人才，搭建核心技术团队。
推进车规GaN认证出货
优化多衬底外延工艺
行家说三代半：如果用1个关键词展望未来5年的第三代半导体行业的发展，您会用哪个词？请展开谈谈您的看法。
刘宝生：未来5年，第三代半导体行业的核心关键词是“普及”，主要体现为以下几方面：
成本驱动普及：随着大尺寸晶圆量产、工艺成熟，GaN器件成本将逐步下探至硅基器件的1.5倍以内，在新能源汽车、储能、工业等主流场景全面替代硅基IGBT；
场景驱动普及：新能源汽车800V高压平台、AI数据中心高效电源、可再生能源并网等刚需场景持续扩容，GaN将成为高效能源转换的“标准配置”；
技术驱动普及：技术进一步成熟，推动高频、高压、高温场景的应用落地，拓展至航天航空、轨道交通等极端环境。
行家说三代半：2026年贵公司将重点发展哪些技术和市场？
刘宝生：在技术方面，我们将重点推进以下工作：
推出车规级700V GaN HEMT量产器件，完成AEC-Q101全项认证；
开发1200V GaN HEMT器件与功率模块，适配新能源汽车主驱、储能变流器场景；
优化多衬底外延工艺。
对于重点市场领域，我们将作以下部署：
核心市场：新能源汽车（OBC、DC-DC、主驱逆变器）、工业电源、快充设备；
新兴市场：AI数据中心高效电源、储能系统、5G/卫星通信射频前端；
潜力市场：特高压电网、轨道交通、航空航天等高端装备领域。
行家说三代半：请谈谈2026年贵公司的发展目标。
刘宝生：今年我们提出了两大发展目标：
技术目标：车规级700V GaN器件实现批量出货，1200V GaN HEMT完成样品验证；
市场目标：第三代半导体业务营收继续增长，多市场持续渗透。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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