三星电子：8英寸GaN产线预计今年投产
3月20日，据韩国媒体THE ELEC报道，三星电子计划启动一条8英寸氮化镓功率半导体代工厂生产线，预计最早将于今年第二季度实现全面量产。
这一举措标志着三星在宣布进军氮化镓晶圆代工业务三年多后，正式落地相关布局、跻身这一赛道。据悉，三星目前已斩获一位客户，但受限于客户基础尚未完善，该氮化镓晶圆代工业务初期收入预计将低于1000亿韩元。
THE ELEC进一步透露，三星电子已将其产品定位为不含芯片设计的全套服务，旨在提高盈利能力。此外，该公司还自行生产外延片，而非从外部采购。
另一方面，韩国企业DB Hitek（东部高科）也将提供氮化镓晶圆和代工服务，但封装环节外包，预计将于今年下半年开始量产；Key Foundry（启方半导体）也瞄准了氮化镓晶圆代工市场，但预计短期内不会实现量产。
事实上，三星在氮化镓领域的布局早有规划且持续推进。早在2023年6月，三星电子代工部门总裁崔时英就在三星代工论坛上明确表态，从2025年起，三星将开始为消费电子、数据中心和汽车应用领域提供8英寸氮化镓功率半导体代工服务。
回溯三星在氮化镓领域的布局轨迹，呈现多维度、阶梯式推进态势，从技术研发、设备采购到产业合作、资金投入，逐步完善产业链布局，关键节点层层递进：
2024年6月，三星电子联合SK Siltron、东部高科以及无晶圆厂企业ABOV Semiconductor，共同签署半导体业务合作协议（MOU），携手推进“化合物功率半导体先进技术开发项目”，该项目将首先聚焦GaN功率半导体的研发，三星电子、SK Siltron及DB HiTek均公开表示，要把GaN业务实现商业化。
2023年8月，三星电子联合东部高科、启方半导体，计划从爱思强采购金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备，以进军GaN和SiC芯片制造服务市场。
2023年3月，三星电子专项投资建设8英寸工艺设施，用于碳化硅-氮化镓（SiC-GaN）相关技术的研发，当时已完成1000亿至2000亿韩元（约合5.3亿元至10.6亿元人民币）的投资。
2021年5月，三星电子联合RFHIC、SK Siltron等企业，共同参与韩国“X波段GaN半导体集成电路”计划，该计划的核心目标是为韩国KF-X战斗机开发雷达核心配件。
2021年11月，三星电子携手YG投资、现代风险投资、韩国证券投资公司等机构，参与了IVWorks公司的C轮融资，融资额达1740万美元（约合1.1亿元人民币），这笔资金主要用于扩大8英寸氮化镓外延片产能，以及优化人工智能生产平台。
2019年，三星已参与IVWorks的B轮融资，融资额为80亿韩元（约合4300万元人民币）。IVWorks成立于2011 年，是一家韩国氮化镓外延企业，也是韩国第一家实现8英寸硅基GaN外延片和6英寸碳化硅基GaN外延片的晶圆厂。
“行家说三代半”观察发现，自台积电正式宣布退出氮化镓代工业务以来，行业内并未出现明显的产能缺口，反而刺激了更多企业加速氮化镓布局，行业呈现出双向发力的积极态势。
一方面，全球主流代工厂纷纷入局氮化镓代工领域，韩国三星、中国台湾力积电、美国格芯等企业先后宣布开启氮化镓代工业务，且均直接采用8英寸产线，有望进一步提升产能规模与生产效率。
另一方面，器件厂商则选择强强联手、协同发展，如英诺赛科与安森美、EPC与瑞萨电子等企业相继官宣达成合作，通过资源互补、技术联动，进一步推进氮化镓技术的迭代升级与产能的高效协同，推动行业持续健康发展。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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