在全球人工智能领域最具影响力的技术盛会之一的 NVIDIA GTC 2026 大会上，英诺赛科凭借在氮化镓（GaN）功率半导体领域的领先技术与产品创新，荣获NVIDIA GTC MGX 生态合作伙伴奖，成为本届大会中唯一获奖的中国芯片企业。

这一奖项不仅体现了英诺赛科在技术实力与产品可靠性方面的高度认可，也标志着公司在全球AI算力基础设施产业链中的重要地位进一步提升。

在本次获得英伟达供应商奖项的企业中，英诺赛科是唯一一家中国芯片企业。这也意味着，中国功率半导体企业正凭借核心技术，在全球AI基础设施电力系统中逐步建立竞争力，成为全球AI算力供应链中的重要力量。

值得关注的是，在NVIDIA本次展示的800V HVDC AI数据中心电源架构生态中，英诺赛科不仅展示了基于GaN器件的电源解决方案，同时超过半数的NVIDIA合作伙伴电源系统方案也采用了英诺赛科的氮化镓功率器件。这意味着，英诺赛科GaN技术正在成为AI数据中心高压直流供电架构的关键核心器件之一。

目前，英诺赛科已成为全球最大的氮化镓功率半导体供应商之一。在NVIDIA AI Factory MGX Ecosystem中，公司推出的800V–50V、800V-12V、800V-6V氮化镓核心电源模块，可有效满足下一代AI数据中心800V HVDC电源架构对高效率、高功率密度电源转换的核心需求。

随着AI算力规模的持续提升，数据中心电源系统正在向更高电压、更高效率和更高功率密度方向发展。氮化镓功率器件凭借其高效率、低损耗、高频率和高功率密度等优势，正在成为AI基础设施电力架构升级的重要技术路径。

依托在氮化镓领域多年的技术积累与产业布局，英诺赛科与英伟达的深度生态合作，不仅为AI产业提供了更高效率、更高可靠性的电力解决方案，也为全球AI算力产业链的升级与创新发展注入了新的动力。

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英诺赛科(香港联合交易所股票代码:02577.HK)是全球氮化镓工艺创新与功率器件制造领导者。英诺赛科的器件设计与性能树立了全球氮化镓技术标杆，持续迭代创新的企业文化将加速氮化镓性能提升与市场普及。公司的氮化镓产品广泛应用于低压、中压和高压产品领域，涵盖了从 15V至1200V的氮化镓工艺节点。公司的晶圆、分立器件、集成功率集成电路(IC)以及模组产品为客户提供了强劲可靠的氮化镓(GaN)解决方案。凭借已授权及申请中的专利布局，英诺赛科产品以高可靠性、性能与功能优势，服务于消费电子、汽车电子、数据中心、可再生能源及工业电源领域，开创氮化镓技术的光明未来。

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