天域:SiC营收增长1.9亿
3月16日,天域半导体发布了2025财年业绩预告。报告期内,天域半导体2025财年SiC外延收入同比增加约1.9亿元人民币,净亏损同比大幅收窄近90%。
营收增长1.9亿
亏损收窄接近90%
据业绩预告披露,2025财年天域半导体的核心财务指标呈现出强劲的复苏态势,经营基本面得到扭转。
天域半导体表示,2025财年SiC外延整体收入较2024财年同比增加约1.9亿元人民币。天域此前招股书数据显示,其2024年SiC外延营收为5.2亿元。据此推断,2025年天域半导体SiC外延营收将达到7.1亿元左右。
此外,天域半导体公告还提到,他们预计2025财年公司的净亏损约5500-6500万元人民币。相比2024财年确认的5.003亿元,亏损幅度同比收窄达87%至89%。
天域董事会指出,2025年公司亏损收窄有以下原因:
一方面,2025财年并未出现2024年高达3.151亿元的一次性存货撇减拨备,资产质量回归常态;
另一方面,业务规模效应摊薄了固定成本。
而如果剔除港股上市费用,天域半导体的整体亏损还将进一步收窄。天域公告提到,由于公司在2025年底成功登陆港交所,本期计入了约1500万元的上市相关开支。
回顾2025年,
天域半导体在企业经营方面有众多亮眼表现
首先是8英寸SiC外延产能的提升。去年12月,天域半导体举行了东莞生态园新基地通线仪式。据介绍,这条产线投产后,将与天域总部42万片年产能形成协同,助力东莞生态园基地快速达成新增38万片产能的目标,推动天域总产能向80万片迈进,未来更将剑指200万片/年的宏伟蓝图。
其次是8英寸SiC合作取得领先进展。除了士兰微等国内外头部客户达成合作外,去年2月份,天域还与韩国EYEQ Lab签署协议。EYEQ Lab运营着韩国首家8英寸SiC功率半导体代工厂,天域将为其提供覆盖650V至2kV全规格的SiC外延片。
除了主流的SiC单晶外延技术外,天域半导体还持续布局其他新型技术,持续巩固自身竞争力,为进入更多新市场做好准备。例如在今年1月,天域与青禾晶元达成战略合作,聚焦键合碳化硅、12英寸及以上SiC复合散热基板等前沿方案。通过整合天域的材料专长与青禾晶元的离子注入、晶圆级键合技术,双方旨在开发电阻率更低(如实现45倍降幅)、热管理更优的复合衬底,为低压SiC器件的性能跃升开辟新路径。
本文发自【行家说三代半】,专注第三代半导体(碳化硅和氮化镓)行业观察。
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