英诺赛科亮相 NVIDIA GTC 2026
近日，全球人工智能领域最具影响力的年度盛会 NVIDIA GTC 2026 在美国加州圣何塞举行。本届大会以AI工业化与规模化应用为核心主题，重点聚焦加速计算、AI Factory建设以及数据中心能效升级等关键技术方向，成为全球AI产业发展的重要风向标。
在大会主题演讲中，NVIDIA创始人兼CEO 黄仁勋表示，人工智能正进入由智能体（Agents）、物理AI（Physical AI）以及工业级部署驱动的新阶段。随着AI算力需求持续爆发，未来将形成万亿级算力基础设施市场，推动AI产业从模型创新迈向大规模基础设施建设。
在这一背景下，AI数据中心电力架构升级成为产业关注的重要方向。大会现场，多家电源与半导体企业集中展示了 800V HVDC（高压直流）数据中心电源架构 的相关技术方案，覆盖从服务器电源到多级DC-DC转换模块的完整电力系统生态。
作为 NVIDIA AI Factory MGX Ecosystem 的合作伙伴，英诺赛科（Innoscience）在大会上重点展示了 800V-to-50V 全氮化镓电源模块方案。该模块位于AI服务器电源系统的关键前级转换环节，采用英诺赛科最新的第三代氮化镓器件（8颗650V GaN 和 32颗100V GaN）,可将 800V高压直流母线电压直接转换为50V服务器标准电压，为后端GPU服务器提供稳定、高效的输入电源。
同时，在NVIDIA本次现场展示的全套800V HVDC AI数据中心电源解决方案生态中，除了英诺赛科自己展示的方案以外，超过半数NVIDIA合作伙伴的电源系统方案，均以英诺赛科氮化镓器件为核心构建，英诺赛科GaN已成为AI高压直流供电架构的主流选择。
相较于传统硅基功率器件，英诺赛科的氮化镓技术在800V架构应用中展现出显著优势：
高密度集成：依托氮化镓器件的高频特性，可显著提升电源转换频率，实现模块体积小型化与功率密度提升，更好适配AI服务器小型化、集约化的发展趋势。
极致能效表现：氮化镓器件具备更低的开关损耗与驱动损耗，可有效提升电源转换效率，降低AI数据中心整体能耗水平。
显著降低系统成本：在GW级AI数据中心部署中，800V HVDC架构能够显著降低电力传输电流，从而减少铜材使用量，并简化配电系统结构，降低整体建设与运维成本。
根据产业测算，在理想情况下，单个MW级AI机柜的GaN潜在价值可超过17万美元，而单一GW级AI数据中心的GaN潜在价值规模可达到约1.8亿美元，显示出氮化镓在AI基础设施中的巨大应用潜力。
作为全球最大的氮化镓功率半导体供应商之一，英诺赛科持续推动氮化镓技术在数据中心、电动汽车、消费电子及工业电源等领域的规模化应用。随着AI算力需求持续增长，800V HVDC电源架构正逐步成为下一代AI数据中心的重要技术方向。
英诺赛科凭借在氮化镓功率器件领域的技术积累，以高效率、高功率密度和高可靠性的电力解决方案，为AI基础设施建设提供关键支撑，助力推动全球AI产业迈向规模化落地的新阶段。
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英诺赛科(香港联合交易所股票代码:02577.HK)是全球氮化镓工艺创新与功率器件制造领导者。英诺赛科的器件设计与性能树立了全球氮化镓技术标杆，持续迭代创新的企业文化将加速氮化镓性能提升与市场普及。公司的氮化镓产品广泛应用于低压、中压和高压产品领域，涵盖了从 15V至1200V的氮化镓工艺节点。公司的晶圆、分立器件、集成功率集成电路(IC)以及模组产品为客户提供了强劲可靠的氮化镓(GaN)解决方案。凭借已授权及申请中的专利布局，英诺赛科产品以高可靠性、性能与功能优势，服务于消费电子、汽车电子、数据中心、可再生能源及工业电源领域，开创氮化镓技术的光明未来。
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