利普思完成PreB+亿元融资，加速SiC规模化生产及应用
近日，碳化硅模块赛道再添一笔重磅融资。“行家说三代半”获悉，无锡利普思半导体有限公司刚完成新一轮融资，金额高达亿元。
这是利普思自成立以来第5次获得重要资本加持，本轮融资由扬州国金、龙投资本领投。本轮融资标志着利普思进入规模化发展的新阶段，融资资金将主要用于扬州生产基地产线投产、新一代SiC模块产品的市场拓展，将加速推动SiC模块在新能源汽车、AI数据中心等高增长市场领域的规模化应用。
在SiC产业竞争激烈的当下，利普思能一直获得资本青睐，源于其构建了“顶尖团队+硬核产品+出海”的铁三角。
集聚全球顶尖团队
坚持技术创新和差异化
利普思成立于2019年11月，是一家专注于第三代功率半导体SiC模块的设计、生产、销售的高科技企业，目前在无锡、日本熊谷、上海、深圳布局了研发中心，在无锡、扬州、日本等地布局了生产基地，拥有先进的可靠性实验室、FA实验室、应用测试实验室，具备完善的仿真、验证、检测能力，并通过了汽车IATF16949质量体系认证，产品已在新能源汽车、电动重卡、超级充电桩、储能、电网、风力发电、高端电源等新能源相关领域实现批量应用。
利普思创始人、CEO丁烜明告诉“行家说三代半”，过去几年里，利普思在产品研发、团队组建及市场开拓等方面都取得了重要进展。
据介绍，利普思凝聚全球功率半导体领域顶尖人才，构建起行业领先的技术研发与产业化能力，公司依靠创新的封装材料、自主的正向模块设计能力、丰富的应用解决方案和经验，技术水平达到国际领先。
其中，利普思的重要舵手——创始人兼CEO丁烜明，是功率模块市场的深度践行者。他硕士毕业于上海大学机自学院，曾任国内电驱动龙头上海电驱动事业部总监，拥有产业化思维和市场敏锐度，深谙功率模块从技术研发到市场落地的全链路交付。
而利普思的另一位联合创始人兼CTO洪文成，曾任蔚来汽车功率电子设计负责人，是蔚来汽车电控系统研发的主导者，在汽车功率电子领域拥有深厚的技术积淀与丰富的量产经验，拥有从客户需求引领功率模块及功率芯片技术研发的能力。
尤为引人注目的是，利普思还组建了一支数十位覆盖材料、芯片设计、模块设计、工程工艺、测试应用等资深研发专家团队，这些专家曾在三菱、三洋、东芝、安森美等全球顶尖半导体公司长期担任核心技术职务。得益于这支中日合璧的顶级团队，利普思在短短数年内实现了跨越式成长，已从初创时的几人小团队，发展为拥有完整研发与量产能力的行业新锐。
成立之初，利普思便将技术创新和领先作为公司的核心战略，他们在高可靠性封装材料与封装技术上拥有多项专利，并建立了较强的SiC模块自主正向设计能力和体系。
值得关注的是，利普思是国内最早采用自主高导热环氧灌封SiC模块的厂商，同时与供应商联合定制高散热绝缘基板材料和工艺，并在封装结构上引入ArcBonding等先进芯片键合技术、内部叠层母排设计等创新技术，以降低模块的杂散电感、提升模块的功率密度与散热能力。应用层面，利普思掌握SiC模组的高度集成能力，擅长于高压高温高电流等复杂场景中的应用。
新一代硬核SiC模块
赋能AIDC等多个领域
作为国内SiC模块的急先锋，利普思率先推出HPD、ED3、ED3S、E0、E2、62mm、34mm等全系列SiC模块，在车载、储能、工业等多个领域，率先获得SiC模块的应用案例，并积极拓展SST、SSCB等新领域。
近期，为满足高压高可靠性、低杂感低成本等市场需求，利普思还将推出一系列新一代SiC功率模块。
据利普思CTO洪文成介绍，源于汽车市场的激烈竞争，车载电控平台化意识加强，功率砖渗透率将进一步提升；并伴随着SiC芯片的进一步迭代，车载SiC功率模块封装会逐步标准化。利普思基于电控平台化，逆变砖集成化思考将推出新一代低杂感耐高温的SiC功率模块。
而在工业领域，AIDC无疑是第三代半导体加速应用的增长引擎，随着英伟达800V直流AIDC 架构的发布与推广，高频高压的应用需求让SiC优势得到进一步发挥；利普思与海内外客户、合作伙伴基于新电源架构将推出新一代低杂感2.2kV/3.3kV的SiC功率模块，以应对AIDC高压化、高频化需求。
扬州生产基地百万产能
将应对全球化布局
2026年是功率半导体行业加速发展的一年，SiC模块上下游产能扩充迅速，降本效果逐渐达到预期，预计将在很多中高端领域快速替代硅基IGBT产品，同时在新能源汽车、AI数据中心、可再生能源等行业的驱动下，SiC功率器件产业规模将持续增长，行业年复合增长率有望超过30%。
为了将来满足下游市场的大量需求，利普思在产能布局上也迈出了关键一步。
2026年3月底，利普思的扬州车规级功率半导体模块项目将举行开工奠基仪式，正式启动建设，预计在2026年竣工、2027年3月正式投产运营。
该项目入选江苏省2026年重大项目清单，总投资10亿元，占地面积32亩，主要包括办公大楼、研发及测试中心、可靠性实验室、多条封装测试产线，规划建成后可实现年产SiC模块300万只。
CEO丁烜明表示，相比现有产线，扬州工厂将重点围绕“专业化车规级”定位进行四个维度的升级：一是按照高端车规标准构建质量与可靠性体系；二是建设与IGBT产线完全分离的专用SiC产线；三是实现全自动化流水线生产；四是支持新一代嵌入式封装结构及客户定制化开发。
目前，利普思凭借领先的SiC功率模块设计技术，产品已应用于新能源汽车、电动重卡、储能、超充等核心领域，远销北美、欧洲、日韩等20余个国家和地区，全球化市场布局优势显著。
利普思也在积极布局AI数据中心固态断路器和固态变压器的应用新增长点，其1200V-3300V多款SiC模块已进入国内外知名客户样品测试与可靠性验证阶段，预计将在2027年前后迎来规模化放量。
随着B轮融资落地、新一代SiC模块推出及扬州基地的投产，利普思正以技术、市场、产能与资本的多重优势，在全球SiC功率模块竞争中加速领跑。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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