SiC替代IGBT进程提速，高压应用崭露头角
回顾2025年，碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果，同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既迎来技术突破与场景扩容的新机遇，也面临产业优化与市场竞争的新挑战。
为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2026》专题报道。本期嘉宾为斯达半导体汽车事业部总裁刘志红、快克芯装备SiC封装设备产品总监吉钦锋。后续，我们将持续邀约更多行业领军企业与权威人士参与《行家瞭望2026》专题，带来深度洞见与前沿观点，敬请持续关注。
SiC&GaN迎来质变
多行业爆发增长机遇
行家说三代半：如果用一个关键词总结回顾2025年的第三代半导体（SiC和GaN）产业发展，您会用哪个词？为什么？
斯达-刘志红：对于SiC行业，我认为可以用“万马奔腾”来概括。2025年，随着行业成本的大幅下降，SiC器件在汽车、光伏、工业电源等领域，对IGBT的替代进程明显加快；同时，AI电源、固态变压器等新兴场景的应用，打开了SiC材料及器件行业全新的增量空间。所以国内外供应商都纷纷加大布局，整个行业呈现出蓬勃发展、多方共进的良好态势。
而对于GaN，“峰回路转”这个形容比较贴切。2025这一年，OBC、AI电源等场景对GaN器件的需求在快速拉升，行业迎来了新一轮增长机遇，发展势头明显回暖向好。
快克芯-吉钦锋：我会用“蓄势”这一关键词。
2025年对于第三代半导体行业来说，是极具考验的一年。一方面，我们见证了SiC在新能源产业实际应用中的爆发式增长，市场规模进一步放量；但另一方面，行业竞争也全面进入了“深水区”，日益严峻的成本压力和极速的技术迭代节奏，正在倒逼产业链上的每一环进行极限挑战。
作为设备供应商，我们理解的“蓄势”是在在效率竞赛中坚守长期主义，为下一阶段的放量增长积蓄势能。在技术研发上，我们坚持“持久战”，坚持投入工艺开发与迭代，这源于我们对SiC产业长期价值的信心。我们认为，只有具备足够韧性的企业，才能在激烈的市场磨砺中保持定力，将外部压力转化为技术进化的动力，最终稳健地留在行业竞争的“牌桌”上。
行家说三代半：您认为，从整个第三代半导体产业角度，2025年有哪些可圈可点的进步或者成绩？
斯达-刘志红：如果从整个第三代半导体产业来看，2025年确实取得了不少可圈可点的进步，在多个关键应用领域都实现了突破性的落地与发展。
例如汽车领域，随着1000V电池电压平台及兆瓦级快充的出现，SiC器件成为唯一可选方案，其渗透率进一步提升。与此同时，基于650V氮化镓开发的OBC逐步推向市场，头部功率半导体供应商开始针对汽车与工业场景，积极布局氮化镓模块产品。
在光伏领域，SiC器件开始进入大功率组串式光伏逆变器行业，尤其在2000V电压平台上，高压SiC成为首选方案。
而在AI电源领域，SiC和GaN凭借其优异的高频高压特性，成为SST及DC/DC等核心电能转换环节的首选器件，有力支撑了AI产业的快速发展。
此外，在高压器件领域，业内头部企业陆续推出2.3kV、3.3kV等高规格碳化硅产品，进一步支撑大功率电机驱动及电力系统等场景的需求。
所以，整体来看，2025年第三代半导体在汽车、光伏、AI电源、高压工控等多个关键赛道全面发力，应用场景不断拓宽，产业成熟度迈上了新的台阶。
产业存在短期痛点
替代浪潮正加速到来
行家说三代半：当前第三代半导体行业面临的主要问题是什么？未来有哪些技术路径可能突破这些限制？
斯达-刘志红：当前SiC领域面临两大核心问题，一是汽车行业降本压力传递，引发供应商无序竞争，导致产能过剩、企业亏损，进而影响技术创新投入，形成恶性循环；二是SiC器件有效需求仅限于汽车驱动、OBC、光伏等少数行业，因其成本相对Si基IGBT/MOSFET器件依然偏高，这使得晶圆总需求维持在较低水平，进一步加剧产能过剩。
未来，突破这些限制的核心路径，仍需聚焦于技术进步，通过工艺优化、规模化生产等方式降低SiC器件的相对成本，同时持续拓展应用领域，拉动行业总需求，逐步缓解产能过剩、恶性竞争的局面，推动行业健康发展。
目前GaN行业面临的主要问题是：需求过于集中，主要依赖低压快充领域，市场规模有限；同时，存在氮化镓走向高压大功率的技术瓶颈，以及氮化镓器件的栅极及驱动保护可靠性不足；外加，台积电退出氮化镓代工市场后，当前产业链出现短板。
综上所说，我认为未来可以从下面几个方向去发展：一是攻坚氮化镓的高压大功率技术，开发650V和1200V的高压GaN器件；二是攻克GaN芯片的多芯片并联难题，研发GaN功率模块产品，破解GaN驱动技术瓶颈，进一步拓宽其应用范围。三是加快高压、高可靠氮化镓芯片先进生产工艺平台的研发，补齐产业链短板，保障行业自主可控发展。
行家说三代半：如果用1个关键词展望未来5年的第三代半导体行业的发展，您会用哪个词？请展开谈谈您的看法。
斯达-刘志红：我会选择“波澜壮阔”这个关键词。未来5年，随着技术不断成熟、成本持续优化，SiC和GaN器件将迎来全面替代浪潮——分别在高压和中低压领域，逐步取代传统硅基IGBT和MOSFET器件，这不仅会重塑功率半导体器件行业的竞争格局，更将为整个电力电子行业掀起一场波澜壮阔的产业变革，推动各下游应用领域实现能效与性能的全面升级。
快克芯-吉钦锋：“融合”将成为行业未来5年的发展趋势。
我认为未来5年，第三代半导体行业将打破现有的技术边界，进入一个全方位的“融合”的时代。
首先是产品结构上的集成融合：传统的固晶和烧结是平面的，未来的“融合”要求我们的设备具备处理多层互连的能力，我们看到像嵌入式 PCB 封装等更复杂的技术正从实验室走向产线，产品要与电路板制造、系统组装深度融合，这也对设备提出了更高的要求。
其次是应用场景的跨界融合：我们知道第三代半导体已经取代Si基器件在新能源汽车，光伏储能等领域获得广泛的应用；随着英伟达等头部大厂推动数据中心供电架构迈入800V高压直流（HVDC） 时代，SiC功率器件在 AI 服务器电源系统中也会得到更多的应用。
此外，还有工艺技术的融合创新：比如现在烧结工艺更多是服务于车规级SiC芯片和模块封装，但其实高性能计算领域也面临着严峻的散热挑战，我们也关注并开展一些技术创新，尝试将烧结技术“跨界”运用在先进封装领域，提升大芯片封装良率与效率。
这些趋势都为第三代半导体和我们的设备产品开启了更广阔的应用想象空间，也赋予了我们重塑封装标准的历史机遇。
聚焦多个核心赛道
以创新技术夯实根基
行家说三代半：贵公司2026年将重点发力哪些市场或者哪些发展目标？
斯达-刘志红：回顾2025年，斯达半导体在新能源汽车电驱动系统配套领域取得了不错的成绩，装车量已超过400万套。在此基础上，2026年我们将持续聚焦核心赛道，重点发力新能源汽车市场，同时进一步开拓欧洲、北美等海外市场，扩大全球市场布局。
产品研发方面，我们也有明确的规划，将重点开发嵌入式SiC模块、车用驱动GaN模块、三电平SiC模块、以及针对OBC和AI电源应用的氮化镓顶部散热分立器件等新产品，以技术创新支撑市场拓展，实现更高质量的发展。
快克芯-吉钦锋：在当今这个AI时代，我们关注到两个关键词尤为突出：“算力”与“电力”——从“算力”角度来看，数据中心的计算能力呈爆炸式增长；从“电力”角度来看，支撑这些计算能力背后的电力基础设施及相关产业链也成为产业变革的重要环节，对能量转换、传输、散热的要求也同步变高。
2026 年，我们将紧扣这两大产业锚点，通过工艺跨代迭代，深耕以下核心目标：
在“电力”层面：夯实第三代半导体封装成套解决方案。
随着8英寸SiC产能释放及良率提升，2026年SiC将在新能源车、光伏储能、AI数据中心及低空飞行器等领域迎来爆发式应用。我们认为，银/铜烧结与扩散焊将成为主流，并将采取以下措施：
持续迭代烧结设备：适应双面烧结、嵌入式PCB烧结、铜烧结等新技术趋势；同时可配套热贴固晶机、AOI检测设备，形成成套解决方案。
推出全自动红外甲酸炉：通过全红外直接加热方式，实现散热器焊接性能的提升。
加快开发扩散焊固晶机，满足车载功率芯片和嵌入式PCB模块封装的新需求。
在“算力”层面：助力先进封装实现高算力跃迁。
随着AI芯片需求呈现出爆发式增长，热压键合（TCB）设备成为破局关键。我们研发的TCB设备主要应用于AI芯片HBM堆叠、CoWoS封装等先进工艺，它能实现微凸块互连，对AI芯片算力密度提升至关重要。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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