瑶芯微电子：SiC迈入出海元年，汽车及AIDC业务全球化加速
回顾2025年，碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果，同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既迎来技术突破与场景扩容的新机遇，也面临产业优化与市场竞争的新挑战。
为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2026》专题报道。本期嘉宾为瑶芯微电子副总裁、功率产品线负责人陈开宇。后续，我们将持续邀约更多行业领军企业与权威人士参与《行家瞭望2026》专题，带来深度洞见与前沿观点，敬请持续关注。
SiC业务多点突破
海外市场持续渗透
行家说三代半：在过去一年，贵公司第三代半导体（SiC）业务主要做了哪些关键性工作？
陈开宇：瑶芯围绕市场拓展、全球化布局、规模化量产与技术优化等重点方向持续推进，并取得多项关键突破。
在业务布局方面，公司除了在新能源汽车和充电桩、光储等领域持续扩大出货规模，同时积极拓展AI数据中心与消费电子等新兴市场，相关产品已陆续进入头部客户量产阶段。
同时，在稳固国内市场的基础上，瑶芯加速推进全球化战略，借助与国内头部客户的合作出口以及海外头部客户的直接导入，成功完成了海外客户白名单定点验收，并以此为契机进入欧美市场，为公司下一阶段的跨越式发展打下了坚实的基础。
与此同时，公司不断推动产品性能提升与成本优化。第五代产品已实现规模化量产，其中650V产品具备零压关断能力，可直接平替硅基SJ MOS器件；第六代新平台顺利落地，性能达到国际先进水平，充分发掘了平面MOSFET的性能极限。通过持续迭代，产品在优异性能与高性价比的双重优势下，构建起显著的市场竞争力，助力用户以更经济的成本，享受到行业领先的技术体验与稳定可靠的产品保障。
与部分长期合作的头部客户建立了联合实验室，深入探讨未来新型拓扑结构所需要的新型器件结构并展开了定制化的器件开发，为后续客户简化拓扑结构以及提频降本制定了器件解决方案。
行家说三代半：2025年贵公司的第三代半导体（SiC）业务取得了哪些成绩？
陈开宇：2025年，瑶芯在多个关键业务领域实现重要突破，展现出强劲的技术实力与市场竞争力。
在市场拓展方面，公司持续扩大在新能源汽车领域的出货规模，凭借在车载功率半导体领域的卓越表现，成功入选中汽协“2025中国汽车芯片创新成果推荐名单”，充分体现了瑶芯在行业内的技术领先地位与品牌影响力。与此同时，AI数据中心及消费电子相关产品已实现多家头部客户的项目定点，在HVDC/PSU应用中开始批量供货。
海外市场方面，公司凭借过去六年多在汽车领域的卓越表现，成功通过了海外头部Tier1的导入认证审核并定点海外项目。并以此为突破口，逐步扩大了在欧美多家头部客户的业务规模，持续提升海外市场的渗透率，全球化战略布局稳步推进。
在技术研发与产业化方面，瑶芯已完成第五代SiC MOS平台的家族化全面量产。该平台率先实现零压关断技术突破，dV/dT免疫, 具备对传统硅基SJ MOS/IGBT器件的平替能力，产品性能已获市场充分认可。
公司还成功打通8英寸碳化硅晶圆从工程验证到量产的全流程，并完成AEC-Q101车规级认证，为未来大规模市场供应奠定坚实产能基础。面向未来，瑶芯已着手研发性能更优、成本更具竞争力的第七代SiC MOSFET技术，持续推进产品迭代与成本优化，进一步提高在全球功率半导体市场的竞争力。
SiC产业实现全链突破
国产化体系基本建立
行家说三代半：如果用一个关键词总结回顾2025年的第三代半导体（SiC或GaN）产业发展，您会用哪个词？为什么？
陈开宇：全链突破我认为非常贴切，这个词精准概括了2025年碳化硅行业的整体态势。这一年，产业在物理、经济与系统三个维度实现关键突破：
在物理层面，晶圆尺寸已规模化从6英寸转向8英寸，单片晶圆出芯量接近翻倍，为大规模、低成本商业化奠定基础；
在经济层面，商业逻辑发生质变，成本曲线由“技术溢价”转向“性价比竞争”，性价比成为企业竞争核心；
在系统层面，产业形态已从单点创新演进为全产业链集群的生态协同。2025年碳化硅产业实现了国产全链破局，越来越多的应用领域已经开始大批量爬坡上量，这样的成果既是过去几年技术积累的质变释放，也预示了未来十年产业格局的定型。
行家说三代半：您认为，从整个第三代半导体产业（SiC或GaN）角度，2025年有哪些可圈可点的进步或者成绩？
陈开宇：2025年碳化硅产业在8英寸衬底量产与成本效益突破，应用场景多元化，全产业链生态协同上取得显著进展，推动第三代半导体进入规模化应用新阶段。
衬底材料方面，实现了大尺寸化突破与良率提升，8英寸SiC衬底实现规模化量产，8英寸晶圆良率已接近与6英寸持平，标志着碳化硅正式步入降本增能的阶段，也推动了其在新能源汽车主驱逆变器与空压机,车载充电机等高压应用中的性价比临界点提前到来。
应用边界持续拓展，核心场景加速规模化。去年碳化硅已逐步渗透至AI数据中心和消费电子等领域，加速替代硅基超级结MOS和IGBT器件，逐步提升市场占比；同时碳化硅模块已规模化应用于800V及以上的高压平台，实现大规模“上车”。
产业链全链布局成型，国产化体系基本建立。随着供应链安全成为全球共识，中国企业在衬底、外延、器件到模块的全链条环节均取得关键突破，产能快速释放，在全球衬底、外延和器件等领域的份额显著提升。
SiC面临多个技术窗口
从“破窗期”迈入“生态融合”
行家说三代半：当前第三代半导体行业面临的的主要问题是什么？未来有哪些技术路径可能突破这些限制？
陈开宇：当前主要问题在于材料瓶颈导致的衬底缺陷影响晶圆良率、SiC衬底成本仍显著高于硅基，以及供应链环节中关键设备与材料的“卡脖子”问题，制约了产业从技术验证向规模化出货的转变。
未来可能的突破路径包括：推进SiC衬底大尺寸化发展，实现8英寸大规模量产并布局12英寸预研，以提升良率并降低缺陷影响；借助8英寸制程推动芯片迭代与新型封装形式，进一步降低器件使用成本；通过核心设备国产化、共建专利与标准体系，突破专利壁垒，掌握产业话语权，降低海外拓展风险。
行家说三代半：如果用1个关键词展望未来5年的第三代半导体行业的发展，您会用哪个词？请展开谈谈您的看法。
陈开宇：未来五年，碳化硅（SiC）行业的技术攻关、产能扩张、应用落地与国产替代，将全面围绕“生态化”展开。如果说过去五年是行业的“破窗期”，实现了从0到1的突破，那么未来五年将进入“生态融合”阶段，核心任务是从1到N的全场景规模化应用与系统重构。在此过程中，谁能够率先实现大尺寸高良率量产、全场景规模化应用、全产业链自主可控以及高品质的稳定交付，谁就将主导全球SiC市场格局。
深耕高压SiC应用领域
全面释放8英寸产能
行家说三代半：2026年贵公司将开发哪些新产品/技术？重点发力哪些市场？
陈开宇：2026年，瑶芯将持续深耕新能源汽车及AI数据中心等核心场景，依托成熟的650V–2300V全电压平台，为市场向800V乃至1000V+更高电压平台需求提供一站式的解决方案。同时展开更高电压，更高工作频率适配的新型器件结构的开发。
在产品性能方面，公司将重点提升多项关键指标：包括进一步降低比导通电阻温漂性能、提升器件开关频率适配性、减少开关损耗，抗辐射能力。同时，瑶芯正积极推进第七代SiC MOSFET系列的研发，持续优化性能与成本结构，结合供应链优化与工艺创新，实现精准成本控制，达成高性能与高性价比的优质平衡。
在技术布局上，公司聚焦高压SiC MOSFET的高可靠性、高功率密度设计，高频及高效率应用等核心课题，产品可适配固态变压器（SST）、MVDC配电网接口、电动航空机载电源，低轨商业卫星电源等新兴领域的多种拓扑架构，以全电压平台与高性价比优势推动SiC MOSFET在工业、交通、能源、特种装备及航空航天等领域对硅基方案的规模化替代。
市场生态方面，瑶芯将持续深化与下游客户的战略合作，共同构建技术验证与应用生态，不断提升在SiC功率器件领域的核心竞争力与行业领先地位。
行家说三代半：请谈谈2026年贵公司的发展目标。
陈开宇：2026年，瑶芯的战略核心将聚焦于“规模化”。通过全面释放8英寸产能，突破成本与良率的瓶颈；借助车规及高端客户的拓展，开辟市场与盈利的新空间。公司将进一步强化全产业链自主可控能力，确立在全球碳化硅产业中的核心地位与话语权。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
