国联万众：8吋SiC产线落地，MOS出货量翻番
回顾2025年，碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果，同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既迎来技术突破与场景扩容的新机遇，也面临产业优化与市场竞争的新挑战。
为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2026》专题报道。本期嘉宾为国联万众总经理助理王川宝。后续，我们将持续邀约更多行业领军企业与权威人士参与《行家瞭望2026》专题，带来深度洞见与前沿观点，敬请持续关注。
8英寸产线完成批量验证
SiC MOS出货量实现翻番
行家说三代半：在过去一年，贵公司第三代半导体（SiC/GaN）业务主要做了哪些关键性工作？
王川宝：过去一年，国联万众主要完成了以下三大关键工作：
一是在保证第三代MOSFET工艺稳定出货的同时，推出了比导通电阻更低，可靠性更好的第四代MOSFET工艺，完成全面可靠性验证并获得关键用户的认可。
二是6英寸产线持续稳定生产，提升产能，实现保质保量供货，在头部车企失效率小于1ppm。
三是完成8英寸产线升级和批量验证，1200V 18mΩ主驱MOSFET芯片CP良率达到93%，满足量产出货要求。
行家说三代半：2025年贵公司的第三代半导体（SiC/GaN）业务取得了哪些成绩？
王川宝：首先是合同和营收，碳化硅MOSFET实现出货量翻番，合同额显著增长。这主要来自于车企大客户的持续复购和采购量的提升，同时新用户数量和出货量也有显著增加，两者共同支撑了2025年碳化硅MOSFET业务。
其次是产品种类扩展和新市场开拓。公司业务从新能源汽车延伸至充电桩、风光储、工业电源、数据中心以及消费类应用。在充电桩、感应加热、镀膜电源等领域实现批量出货，获得用户认可。消费类应用等领域已经配合用户完成产品开发和导入。
SiC产业逆卷而上
三大维度协同突破
行家说三代半：如果用一个关键词总结回顾2025年的第三代半导体（SiC和GaN）产业发展，您会用哪个词？为什么？
王川宝：我选择的关键词是【逆卷而上】。
一、先说“卷”： 2025 年，SiC 产业进入产能集中释放、需求短期承压、价格战白热化的深度内卷阶段，全产业链都在 “卷” 中求生。
（1）价格战：击穿成本底线，利润被严重挤压。
SiC 器件价格腰斩：6 英寸 SiC MOSFET 价格从年初高位持续下探，全年跌幅超30%，部分车规级模块价格逼近成本线。
（2）产能过剩：供需失衡，行业洗牌加速
由于早几年资本过热阶段的超量布局，在产能集中释放阶段，严重供大于求，极端情况下，例如碳化硅SBD，甚至出现成本和价格倒挂的案例。价格战叠加技术壁垒，Wolfspeed、JS Foundry等海外老牌厂商陷入破产重组；国内一批缺乏核心技术、依赖低端代工的中小衬底 / 器件厂被淘汰，行业集中度快速提升。
（3）同质化竞争：技术路线趋同，创新被短期利益压制
SiC领域主流厂商均聚焦6 英寸平面 MOSFET，8 英寸研发进度趋同，差异化技术（如沟槽型、SiC JFET）布局缓慢。配套环节内卷：石墨耗材、外延设备、封装材料等领域产品同质化严重，企业为抢单压缩成本，甚至牺牲质量，形成 “内卷 — 质量下滑 — 行业承压” 的恶性循环。
二、再看“上”：内卷之下，产业实现三大维度的向上突破：
2025 年的 “卷” 并非单纯的恶性竞争，而是倒逼产业升级、加速技术迭代、拓展应用边界、重塑全球格局的催化剂，最终实现 “逆卷而上”。
（1） 技术向上：从 “跟跑” 到 “并跑 / 领跑”，核心瓶颈突破
衬底和外延厂家在国内市场内卷的同时，积极出海，实现了国内卷成本和技术，国外市场盈利的局面。碳化硅芯片在新能源汽车上车应用中也逐步实现国产化替代，新能源车型占比和上车数量不断提升。
（2）成本向上：规模效应显现，性价比逼近硅基
SiC成本结构优化：衬底成本占比从60%降至25%，规模化摊薄制造、封装费用，6 英寸SiC MOSFET单位成本较2024年下降30%-40%。
规模效应形成正循环：成本下降→应用增多→需求攀升→规模放大→成本进一步下降，产业进入良性循环。
（3） 应用向上：从 “点状突破” 到 “全面渗透”，市场空间爆发
新能源汽车（SiC 主阵地）：全球新能源车SiC逆变器渗透率从2024年的15%提升至2025年的20%。800V高压平台成为主流，SiC主驱逆变器成为标配，特斯拉、比亚迪、蔚来等头部车企全面搭载。
SiC逆变器在光伏、储能领域渗透率达20%+，发电效率提升3%-5%。工业伺服、变频器、固态变压器（SST）开始规模导入 SiC 器件，能效提升显著。
三、“逆卷而上” 的本质：内卷是手段，向上是结果
2025年的 “逆卷而上”，本质是第三代半导体产业从 “技术验证期” 迈向 “规模化商用期” 的必然阵痛与升级：内卷是筛选器：淘汰落后产能、劣质企业，倒逼行业聚焦技术创新、成本控制、质量提升。向上是主旋律：技术突破、成本下降、应用拓展、格局重塑，共同推动产业从 “小众高端” 走向 “大众普及”。
国产SiC多点开花
多领域助推产业跃升
行家说三代半：您认为，从整个第三代半导体产业角度，2025年有哪些可圈可点的进步或者成绩？
王川宝：2025年，国内的第三代半导体产业在技术、成本、应用、国产与全球格局上取得了长足的进步，主要体现在几个方面：
技术层面，8 英寸 SiC 衬底良率大幅提升，国内头部企业实现稳定量产。车规级MOSFET芯片和器件批量上车，器件性能与可靠性迈上新台阶，关键设备与材料国产化率持续提高，产业链自主可控能力显著增强。
成本与市场方面，衬底与器件价格快速下行，规模效应凸显，性价比持续逼近规模化替代临界点。新能源车主驱逆变器 SiC 渗透率稳步提升至近 20%，800V 高压平台渗透率超 75%，光伏、储能、工控等领域渗透率同步提升，应用从高端车型走向普及化，部分A级车型在主驱逆变器中搭载SiC MOSFET。
产业格局上，国内企业在衬底、外延、器件模块环节全球份额持续攀升，头部效应增强，行业在激烈竞争中完成洗牌，落后产能出清，中国成为全球 SiC 产业最重要的增长引擎与制造中心，整体实现逆卷而上、高质量跃升。
行家说三代半：当前第三代半导体行业面临的的主要问题是什么？未来有哪些技术路径可能突破这些限制？
王川宝：面临的主要问题是严重内卷伤害到行业的发展和企业的创新。由于前些年布局的产能集中释放引发价格战，SiC 器件价格大幅下探，企业利润被严重挤压。由于半导体行业投资大，周期长，赢者通吃等特点，在未来3~5年，依然会呈现明显的内卷态势。长期的低利润甚至亏损运营，会直接影响到企业的创新投入，进而影响行业的健康发展。
目前来看行业演进的方向类似当年光伏和LED行业，即淘汰技术和生产实力落后的玩家，行业重新洗牌，合同流向真正具备技术实力和生产规模的公司。
行家说三代半：如果用1个关键词展望未来5年的第三代半导体行业的发展，您会用哪个词？请展开谈谈您的看法。
王川宝：我会用“产业化”来描述未来五年碳化硅和氮化镓行业的发展。
从目前阶段来看，碳化硅在新能源汽车上已经实现了初步的产业化，其渗透率和市场总量会持续攀升。同时碳化硅和氮化镓在工业应用、数据中心电源、消费类产品上也体现出了明显的性能优势。再叠加VR眼睛、机器人等跨界新型行业的加持，碳化硅和氮化镓再未来几年会在更多行业实现快速的产业落地和规模化生产。
坚定双引擎发展战略
深化SiC/射频GaN布局
行家说三代半：2026年贵公司将开发哪些新产品/技术？重点发力哪些市场？
王川宝：2026年国联万众的新产品和新技术的重心依然是SiC MOSFET和射频GaN两大方向。
其中，SiC MOSFET会在8英寸产线完成第五代工艺的开发和量产。继续深耕新能源汽车行业，同时在固态变压器、数据中心、工业电源等方面持续发力。
射频GaN会在基站量产工艺的基础上开发更高频、高效、低Trapping的新工艺，同时在低空经济应用场景中拓展应用。
行家说三代半：请谈谈2026年贵公司的发展目标。
王川宝：2026 年，公司将依托中电科产业基础研究院的技术积淀，借力上市公司平台优势，紧扣 “碳达峰、新基建、低空经济” 等国家战略方向，深耕第三代半导体产业，坚定践行 “碳化硅功率 + 氮化镓射频” 双引擎发展战略。
公司将聚焦新能源汽车、充电桩、绿色家电、光伏逆变器、工业电源、工业电机驱动器、5G/5G-A 基站、6G 通讯、无人机通讯及干扰等核心应用领域。同时以市场需求为牵引、经济效益为核心，恪守高起点、高技术、可持续发展原则，充分发挥北京区位优势与中国电科央企背景赋能作用，持续强化技术创新与产业协同，为行业发展和用户创造核心价值。
筑牢营收基本盘，做强氮化镓射频业务
稳固 5G 宏基站市场核心份额，全力推进 5G-A 基站用 GaN 射频芯片的技术开发与市场化推广；重点开拓非基站射频市场，以无人机图传及干扰领域为核心突破口，同步拓展射频能源、通信干扰、专网通信等细分领域，持续提升国内市场占有率；依托 GaN 射频芯片的成本与质量优势，对标替代传统 GaAs 和 Si LDMOS 射频芯片，积极开拓海外射频市场，扩大国际市场布局。
打造增长新引擎，做大碳化硅功率业务
加快8英寸SiC产品的客户验证与市场导入，推动在主流客户端实现批量销售；持续完善 H4M 和 H5M 工艺平台，研发推出高性能、低成本、高可靠的 SiC MOSFET 芯片产品，精准匹配新能源汽车 SiC 产品向低端车型下探的市场需求，同时持续拓展在光伏、储能、工业电源等领域的规模化应用。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
