SiC迈入应用转折年，深耕发力多条赛道
回顾2025年，碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果，同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既迎来技术突破与场景扩容的新机遇，也面临产业优化与市场竞争的新挑战。
为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2026》专题报道。本期嘉宾为芯干线董事长傅玥、澎芯半导体董事长计建新。后续，我们将持续邀约更多行业领军企业与权威人士参与《行家瞭望2026》专题，带来深度洞见与前沿观点，敬请持续关注。
降本赋能下游渗透提速
SiC与Si成本趋于持平
行家说三代半：如果用一个关键词总结回顾2025年的第三代半导体（SiC和GaN）产业发展，您会用哪个词？为什么？
傅玥：2025年可以用“降本”来概括。第三代半导体正在从“能力建设期”走向“规模化落地期”，行业把重心放在把性能优势转化为更可复制、更可量产、更具性价比的产品力。
在SiC 端，越来越多玩家把良率、制造效率、工艺稳定性和供应链协同做成体系化能力，配合 6 英寸持续优化与 8 英寸路线的推进，让单位成本沿着更清晰的曲线下降，从而把应用从高端车型/头部客户扩展到更广的主流平台与工业场景。
GaN 端则在快充之外更积极地向数据中心电源、机器人与车载电源等高功率密度领域渗透，通过更高集成度的器件与标准化封装/参考设计，把系统级 BOM、散热与可靠性设计成本一起打下来。
整体来看，“降本”不是简单的压价，而是产业成熟度提升后的效率红利——让 SiC/GaN 的渗透率更快、更稳地往上走。
计建新：2025年是非常具有意义的一年，尤其对于国内SiC功率器件在功率半导体商业应用领域拓展是非常关键的一年。
首先在衬底、外延、晶圆产线上，经过多年的快速发展，在技术进展和产能上都明显跨上新的台阶，产业基础已经非常扎实，产业规模不再是限制影响商业应用的因素。国内主流晶圆产线通过近几年的发展，对如何保证晶圆质量和良率都完成了技术积累和提升；产品质量、可靠性都得到大批量的验证。
在应用领域，SiC功率器件从车规和新能源应用领域扩展到家电和各种消费类市场，替代硅MOSFET 和硅IGBT得到广泛认可，并且也有行业内更多专业人士来根据SiC MOSFET的特点来匹配应用方案，针对性开发SiC专用驱动IC也得到更多公司资源投入。
除在追求高效高频低损耗的应用领域外，SiC功率器件在越来越多的工控和消费类应用上成本与硅超结MOSFET和硅IGBT相当，且其高温下性能稳定性也更多得到体现并改善了系统性能，因此2026年也是SiC功率器件与硅功率器件相比真正得到大规模广泛商业应用的转折年。
行家说三代半：您认为，从整个第三代半导体产业角度，2025年有哪些可圈可点的进步或者成绩？
傅玥：2025 年第三代半导体（SiC/GaN）最大的进步，其实一句话就能说清：开始更像“能大规模做、能稳定交、能算得过账”的产业了。
SiC这边，8 英寸产线不再只是喊口号，进入更明确的试产和爬坡阶段；同时在 6 英寸价格走低、竞争更激烈的情况下，大家把重心放在提高良率、提升制造效率、把供应链磨合得更顺，让成本更可控、交付更稳定。
GaN这边，除了快充，还更积极走向数据中心电源这类“更高功率、更高效率”的场景，并且在车规可靠性与认证上也有更扎实的推进，让它从“能用”更进一步变成“更敢用、更容易用”。
计建新：2025年是国内碳化硅产业不断进行技术、产业链上下游、以及前期资本泡沫在近5年发展后的一个集中体现，产业链基础已经扎实、技术质量达到一定水平、内卷程度也颇高；同时与硅功率器件的成本也开始能硬扛。
盈利难、量产难、应用难
行业三大痛点急需破局
行家说三代半：当前第三代半导体行业面临的主要问题是什么？未来有哪些技术路径可能突破这些限制？
傅玥：第三代半导体是在给新能源汽车、充电器、服务器电源装一颗“更省电、更有力”的发动机，但现在卡在量产和用起来省心这两关。
目前，行业目前最头疼的主要是三点：
第一，难在盈利不易——前几年大家投了很多产线，现在市场一波动、价格一降，就会觉得“卖得越多不一定越赚”；
第二，难在稳定量产——实验室里性能很好，但一到大批量生产，就容易出现“同一批里有的很好、有的差一点”，这会拉低良率、抬高成本；
第三，难在长期可靠性及系统是否好用——SiC/GaN开关速度更快、功率密度更高，对散热、封装和电路设计要求更严，做得不好就会发热、干扰变大，甚至缩短寿命，让客户不敢放量。
我认为，未来的突破路径主要有三个：
一是把制造做得更像成熟半导体那样“又大又稳”（比如SiC从6英寸走向8英寸——可以理解为“用更大的圆片一次做更多器件”，前提是把工艺和良率拉起来）；
二是把材料和工艺打磨到更耐用（减少缺陷、让关键工艺更稳定），让器件在高温高压下长期工作也更放心；
三是把封装/模块和系统方案升级（更好的散热、更低的寄生电感、更完善的驱动与保护、更高集成度），把“只是芯片性能更好”真正变成整机层面的“系统更高效、更稳定、更易用”。
计建新：就碳化硅行业，最主要问题是近几年产业链各个环节现有产能规模超过市场需求，导致大家都不赚钱。这个问题有两个解决方案供参考：一通过不断提升性价比，使碳化硅功率器件在更多工控、消费类、家电等领域迭代硅功率器件，提高需求；二用碳化硅材料研发更多类型的二极管、三极管、HVIC、传感器等产品，拓展需求。
碳化硅功率器件的技术路径其实是非常清晰的，以碳化硅MOSFET为例，缩小原胞提高电流密度，从平面到沟槽和超结；增加晶圆直径。同时由于碳化硅功率密度非常高，芯片非常小，散热对性能发挥影响逐步加大，封装优化的重要性也在逐步体现。而我们需要做的是踏踏实实将发展路径中会碰到的每一个问题稳妥的解决好。
SiC/GaN将被广泛应用
多条赛道成布局重点
行家说三代半：如果用1个关键词展望未来5年的第三代半导体行业的发展，您会用哪个词？请展开谈谈您的看法。
傅玥：我会用一个词展望未来5 年的第三代半导体行业：“普及”——因为接下来最重要的变化不是器件有多酷，而是 SiC/GaN 会越来越像“常规选择”，被更多主流产品采用。
随着工艺和产线更成熟、良率更稳，成本会继续下降；同时车规/工业级的验证体系、驱动与保护、封装散热等配套越来越完善，客户导入会更省心、更敢放量；再叠加电动车、数据中心电源、光伏储能和工业电源等场景都在追求更高效率和更高功率密度，最终会推动 SiC/GaN 从“高端用、少量用”走向“更广泛、规模化应用”。
计建新：未来几年对于碳化硅产业是非常值得期待的，我们相信通过同行的共同努力，碳化硅产业将枝繁叶茂，涌现出各种新型器件，新型应用。各个产业链上也将从追求高大上调整为更接地气，为适应不同应用而进行分化，转化为能实现盈利的各个单元。
行家说三代半：贵公司2026年将重点发力哪些市场或者哪些发展目标？
傅玥：2026年我们会把资源集中在三条高确定性赛道：AI 电源、机器人、低空经济。
在 AI 电源方面，重点面向数据中心 48V 及更高功率密度电源架构，围绕高效率、低损耗、低 EMI 和高可靠性推进器件/模块与参考设计平台化，目标是缩短客户导入周期并实现规模出货。
在机器人方面，聚焦伺服驱动、关节电机控制、BMS 与高效 DC-DC 等核心电源与驱动链路，以高功率密度、小型化和耐冲击工况为目标，形成可复用的平台方案并进入头部客户供应链。
在低空经济方面，重点覆盖 eVTOL/无人机的高压电驱、机载电源与充电补能链路，围绕轻量化、效率与安全冗余（热管理、保护策略、可靠性验证）建立产品组合。
芯干线的总体目标是：把关键产品做成“更好用、更省心、更易规模化”的标准平台，通过成本与可靠性两条线并行突破，推动 2026 年实现重点客户定点落地与量产交付。
计建新：绍兴澎芯半导体作为一家注重产品质量的碳化硅功率器件设计公司，保证产品品质的基础上，不断推进技术进步，2026年逐步推出极有竞争力的针对家电、电机、消费类的MOSFET产品。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
其他人都在看：
2家企业成功交付12英寸SiC订单，国产制程加速
8英寸SiC量产加速，产业进入关键窗口期
单个数据中心的GaN潜在需求超12亿元？
行家说三代半 向上滑动看下一个
行家说三代半 写留言 ,选择留言身份
