8英寸SiC量产加速，产业进入关键窗口期
回顾2025年，碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果，同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既迎来技术突破与场景扩容的新机遇，也面临产业优化与市场竞争的新挑战。
为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2026》专题报道。本期嘉宾为天科合达市场总监史慧玲、晶飞半导体CEO韩世飞。后续，我们将持续邀约更多行业领军企业与权威人士参与《行家瞭望2026》专题，带来深度洞见与前沿观点，敬请持续关注。
碳化硅产业进入关键窗口期
呈现“多线并行、融合发展”
行家说三代半：如果用一个关键词总结回顾2025年的第三代半导体（SiC和GaN）产业发展，您会用哪个词？为什么？
史慧玲：2025年，第三代半导体产业可以说是挑战与机遇并存，并且在行业的深度调整中展现出强大韧性。一方面，行业正处于技术迭代与市场格局优化的关键阶段；另一方面，碳化硅在应用领域加速实现“全面渗透”的历史性突破，市场空间不断拓展。
挑战方面主要是结构调整与技术攻坚。2025年，碳化硅行业从大规模扩张步入理性调整周期。衬底与器件价格上半年深度回调，下半年渐趋平稳；企业需加强应对利润承压、研发投入与债务管理等多元资金平衡。Wolfspeed等企业的战略重组，标志着行业加速进入以技术能力与盈利能力为核心竞争力的发展新阶段。
6英寸衬底领域，市场进一步向天科合达等具有优质产能与技术领先的企业集中，产业链协同优势持续强化；8英寸衬底及晶圆环节，生产良率与成本效益仍是规模化量产的关键阻碍，产业化技术攻关仍需较大资源投入，新的技术储备正为产品迭代积蓄动能。
机遇方面主要是应用普及与生态成熟。产业链上游企业持续推进技术升级与成本优化的同时，应用端正在实现里程碑式的跨越，从以往的“点状突破”进入“全面渗透”的新阶段，产业生态的成熟为碳化硅爆发式应用提供了坚实支撑。
在新能源汽车领域，随着800V高压平台技术的确立与推广，碳化硅从“高端配置”转向“主流选择”，大规模进入15万元以下新能源汽车市场。同时，在“双碳”目标推动下，在光伏、储能、数据中心及家电、工业电源等领域实现快速规模化应用。6英寸衬底性价比优势稳固，8英寸逐步量产，芯片设计与封装创新推动形成“成本下降—应用扩大”飞轮效应。国内已形成完整产业链，并通过上下游深度协同创新，大幅提升了市场响应速度。头部企业更通过与国际客户的研发合作与生态共建，稳步融入全球价值链。
展望2026年，碳化硅产业将进入供需再平衡的关键窗口期，是对产能与供应链协同能力的一次系统性考验。在衬底环节，高性价比产品的稳定供应能力，正持续为企业提升市场影响力提供有力支撑。在晶圆制造环节，国内企业正迎来与国际一流厂商同台发展的重要契机，通过持续在技术、成本与生态协同上精进突破，不断夯实根基，抢抓行业升级带来的广阔发展机遇。
韩世飞：如果用一个关键词总结2025年第三代半导体产业的发展，我认为是“成熟与扩张”。这指的是SiC和GaN技术走出早期“概念验证”阶段，在主流市场站稳脚跟（成熟），同时其应用价值被发掘，市场边界快速拓宽（扩张）。
展望未来，第三代半导体产业将呈现“多线并行、融合发展”的趋势。在相当长时间内，SiC、GaN与传统硅基器件（如IGBT、超结MOSFET）将不是简单的替代关系，而是会根据成本、性能需求，在更多系统中出现“混合配置”，以实现最优性价比。GaN技术预计将在车载充电器等应用中率先商业化，并逐步向牵引逆变器等核心部件进军。
行家说三代半：您认为，从整个第三代半导体产业角度，2025年有哪些可圈可点的进步或者成绩？
史慧玲：我国第三代半导体产业在2025年取得了显著进展，尤其在材料环节实现了从技术追赶向局部领先的关键跨越。具体可总结为以下几方面突出成绩：
8英寸衬底实现量产领先：国内企业已成功突破8英寸碳化硅衬底量产工艺，从早年的研发追赶快速推进至规模化生产阶段，在全球市场中凸显产能与技术引领优势；
12英寸衬底研发全面提速：在更大尺寸衬底技术上，我国企业进展尤为迅速，已有十余家企业宣布在12英寸衬底长晶方面取得重要突破，整体开发进度超越多数国际同行，标志着我国在第三代半导体材料布局上已走在国际前列；
产业生态与技术协同逐步完善：伴随材料端的突破，国内在衬底、外延、器件等环节的产业链配套能力持续增强，形成了以材料创新驱动全链条发展的良性态势，为后续器件降本与终端应用拓展奠定了坚实基础。
总体来看，2025年我国第三代半导体产业已迈入以材料自主为核心、大尺寸技术为牵引的新阶段，为全球半导体产业格局注入了新的活力与竞争力。
产业将进入“创新驱动”阶段
需坚定“长坡厚雪”战略决心
行家说三代半：当前第三代半导体行业面临的主要问题是什么？未来有哪些技术路径可能突破这些限制？
史慧玲：2025年，随着技术进步推动成本持续优化，以及碳化硅在应用端加速渗透，产品价格呈现下行趋势、企业利润空间有所收窄，企业生存面临较大的资金压力。为应对这一局面，行业可从以下两方面着手：
一方面，企业需通过技术迭代、良率提升与规模效应持续降低成本，以利润空间换取市场耐心。具体路径包括：优化材料与工艺，进一步提升SiC晶体质量、降低缺陷密度；推进规模化、自动化生产，进一步削减制造成本；强化产业链协同，以衬底企业为牵引，推动全供应链技术突破与提质增效。
另一方面，加速下游应用牵引，推动碳化硅在新能源汽车、光储充等场景从“可选”向“标配”转变，以高渗透率消化产能、平抑价格波动，形成“以用促降、以量稳价”的良性循环。
行家说三代半：如果用1个关键词展望未来5年的第三代半导体行业的发展，您会用哪个词？请展开谈谈您的看法。
史慧玲：我的关键词是“创新驱动”。未来5年，第三代半导体行业将进入“创新驱动”阶段。随着技术逐步成熟，产业焦点将从价格竞争转向应用创新和性能提升。一方面，SiC将在新能源汽车、光伏储能、消费电子等领域深入渗透，满足高效能需求；另一方面，新兴应用如AR眼镜、先进封装散热和5G-A/6G通信将继续拓展，推动材料、器件和系统的协同创新。此外，产业整合加速，领先企业将通过技术突破和生态合作，实现可持续发展，带动全球第三代半导体产业的升级。
韩世飞：如果用1个关键词来谈，就是“长坡厚雪”。第三代半导体赛道是一条又长又宽的赛道（技术迭代慢、应用拓展广），具有巨大且持续积累的价值雪球（渗透率提升、国产替代深化）。“长坡”指的是驱动行业发展的底层逻辑坚实且持久，未来五年将越走越宽；“厚雪”指的是行业具备高壁垒和高附加值，企业一旦建立优势，护城河会越来越深，利润会像雪球一样越滚越大。具体表现为：
不是短期风口，而是建立在能源革命与数字革命基石上的十年以上长周期繁荣；
不是遍地黄金，而是一个需要长期技术投入、工艺积累和生态构建的厚重产业。前期投入大，但一旦越过盈亏平衡点，护城河极深，回报丰厚；
对于投资者和企业而言，需要的是“在长坡上，坚持滚厚雪”的耐心与战略定力。比拼的是对技术路线的深刻理解、对工艺极致的追求、以及与下游头部客户共同迭代的能力。
总而言之，未来五年是第三代半导体从“产业化突破”走向“规模化普及”的关键五年。这条“坡”又长又稳，坡上的“雪”也正在快速积累。能持续提升自身核心竞争力、绑定大趋势，终将迎来雪球滚滚向前的时刻。
大尺寸SiC再提速
产业协同共启新周期
行家说三代半：贵公司2026年将重点发力哪些市场或者哪些发展目标？
史慧玲：天科合达2026年将围绕“巩固优势、扩大领先、拓展新兴、提质增效”等方面发力。公司2025年在持续夯实6英寸碳化硅衬底全球领先地位的基础上，将进一步深化客户合作与供应体系优化；8英寸衬底已进入规模化量产，技术验证与工艺成熟度行业领先，产能稳步释放将驱动公司跨越式增长，助力客户实现更高性能、更低成本的规模化方案。
同时，公司将加速布局光学与先进封装新赛道，推进8英寸光学级SiC衬底在AR衍射光波导领域的量产验证，开展SiC热沉在AI芯片先进封装中的试点应用，以多元化产品抢占市场先机。此外，依托技术攻关与工艺优化带来的成本效率提升，2026年公司将全面推动运营精益化，加速经营拐点兑现，实现高质量可持续发展。
韩世飞：北京晶飞半导体正沿着“纵向深耕SiC主流市场，横向拓展金刚石/GaN前沿市场”的双轨路径快速发展。核心竞争力是基于中国科学院半导体研究所的科技成果转化，并依托于自主创新的激光剥离平台技术，持续为半导体材料制造环节创造“降本增效”的核心价值。
未来，随着公司技术在各材料领域的落地与推广，公司有望从一家技术突破型的“隐形冠军”，成长为在多个关键半导体材料装备市场拥有显著话语权的行业领导者。
首先围绕核心与基本盘，晶飞半导体将持续发力8英寸及12英寸碳化硅衬底制造市场：
市场定位：公司已确立在大尺寸碳化硅衬底激光剥离（LLO）设备与技术领域的全球领先地位。2025年将8英寸导电型碳化硅单片综合消耗降至450μm的“行业极限”（半绝缘型损耗更低，效率更快），并实现了12英寸碳化硅剥离的规模化应用，这直接瞄准并满足了全球SiC行业向8英寸、12英寸大尺寸衬底升级迭代的核心痛点——降低昂贵衬底材料的损耗、提升生产效率和产出率；
未来发展：2026年，公司继续围绕“无损解理”这一技术路线进行优化，目标将单耗进一步降至50μm，单片8英寸导电型碳化硅加工时间缩短至20分钟以内，继续巩固作为SiC头部激光剥离这一关键工艺设备供应商的地位。
其次在横向拓展与新增长极，晶飞半导体还将不断扩展金刚石与氮化镓等前沿材料市场：
市场机遇：公司在深耕SiC技术的同时，已将激光剥离技术平台成功横向延伸至金刚石和氮化镓材料。这两类材料是下一代高频、高功率、高热导率器件的关键基础材料，正处于产业化前期，对高效、无损的剥离技术有迫切需求；
团队与文化：“闷头搞研发，直到技术达到行业领先水平才会发布”是公司的一贯风格，体现了公司深度技术驱动、追求绝对领先的发展模式。这种模式在需要长期技术积累和设备高可靠性的半导体装备领域，易于构建极高的客户信任壁垒和长期合作关系。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
