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英飞凌:GaN规模将增长400%
行家说三代半 · 2026-03-01
英飞凌:GaN规模将增长400%
近日,英飞凌发布了《英飞凌GaN洞察2026》白皮书,对2026年GaN市场展开了8大预测,并预测今年GaN市场规模将增长50%,2030年市场规模将是2025年的4倍。
由于白皮书篇幅较大,“行家说三代半”特将内容翻译,并编辑成一问一答的方式,供大家参考。
英飞凌:GaN规模将增长400%
行家说三代半:您对2026年GaN行业的整体发展有何预测和判断?
Johannes Schoiswohl博士:2025年,GaN在消费快充以外的市场,实现了关键应用突破。例如,英伟达和英飞凌宣布合作开发新的800VDC数据中心架构,展示了GaN在为电源单元和中间总线转换器等关键组件供电方面的潜力;而Enphase则成功利用GaN提高了太阳能微型逆变器的效率。
得益于行业领导者和早期采用者的倡导推动下,随着GaN技术的持续成熟,2026年GaN正进入一个新的应用阶段。这一阶段中,GaN解决方案在多个行业中的采用率不断提升,而这一进程正受到这些“引领者型企业”的推动。
预计从2026年起,这一转变将引发多米诺效应,在所有细分市场中实现约44%的复合年增长率(CAGR)。预计2026年底,GaN市场营收预计实现 50% 的增长,而到2030年底,GaN市场规模预计较2025年实现400%的增长。
英飞凌:GaN规模将增长400%
行家说三代半:2026年您看好GaN在哪些市场的应用?
Johannes Schoiswohl博士:我们英飞凌认为,2026年GaN将在AI数据中心、车载系统和机器人等领域“施展拳脚”。
英飞凌:GaN规模将增长400%
首先是AI数据中心。
由于AI正推动数据中心架构快速演进,使得GaN的应用不再局限于传统服务器电源模块(PSU)。随着电力需求增长以及800VDC和±400VDC架构的推广,GaN在电池备份单元(BBU)和中间母线变换器(IBC)中的应用前景广阔。
其次是汽车行业。
随着技术进步,GaN在车载充电机、牵引逆变器、DC/DC转换器(高压和48V)以及照明系统中的应用不断扩展。
英飞凌:GaN规模将增长400%
第三是机器人关节模组。
机器人正在从自动化走向“具身智能”,而GaN在紧凑设计和精确功率控制方面具有优势。例如在人形机器人中,GaN 可实现更小型、高效的电机控制模块,使手肘或手部等关节实现更精准运动控制。GaN 有助于实现更轻的机器人、更长的运行时间以及更高的控制精度。
此外,GaN双向开关在光伏微型逆变器中的应用是一项关键创新,可在单一器件中实现充放电控制,提高功率密度并优化能量管理,而且GaN高频低损耗特性使微型逆变器更加小型化和高效,同时降低热管理难度并提高可靠性。
另外,在数字医疗和可穿戴设备领域,GaN解决这些小型电池供电系统常面临效率和散热挑战。而量子计算也是GaN 最具前景的应用之一。量子系统需要低噪声、高稳定性的电源,而GaN的高效率和低电磁干扰特性使其成为理想选择。
行家说三代半:2026年,您最看好哪项GaN技术或产品?
Johannes Schoiswohl博士:过去一年,GaN技术取得了重大进展,其中,双向开关(BDS)GaN器件成为一项关键创新。
双向开关GaN器件只需要一颗器件,就可以取代2颗或4颗单向开关器件,可以显著节省成本,同时能够设计出更小、更高效的功率系统,对汽车、工业和可再生能源系统等多种应用产生了深远影响。
目前,英飞凌GaN双向开关已在Enphase 太阳能微型逆变器取得显著成功。而在汽车行业,车载充电机(OBC)正在导入单级矩阵变换器等创新拓扑结构,以实现紧凑、高效且具有成本效益的解决方案,自2025年以来英飞凌的GaN双向开关技术已获得广泛关注,预计将在2026年实现首次市场应用,而且有望在不久的将来成为OBC应用的首选解决方案。
英飞凌:GaN规模将增长400%
我们预测,2026年其他领域的设计人员也会开发双向开关GaN的新应用。例如10kW以上的AI和企业级服务器、200W以上高功率充电器以及电流源型逆变器电机驱动等。
此外,低压GaN双向开关也将迎来重要应用突破。例如USB-C PD端口保护、开关电源(SMPS)热插拔、电池断开保护以及电池管理系统等应用场景,对低压双向GaN的需求正持续增长,
英飞凌:GaN规模将增长400%
行家说三代半:除了双向GaN外,您认为2026年有哪些值得关注的GaN技术趋势?
Johannes Schoiswohl博士:我们英飞凌认为,2026年一些新的GaN技术与封装平台将获得更多投资与资源支持。
英飞凌:GaN规模将增长400%
首先,GaN-on-GaN(垂直GaN)正受到广泛关注。现阶段垂直GaN尽管具备更高击穿电压和更强功率处理能力优势,但仍处于发展早期阶段,整体制造过程复杂且成本较高,但随着投资增加和技术积累,这一方向值得持续关注。
其次,GaN-on-Sapphire(蓝宝石基GaN)正成为某些GaN应用中颇具吸引力的替代方案。蓝宝石基GaN已经在性能、成本效率和规模化方面取得了良好平衡,特别适用于消费电子和低功率应用,随着制造工艺改进(例如缺陷密度降低),未来它有望进入更高功率领域。
第三,行业正在持续开发更适合GaN的封装方案,重点解决寄生电感和热密度等物理挑战,同时兼顾功能集成和成本。
目前出现了一些新的封装形式,例如智能功率模块(IPM)。而在更高功率应用中,GaN功率模块正受到关注,它除了可提升系统效率和功率密度外,还通过标准拓扑和定制化选项提高了易用性,适用于工业电机驱动、直流快充、光伏组串逆变器和UPS等领域。
第四,除了将开关和驱动集成到单一封装中,GaN还在集成更多功能,以提升系统智能化、安全性和可靠性。
新一代GaN器件正在集成电流与温度传感、故障检测和自保护功能,可防止过压、过流和热失控问题,尤其适用于高功率密度场景。微控制器(MCU)可利用这些数据进行预测性维护,并在必要时发出警报或采取限功率措施。随着 AI 与机器学习的发展,MCU 与集成 GaN 的结合正成为行业关注的重点方向。
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本文发自【行家说三代半】,专注第三代半导体(碳化硅和氮化镓)行业观察。
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