SiC收入同比增长77%，3家厂商全年业绩出炉
2月以来，纳微半导体、X-fab、格罗方德相继发布2025年业绩报告，其中透露，碳化硅业务迎来复苏增长期，氮化镓则在AI 数据中心等市场快速推进，行业向高功率、高效率应用场景的转型步伐持续加快：
纳微半导体：SiC&GaN业务在数据中心、电网设施、高性能计算领域取得多项突破，高功率业务收入首次超过消费电子业务。
X-fab：2025年SiC业务收入约为2.31亿元，其中第四季度收入同比增长77%，未来将推动美国卢伯克工厂向SiC生产基地转型。
格罗方德：将利用美国佛蒙特州伯灵顿工厂，为纳微等厂商生产高压硅基氮化镓。
纳微半导体：
SiC&GaN业务实现多个突破
2月24日，纳微半导体公布了2025年第四季度及全年财务业绩。2025年第四季度，其营收约为730万美元（约合人民币0.5亿），同比下降 59.44%，本季度高功率市场收入首次占季度营收的绝大部分，消费电子与移动业务收入占比降至25%以下。
2025年全年，纳微半导体净营收4591.6万美元（约合人民币3.14亿），同比下降 44.88%。Navitas总裁兼首席执行官Chris Allexandre表示，“预计在强劲市场推动下，公司营收将从第一季度开始恢复环比增长，并持续到2026年。”
上一季度，纳微半导体加速向Navitas 2.0转型，重点关注氮化镓和高压碳化硅解决方案，目标市场为高增长、高功率市场，其进展如下：
→ 碳化硅业务
SiC业务聚焦1.2kV（AI 数据中心）和2kV及以上超高压（电网基础设施）领域，其中电网基础设施的SiC设计周期长于AI数据中心领域，预计2027年开始贡献显著营收。
在AI数据中心领域，纳微推出第五代1.2kV SiC D2PAK产品，融合沟槽辅助平面TAAP架构和D2PAK顶部散热技术，已向多家OEM/ODM提供样品，用于高功率电源和AC-DC电源设计。
在电网设施领域，纳微发布2300V、3300V超高压SiC模块，目前正与全球50多家OEM厂商开展产品评估，主要集中在美国和欧洲，其中在美国的进展尤为显著。
纳微半导体认为，SiC在AI数据中心AC-DC架构中的需求增长速度，甚至超过了GaN在HVDC架构中的增长，是当前AI数据中心SiC应用的核心增长点。而电网基础设施的市场规模将与AI数据中心基本持平，其SiC应用将向更高电压升级，纳微未来将开发5kV及以上超高压模块。
→ 氮化镓业务
宣布与格罗方德建立长期战略技术和制造合作伙伴关系，以加速在美国进行GaN技术制造，预计将于2026年底上市。
与Cyient Semiconductors建立了战略合作伙伴关系，共同开发 GaN 产品，并在印度建立本地生态系统。
在AI数据中心领域，向客户交付100V和新型650V GaN解决方案样品，目标客户为800V HVDC架构和48V IBC HV降压架构。 目前，纳微不同封装类型的样品已提交给十几家客户进行评估。为支持±400伏直流标准，发布了全GaN 10 kW 800V至50V DC-DC平台，采用650V和100V GaNFast FET，峰值效率达98.5%。
在高性能计算领域，GaN在高端计算和AI笔记本电脑的高功率充电器和电源单元中的应用日益广泛，纳微在170W、200W、250W、240W乃至最高360W的功率范围内，拥有超过15个在产项目和大约两倍于此数量的在设计项目，预计在2026年全年，高性能计算市场将继续保持强劲的增长势头。
纳微半导体提出，高功率GaN业务毛利率显著高于传统移动业务，随着GaN产品营收占比提升，将推动公司整体毛利率增长。
X-fab：
全年SiC营收达3380万美元
2月5日，X-fab发布2025年第四季度及全年业绩报告。报告显示，公司全年营收实现稳健增长，其中碳化硅业务呈现强劲复苏态势，氮化镓等先进技术布局持续推进。
2025年全年，X-fab总营收达8.703亿美元（约合人民币59.53亿），同比增长7%，第四季度表现同样稳健，总营收2.223亿美元（约合人民币15.2亿），同比增长18%。分终端市场来看，工业领域表现最为突出，第四季度收入5050万美元（约合人民币3.45亿），同比激增40%，受益于SiC业务复苏等带来的收入增加。
2025年，X-fab的SiC业务迎来关键复苏期，成为公司业务的重要增长点。第四季度 SiC收入达1020万美元（约合人民币0.7亿），同比大幅增长77%，环比增长6%，SiC晶圆产量环比增长60%。从全年来看，SiC业务收入达到3380万美元（约合人民币2.31亿），虽较2024年下降 34%，但季度环比持续改善的趋势明确。
2026年，X-fab新增资本支出约为1亿美元，为进一步强化SiC业务布局，X-fab计划将部分资金用于推动美国得克萨斯州卢伯克工厂向SiC生产基地转型，公司CEO鲁迪・德温特明确表示，“SiC业务正按计划复苏”，未来有望成为支撑公司增长的核心引擎之一。
在氮化镓领域，X-fab也获得了多个项目，其中包括首个用于开发工业保护器件的项目、两个用于中小型电动汽车牵引逆变器的项目，以及一个用于800伏数据中心应用的项目。
格罗方德：
达成多项GaN产能合作
2月25日，格罗方德公布了截至2025年12月31日的第四季度初步财务业绩及2025 年全年财报。财报显示，公司 2025 年全年营收达67.91亿美元（约合人民币464.5亿），汽车、通信基础设施和数据中心等终端市场合计约占 2025年总营收三分之一。
针对其氮化镓业务，格罗方德首席执行官Tim Breen等人在财报会议中透露，他们与台积电签署了许可协议，加快了氮化镓技术路线图的推进。此外，格罗方德还与纳微、安森美达成协议，将利用位于美国佛蒙特州伯灵顿的工厂，为他们生产高压硅基氮化镓。
在数据中心电源领域，格罗方德在GaN和VCD平台上斩获了两项开创性的设计订单，预计将于今年开始量产，并且他们相信数据中心电源市场仍处于起步阶段。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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