王垚浩博士：南砂晶圆SiC的追赶与突围之路
回望过去25年，中国SiC衬底产业在极短的时间内，书写了从科研“拓荒”到全球领先的激荡篇章，但在刚刚收官的“十四五”，整个SiC产业开始出现分化，激化的价格竞争与行业的深度调整，正在考验SiC企业的底色和韧性。
在国内企业中，南砂晶圆成立仅8年，但其发展势如破竹：6年完成从4英寸到12英寸的技术迭代，6英寸SiC实现了从跟跑到并跑，而8英寸SiC更是实现了行业领跑，完成关键超车。
作为“后起之秀”，南砂晶圆是如何实现市场突围？面对未来的机遇与挑战，南砂晶圆又将如何谋篇布局？带着这些问题，行家说三代半与南砂晶圆董事长王垚浩博士进行深入交流，揭秘他们的4大护城河以及可持续经营之道。
从半绝缘到导电型
南砂晶圆的SiC追赶与突围之路
中国SiC衬底正式实现产业化是从2006年开始，距今刚好迈入第20个年头。而在现今众多活跃的SiC衬底企业中，南砂晶圆被誉为“后起之秀”。
南砂晶圆于2018年9月才正式成立，创办初期他们以山东大学多年来的SiC研发技术成果为基础，与山东大学徐现刚教授团队开展全方位产学研合作。
据王垚浩博士介绍，依托高起点的研发优势，南砂晶圆团队仅用一年时间便完成4英寸半绝缘SiC单晶衬底的技术攻关，同步推进广州南沙中试线的建设与投产工作。2020年企业不仅正式向下游客户送样，更顺利突破6英寸半绝缘SiC的核心技术壁垒。
不过在采访中，王垚浩博士也坦诚表示，起步时间较晚让企业错过了一个关键的市场窗口。
2018年前后，受国际合作环境变化影响，SiC材料成为国内自主技术体系构建的重点领域，多家头部企业借此迎来快速发展的契机。而当南砂晶圆于2020年实现量产时，下游用户已完成半绝缘SiC产品的验证与导入工作，叠加当时市场需求规模有限，企业在该领域的市场拓展之路遭遇不小挑战。
尽管错失了市场窗口期，但这一阶段的技术攻坚与量产实践，不仅成功建立起企业的碳化硅衬底量产化能力，更锻炼出一支能打硬仗的团队，为企业长远发展积淀了基础。
针对当时的市场情况，南砂晶圆迅速应变，重新拟定战略方向。王垚浩博士表示，“2021年，公司的战略布局发生重要转折，开始转向导电型SiC，并且直接启动6英寸工艺研发。”
凭借前瞻性的技术趋势判断与深厚的技术沉淀，南砂晶圆成果抢抓了6英寸导电型SiC市场的关键窗口期，实现关键占位。
据王垚浩博士介绍，虽然南砂晶圆的6英寸导电型SiC的研发起步也稍晚，但他们仅用两年时间便实现了产业化突破——2021年成功推出6英寸导电型SiC产品，各项参数满足客户需求。
随着2022年公司广州总部和中山量产基地逐步投产，2023年与重要客户签订长期供货协议，标志着南砂晶圆导电型SiC业务正式起步。
南砂晶圆3大SiC生产基地
自2023年起，南砂晶圆的SiC业务驶入发展快车道，核心竞争力持续凸显。目前，他们已与国内头部SiC外延企业及主流SiC晶圆厂均达成深度战略合作，构建起稳固的产业协同生态，并顺利实现规模化量产与批量交付，在SiC赛道的市场地位稳步提升。
此外，在国际化合作布局上，南砂晶圆的全球化供应链版图持续扩容。他们已成功通过欧洲头部企业的供应商资质认证，并进入规模化供货阶段，供货量呈阶梯式攀升。与此同时，南砂晶圆在日本、韩国及中国台湾地区的市场拓展亦取得突破性进展，不仅与当地多家核心客户建立起稳定的业务合作关系，更实现了部分客户的批量订单交付，为后续深化区域合作、抢占高端市场份额奠定了坚实基础。
回溯8年发展征程，王垚浩博士表示，2025年南砂晶圆是真正“上了一个台阶”，SiC产品交付量实现跨越式增长，这不仅标志着公司产品的市场认可度大幅提升，更驱动南砂晶圆成功完成从研发型到规模化企业的关键转型，正式迈入发展的新阶段。
从8英寸到12英寸
南砂晶圆SiC迈向领先之路
8英寸和12英寸SiC未来将推动南砂晶圆公司再上一个台阶。
据王垚浩博士介绍，从2019到2024年，南砂晶圆仅用了6年时间就实现了SiC衬底技术从4英寸到12英寸的迅速迭代。而这得益于他们始终将公司锚定为“研发型”战略定位，在同步推进产能基建的系统化布局的同时，对SiC技术的持续攻坚从未停歇。
据披露，南砂晶圆年度研发投入占整体营收比重稳定在10%以上，其中2025年研发费用占比更是攀升至近20%。高强度的研发投入，叠加与山东大学的产学研协同优势，南砂晶圆在2022年成为国内首批实现8英寸SiC单晶及衬底试产的企业之一。
对于8英寸SiC，王垚浩博士有着坚定的信心，“6英寸时代，我们跟上了市场，8英寸时代，我们希望领先全国。”而这种信心来源于实际出货和产品品质的领先度。
据透露，南砂晶圆于2023年便抢先完成8英寸SiC晶圆的量产突破，打响了国内大尺寸SiC产能落地的关键一枪。步入2025年，在技术工艺持续优化、下游应用市场加速放量的双重驱动下，他们的8英寸产品交付量迈上新台阶，处于行业领先水平。“我们预计，2026年8英寸SiC出货量会进一步提高。”王垚浩博士表示。
截至目前，南砂晶圆的8英寸SiC衬底产品已获得国内外头部晶圆厂以及主流外延厂商的高度认可，实现“零微管密度、零螺位错密度、零层错”8英寸导电型SiC衬底的稳定制备，突破低应力控制技术，基平面位错密度稳定控制在200cm-2以下。
在SiC晶圆端，南砂晶圆的8英寸SiC衬底同样获得广泛认可。下游头部Fab厂商的SiC MOSFET CP良率测试表明，其产品表现优异。在严格的多项交叉验证对比评估中，南砂晶圆的8英寸SiC衬底良率多次位列前茅，展现出与多家主流SiC外延企业优异的工艺适配性。
除了8英寸SiC衬底取得初步佳绩外，南砂晶圆在更前沿的12英寸平台也同样取得关键进展。
王垚浩博士透露，南砂晶圆早在2024年底就已成功研制出12英寸SiC衬底样品，“从8英寸到12英寸，我们只用了两年左右。”
目前，已有头部AI芯片封装企业开始采用南砂晶圆的12英寸衬底进行新一代产品的研发验证，多家国际领先的半导体企业主动接洽南砂晶圆，表达了对12英寸导电型及半绝缘型衬底的采购意向。
8英寸和12英寸技术是SiC材料从传统功率半导体，拓展至AR眼镜、先进封装等广阔应用市场的战略支点，王垚浩博士表示，南砂晶圆现阶段已进入“研发与生产并重”的新发展阶段，未来将持续加大投入，加速大尺寸SiC的技术迭代与产能布局。
双螺旋驱动，多维度筑城
南砂晶圆持续提升SiC竞争力
虽然南砂晶圆已经取得阶段性的成绩，但王垚浩博士依然保持着冷峻的清醒：“相比行业头部上市企业成绩，我们才刚起步，要尽快去追赶。”
怀揣着这份紧迫感，未来三年他们将锚定“以质取胜”发展理念，从多个维度构筑核心竞争力。
他认为，“企业的发展，技术是基础，品质是保证，价格是长矛”，除了长坡厚雪的技术投入外，他们的“护城河”之一是上市公司级别的品质管控体系，而这根植于成熟专业的核心团队与规范化的管理体系。
据介绍，南砂晶圆打造了一个“双螺旋结构”的团队——
▶技术端，组建了以徐现刚教授为核心的研发团队；
▶管理端，创始人王垚浩博士拥有成功的上市公司管理运营经验，同时组建了来自上市公司的十数位核心高管，拥有丰富的LED产业化运营经验，在车间精细化管理、产能节奏把控、全流程品质监管等关键环节具备成熟实操能力，为产品品质稳定提供了强有力的保障。
在产能与设备端，南砂晶圆以“前瞻性规划 + 弹性配置”构筑起第三条护城河，成为其在行业竞争中突围的关键支撑。
据介绍，通过初期全部采用6英寸与8英寸兼容的SiC长晶炉设计，南砂晶圆以较低资金门槛实现了产能的灵活调配。目前，他们已拥有超过900台具备8英寸长晶能力的设备，既能快速响应8英寸市场需求，又避免了单一尺寸产能的锁定风险和重复投资，形成了后发优势。
此外，由于他们采用的是最新一代晶体生长设备，在能效与占地方面具备优势，为持续降本与未来扩产奠定了坚实基础。
得益于材料成本优化与大尺寸技术突破，SiC在AR眼镜和先进封装等新兴市场迎来发展风口。为抢占先机，南砂晶圆正全力打造第四条核心护城河——细分专业化能力。
王垚浩博士解释道，不同应用领域的客户属性差异显著，对SiC产品的参数要求也各有侧重。在此背景下，唯有推行生产与市场双重细分的专业化策略，才能精准匹配不同客户的核心需求、提升经营效率，同时这也对企业内部协同配合能力提出了更高要求。
目前，南砂晶圆的细分专业化策略已进入落地实施阶段。以光学级SiC材料为例，一方面他们抽调核心技术骨干在中山基地组建专属团队，专攻研发与生产，同时市场营销端细分布局同步推进；另一方面，还积极引入跨行业技术资源、组建复合型团队，推动产品精度与制造工艺升级，全面适配SiC在AR光波导、先进封装等前沿领域的应用需求。
王垚浩博士判断，未来SiC在AR眼镜、先进封装等新兴市场的发展潜力，将超越当前的功率半导体需求。
以质取胜、技术降本
践行可持续经营理念
SiC衬底产业在迎来历史性机遇的同时，遭遇的现实挑战也不小，剧烈的价格波动正在“破”掉许多旧有认知和行业惯性，也在深刻重塑行业格局。
王垚浩博士感叹道，“如果用一个字来总结2025年的SiC行业，我认为‘破’字会更合适。”
破的第一层含义是打破、跌破，为全行业敲响了警钟。首先，2025年长期领跑全球头部SiC衬底企业申请破产保护，这一标志性事件彻底打破了“新质生产力等于高枕无忧”的投资幻想。其次，当前SiC衬底的市场价格已跌破多数厂商的成本线，全行业陷入“卖得越多、亏得越狠”的恶性循环。
破的第二层含义是“不破不立”。王垚浩博士指出，全球碳化硅行业格局正在打破，预计2025年，中国碳化硅衬底的全球市场份额将突破40%，2026年有望超过50%，“这意味着中国碳化硅立起来了”。与此同时，碳化硅衬底价格“破底”也将意味着行业有望摆脱低价乱战的内卷困境，步入良性发展轨道。
在市场竞争日趋白热化的当下，南砂晶圆认为要以“实现良性盈利”为核心目标，将可持续发展贯穿经营全过程。在王垚浩博士的发展标尺中，衡量企业发展质量的标准有且仅有两个：一是客户对产品的深度认可，这是企业立足市场的根基；二是企业自身具备效益的运营能力，这是企业持续投入研发、扩大生产的前提。
面对目前的行业困局，南砂晶圆围绕“以质取胜”战略方向，通过系统性降本主动破局：一方面致力于在提升产品良率的基础上，全力推进SiC晶体厚度从20mm向35mm—40mm发展，在核心工艺层面强化产品竞争力；另一方面是推行关键生产设备与耗材的全面国产化，大幅降低衬底生产成本，为企业盈利拓展出更坚实的空间。
未来，他们希望通过降本增效的组合拳，在激烈竞争中走出一条兼顾客户价值与企业效益的可持续发展之路。
对于南砂晶圆而言，其道路清晰地写在企业的十二字愿景中：“聚沙成晶、科技报国、全球驰名”。在这个机遇与挑战并存的时代，王垚浩博士正带领南砂晶圆书写中国SiC衬底企业创新与全球化的新篇章。而他们的故事，才刚刚启幕。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
