矽加：导入头部企业产线，量产TTV≤1μm
为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，行家说联合策划了上海矽加半导体有限公司进行《第三代半导体产业-行家瞭望2026》专题报道，本期嘉宾为总经理潘兴兴。
聚焦碳化硅衬底剥离、减薄、抛光全制程解决方案，矽加半导体在过去一年实现了从单机设备到链式自动化产线解决方案的升级，成功研发并推出了覆盖“晶锭进—衬底出”的闭环自动化产线。
在市场开拓方面，矽加半导体的高精密减薄机、抛光机等核心设备取得了关键性进展，整体技术平台与综合解决方案成功通过了全球头部衬底企业的严苛考核，并正式导入其量产产线，能满足从常规产品到光学级尖端制程的全谱系要求。
三大淬炼赋能产业迭代
SiC/GaN协同愈发清晰
行家说三代半：如果用一个关键词总结回顾2025年的第三代半导体（SiC/GaN）产业发展，您会用哪个词？为什么？
潘兴兴：我选择的关键词是【淬炼】。2025年对产业而言，是一场全面的“淬炼”。
首先，是市场的淬炼。新能源汽车等核心市场的竞争白热化，驱动上游供应链必须持续降本、提质、增效。
其次，是技术的淬炼。行业从追求“有没有”转向攻坚“好不好、贵不贵”，8英寸SiC衬底量产、高质量GaN-on-SiC异质集成等关键技术实现突破，标志着制造工艺迈向成熟。
最后，也是生态的淬炼。国际格局的波动与中国内部竞争的加剧，加速了产业链的洗牌与整合。这一切都迫使企业抛弃幻想，回归本质：唯有凭借真正的技术实力、可靠的量产能力和极致的成本控制，才能在这场淬炼中生存并胜出。我们相信，经过这番淬炼的中国第三代半导体产业，根基将更为扎实。
行家说三代半：您认为，从整个第三代半导体（SiC/GaN）产业角度，2025年有哪些可圈可点的进步或者成绩？
潘兴兴：我认为有三方面的进步尤为突出：
第一，制造尺寸实现关键跨越。全球SiC产业已进入8英寸主流化与12英寸突破并行的新阶段。国内外头部企业同时推进这两类尺寸产品的批量生产与产能建设，标志着产业降本与规模经济迈入了更快的轨道。
第二，应用边界被大幅拓宽。除了新能源汽车主驱逆变器渗透率持续提升，两个新增长极已然形成：一是AI数据中心，英伟达提出的800V高压直流架构，为SiC和GaN打开了全新的巨大市场；二是消费电子，GaN技术在快充领域已成为主流，并正向更高功率、更小体积演进。
第三，产业链协同与分工更为清晰。业界已普遍形成共识：SiC与GaN并非简单的竞争关系，而是在不同的电压、频率区间协同作战，共同替代传统硅基器件。同时，像“GaN-on-SiC”这样的异质集成技术取得突破，预示着未来材料间的融合将创造出性能更优的解决方案。
从单机向自动化产线进阶
获头部衬底企业导入量产
行家说三代半：在过去一年，贵公司第三代半导体（SiC/GaN）业务主要做了哪些关键性工作？取得了哪些成绩？
潘兴兴：矽加半导体始终定位于产业链的上游关键环节，专注于为衬底制造提供精密加工装备与工艺解决方案。2025年，我们的核心工作是“深入场景，夯实基础”。
我们最大的成绩，是实现了从单机设备到链式自动化产线解决方案的升级。针对碳化硅材料硬度高、脆性大，传统加工方式良率与效率低的行业痛点，我们成功研发并推出了覆盖“晶锭进—衬底出”的闭环自动化产线。该产线整合了晶锭减薄机、激光改质设备、超声波剥离设备及AGV搬运系统，实现了从激光扫描改质到超声波精准剥离的全流程自动化，将各工序间的周转与定位损耗降至最低。
图：矽加半导体自动化产线
在市场突破上，我们的高精密减薄机、抛光机等核心设备取得了关键性进展：以光学片加工中实现稳定量产TTV小于1微米这一标杆性精度为代表，我们的整体技术平台与综合解决方案成功通过了全球头部衬底企业的严苛考核，并正式导入其量产产线。这标志着国产高端精密加工装备，在满足从常规产品到光学级尖端制程的全谱系要求上，其技术成熟度、综合稳定性与量产可靠性已获国际顶尖客户全面认可，为产业链的进阶发展与自主可控提供了坚实基础。
这些成绩的背后，是我们对“设备与工艺深度融合”理念的坚持。优异的性能数据，不仅仅是硬件能力的体现，更是我们为客户提供的深度适配的先进工艺方案协同赋能的结果。
行家说三代半：2026年贵公司将开发哪些新产品/技术？重点发力哪些市场？请谈谈2026年贵公司的发展目标。
潘兴兴：2026年，矽加半导体将继续聚焦于“精密加工”这一核心，目标是为行业规模化与降本提供更强大的装备基石。
在新产品与技术开发上，我们将围绕“扩展尺寸边界”与“提升智能化水平”两个方向发力。一方面，我们将深化在12英寸大尺寸衬底加工技术上的储备与验证，推动相关设备迈向产业化应用。另一方面，我们将为我们成熟的减薄、抛光、激光剥离等产品线注入更多智能控制与数据互联功能，帮助客户构建更透明、更稳定、更高效的智能制造单元。
图：矽加半导体产品解决方案
值得一提的是，在精密加工最核心的指标之一——TTV(总厚度偏差)方面，我们已经实现了可量产的、行业领先的工艺能力：
针对半绝缘衬底，我们能够稳定实现TTV≤1μm 的极致平整度。这一精度水平已达到光学级加工标准，为5G射频前端、AR光波导等高端应用提供了关键的材料基础与工艺保障。
针对导电型衬底，我们可稳定将TTV控制在1–1.5μm的优异水平，充分满足新能源汽车、工业控制等领域对晶圆一致性、良率及长期可靠性的严苛要求。
这一能力并非一日之功，而是源于我们多年来在设备精度、工艺参数与材料特性之间的持续迭代，以及在与全球头部衬底企业深度合作中积累的系统性know-how。正是这些扎实的工艺数据与量产验证，支撑我们从单机设备走向整线解决方案，真正为客户创造可量化的降本增效价值。
在市场发力点上，我们将双线并行：一是继续深耕并扩大在全球头部衬底企业中的合作与份额，用经过验证的稳定表现，服务全球产业；二是积极响应国内产业链自主可控的强烈需求，重点支持正在快速成长的国内衬底与器件制造商，帮助他们提升制造水平，共同构建安全韧性的供应链。
因此，矽加半导体2026年的发展目标非常明确：成为全球半导体材料精密加工领域，最具信赖感的装备与工艺解决方案提供商之一。我们将不以单一设备的出货量为终点，而是以帮助客户成功量产高品质、低成本衬底为使命，在这场产业的淬炼与融合中，贡献我们坚实的力量。
行业面临三大挑战
产业融合将成主旋律
行家说三代半：当前第三代半导体行业面临的主要问题是什么？未来有哪些技术路径可能突破这些限制？
潘兴兴：行业在高速发展的同时，仍面临一系列挑战，主要可归纳为以下三点：
一是材料本征缺陷与器件可靠性难题：SiC和GaN晶体中的微管、位错等缺陷，以及栅氧界面态、动态电阻退化等问题，直接影响器件的性能一致性、良率与长期工作寿命，是进入车规等高可靠性市场的关键障碍。
突破路径：在优化上游材料生长技术（如PVT法）的同时，中游制造环节的精密加工是释放材料潜力的关键。通过超高精度、低损伤的抛光与表面处理技术，可以有效改善衬底表面质量，为后续高质量外延和器件制造奠定基础，是提升整体可靠性的不可或缺的一环。
二是综合成本与规模化挑战：大尺寸衬底（如12英寸）的良率与产能爬升缓慢，复杂器件工艺难度高，导致产业链整体成本仍居高不下，规模化效益尚未充分显现。
突破路径：推动8英寸成为主流并向12英寸过渡是长期方向。在此过程中，制造端的“切、磨、抛”核心制程效率直接决定了单件成本与产能。具体创新包括：应用高精密减薄与纹路控制技术，以最小化材料损耗并确保厚度均匀性；开发高一致性抛光与纳米级面型控制技术，以满足不同器件对表面粗糙度与平整度的严苛要求。这些工艺进步是提升材料利用率、实现降本扩产的核心手段。
三是应用多元化对制造工艺的定制化要求：产业应用从传统电力电子拓展至AI散热、AR光学、射频通信等新领域。这些新兴场景对衬底材料的性能要求各异（如超光滑表面、特定晶向、高热导率），传统标准化工艺难以完全满足。
突破路径：发展氧化镓等新材料及异质集成技术。与此同时，下游应用的多元化正倒逼中游制造工艺向高度定制化发展。例如，为AR光波导衬底开发超精密抛光与面型修正协同工艺，以实现光学级的均匀性；为GPU散热基板优化兼顾高热导与超平坦表面的研磨技术。能够提供此类定制化精密加工解决方案，将成为支撑产业创新的重要力量。
行家说三代半：如果用1个关键词展望未来5年的第三代半导体行业的发展，您会用哪个词？请展开谈谈您的看法。
潘兴兴：我选择的关键词是融合。未来五年，我认为“融合”将是主题。
首先是技术的融合。SiC与GaN的材料特性融合（如GaN-on-SiC）将催生新型器件；器件与先进封装（如双面散热、嵌入式封装）的融合将实现更高的功率密度和散热效率；半导体技术与智能化（AI for Semiconductor）的融合，将赋能更精准的工艺控制和预测性维护。
其次是产业链的融合。设计公司、制造厂、设备与材料供应商必须更紧密地协作，共同定义技术规格，攻克量产难题，从“单点突破”走向“系统赋能”。
最后是应用的融合。第三代半导体将不再局限于单一赛道，而是成为连接新能源汽车、AI数据中心、光伏储能、消费电子等万亿级市场的共性关键技术底座，推动整个社会能源效率的跃升。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
