国产第一家SiC MOS落地SST，已实现批量供货
2月5日，凌锐半导体正式宣布，全国首款基于国产SiC MOS芯片的固态变压器（SST）研发取得圆满成功。
该项目由凌锐半导体提供SiC芯片方案，目前相关产品已顺利进入批量供货阶段，标志着我国在第三代半导体功率器件应用领域实现重要突破，助力国产SiC技术在SST领域的规模化落地。
那么，凌锐半导体为何能实现突破，成为国内率先将国产SiC芯片成功应用于SST领域的厂商？SST又将迎来怎样的应用前景？
基于多年技术积累及市场洞察
凌锐成功赋能AI+SST新赛道
凌锐半导体表示，早在2025年，他们就与某大型电力电子行业上市公司联合攻关，由凌锐提供高性能、高可靠性，自主研发的SiC MOS芯片方案，成功推出了国内第一个基于国产碳化硅芯片的固态变压器（SST）。
经过双方密切协作，该10KV SST项目于2026年1月顺利实现批量商业化落地，凌锐半导体已成功接收项目方订单并完成交付。
对凌锐半导体而言，该SST项目的落成是一个重要里程碑，标志着凌锐半导体的高性能、高可靠性SiC MOS芯片成功赋能AI+SST的新赛道，是市场和客户对凌锐半导体的高度认可。
然而，凌锐半导体的成功并非偶然，而是多年技术积累和市场洞察的结果。
早在2018年，凌锐半导体创始人刘桂新在CREE Wolfspeed工作时，便与国家电网合作，采用高压碳化硅芯片方案，开始研发全国第一个大型SST项目-35kV/5MW柔性变电站，工程项目于2021年落地河北徐水，服务雄安新区。
值得关注的是，这是全国首座基于第三代半导体技术的大型SST项目，变压器能量变换效率达99.63% ，功率密度达2.53瓦每立方厘米，技术指标达到国际领先水平。
据悉，该变电站可实现分布式光伏、储能设施的直流直接接入，能将能源利用效率提升30%以上；同时，其核心技术可广泛推广至海上风电、轨道交通等多个领域，预计将带动碳化硅功率器件形成数百亿规模的市场空间，助力新能源产业与高端制造领域的技术升级。
数据中心转向高压直流供电
SST将成为关键基础设施
据市场研究机构Precedence Research估算，从2023年至2030年，全球人工智能市场规模有望从11879亿元增长至114554亿元，实现超过35%的复合增长率。
伴随AI产业的快速扩张，数据中心作为核心算力载体，对供电效率、能耗控制的需求持续升级，推动产业链加速布局新型供电技术。在此背景下，2025年，英伟达联合产业链伙伴提出的800V AI数据中心供电蓝图，预计将于2027年全面落地。
英伟达实现新一代数据中心技术革命的核心装置便是SST。SST能直接将10kV交流电变换为800V直流，减少中间环节，实现“从电网到服务器”的高效直供，堪称未来AI数据中心的“能源心脏”。
AI的尽头是算力，算力的尽头是能源。SST便是AIDC 800V供电架构下提供能源的关键供电基础设施，是以碳化硅等电力电子器件为基础的，集成变压、整流、逆变、无功补偿等功能于一体的新型电力电子装置。
过去，传统变压器多是油浸式或干式结构，依靠铁芯和铜线在 50Hz 工频下工作 通常仅能实现单一的电压转换，笨重且体积大。相比之下，固态变压器减小了体积和重量，电能转换效率也得到大幅提升，可实现灵活配置和智能控制，让电网从“被动适应”转向“主动调控”，高度协同源、网、荷、储，大幅提高能源利用效率。
展望未来，固态变压器的应用场景涵盖AIDC、交直流混联配电网、绿电直连、电动汽车充电站等多个核心领域，随着其应用场景持续拓宽、市场规模稳步扩容，将持续释放对碳化硅功率器件的规模化需求，为SiC器件产业开辟新增长空间，助力相关产业实现高效化、低碳化升级。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
