英诺赛科：与谷歌签订GaN供货协议
2月3日，英诺赛科在官网发布《有关与谷歌公司重大业务进展的公告》。
文件透露，英诺赛科旗下相关产品已完成了在谷歌公司相关AI硬件平台的重要设计导入，并签订了合规的供货协议，再次彰显了英诺赛科在技术先进性、产品性能和质量等方面在氮化镓行业的领先地位。
英诺赛科正在基于当前的项目开发与客户对接进展，他们将聚焦于AI服务器、数据中心等高增长潜力领域，积极与产业链合作伙伴协作，合规地开展相关产品的商业化落地，满足市场及客户需求。
接下来，英诺赛科董事会将继续关注项目后续进展，并遵照《香港联合交易所有限公司证券上市规则》及相关法律法规的要求，适时就重大业务进展作出进一步披露。
据 “行家说三代半” 此前报道，英诺赛科在 AI 及数据中心业务领域持续提速，已斩获多项阶段性成果：
2025年8月：英诺赛科在2025年上半年业绩公告中披露，报告期内，他们面向AI及数据中心的销售同比增长180%，基于100V氮化镓的48-12V应用进入量产，并开始规模化交付。
2025年11月：英伟达公布了最新一批800 VDC系统合作名单，在功率芯片合作方面共有14家SiC/GaN厂商入选，英诺赛科是国内唯一一家入选企业，其氮化镓器件将被英伟达新一代架构采用。
“行家说三代半”发现，英诺赛科还发表了一篇名为《英诺赛科利用全GaN技术推进800 VDC架构》的论文，具体阐述了他们如何从800V母线电压出发，通过GaN器件高效地完成最终至GPU所需1V电压的转换。
800 VDC系统全GaN解决方案，来源：英诺赛科
值得关注的是，自2025年以来，谷歌已密集官宣多项数据中心及相关基础设施的大额投资建设计划，总金额将近千亿美元：
2025年7月：谷歌表示，未来两年他们将在PJM电网区域投资250亿美元，用于数据中心和人工智能基础设施建设。PJM是全美国最大的电网，覆盖大西洋中部13个州以及中西部和南部部分地区。
2025年11月：谷歌宣布一项新的400亿美元投资计划，该计划将持续到2027年，旨在德克萨斯州建设新的云计算和人工智能基础设施，包括在阿姆斯特朗县和哈斯克尔县建设新的数据中心园区。
2025年11月：谷歌宣布将在2029年前向德国投资55亿欧元，用于基础设施和办公场所建设，包括在迪岑巴赫新建一座数据中心，并继续投资现有的哈瑙数据中心园区。
2025年10月：谷歌表示将在未来五年（2026-2030 年）投资约150亿美元，在印度安得拉邦维沙卡帕特南建设其在美国以外最大的人工智能基础设施中心。
谷歌工程副总裁Parthasarathy Ranganathan还在OCP峰会上透露，他们通过与开放计算项目（OCP）的其他成员合作，推出了围绕±400V直流设计的新技术，同时结合低压直流电源、固态变压器等新技术，将向未来的全集成数据中心解决方案演进。
据《2024-2025年氮化镓（GaN）产业调研白皮书》调研发现，目前，英伟达等头部厂商正在推动第二次数据中心电源架构的革命，即走向240V、400V或800V高压直流（HVDC）。
图：《2024-2025年氮化镓（GaN）产业调研白皮书》
在新的电源架构革命中，SiC/GaN技术将成为刚需。其中，GaN器件的主要应用场景包括：PSU的PFC和DC-DC环节；板载电源的DC-DC模块；以及BBU的DC-DC。出于对提升电源转换效率、服务器电源功率密度的需求，GaN在数据中心电源架构中的应用需求将越来越多。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
