SiC/GaN迈入临界点，场景扩容释放增长红利
回顾2025年，碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果，同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既迎来技术突破与场景扩容的新机遇，也面临产业优化与市场竞争的新挑战。
为解读当前产业态势，明晰未来发展路径，行家说三代半与行家极光奖联合策划了《第三代半导体产业-行家瞭望2026》专题报道。本期嘉宾为基本半导体市场部总监魏炜、镓未来轮值CEO&COO张文理。后续，我们将持续邀约更多行业领军企业与权威人士参与《行家瞭望2026》专题，带来深度洞见与前沿观点，敬请持续关注。
第三代半导体迎扩张周期
场景拓宽与成本优化双向赋能
行家说三代半：如果用一个关键词总结回顾2025年的第三代半导体（SiC和GaN）产业发展，您会用哪个词？为什么？
魏炜：我会选择“扩张”这一关键词。2025年，第三代半导体产业经历了显著的市场扩张。核心驱动力是规模化带来的成本持续下降和正反馈效应，使得越来越多的应用领域能够经济可行地采用SiC技术。这打破了以往因价格过高而难以普及的局面，开启了“成本下降→应用增多→需求攀升→规模放大→成本进一步下降”的良性循环。
尽管全年整体仍处于供大于求的状态，价格持续下行，但供需差距正在缩小。尤为重要的是，产业的有效市场被大幅拓宽，除了新能源汽车和光储领域，AI数据中心（AIDC）、固态变压器（SST）、消费电子（如适配器、电视电源）等新赛道全面开放，成为SiC新的增长引擎，这些也是基本半导体正在发力的新兴领域。这个扩张过程具有长期性，预计将持续释放产业红利。
张文理：如果用一个关键词总结2025年第三代半导体（SiC和GaN）产业的发展，我会选择“临界点”。这一年，行业迎来技术、成本与需求的三重交汇：制造工艺进步和产能释放显著降低SiC/GaN器件的真实使用成本，在部分应用中已具备全生命周期经济性优势；同时，AI超算中心对高能效电源、新能源汽车800V平台对高功率密度器件、人形机器人对小型化电驱系统的需求集中爆发，强力拉动市场。车规级SiC模块在主流车企中规模化上车，GaN则在数据中心48V转换、快充及机器人驱动等场景快速渗透。
与此同时，中国企业从衬底、外延到器件的全产业链自主能力显著提升，国产替代加速。2025年标志着第三代半导体从“技术验证期”正式跨入“商业爆发期”，潜力正大规模转化为现实增长，产业拐点已然确立。
行家说三代半：您认为，从整个第三代半导体产业角度，2025年有哪些可圈可点的进步或者成绩？
魏炜：2025年第三代半导体产业成功开拓了多个重量级新市场，如前面提到的AI数据中心电源、固态变压器、消费类电源等。有些传统领域原本多是硅基器件的“地盘”，如今第三代半导体凭借性价比优势成功切入，标志着其应用边界实现了重大突破。
其次，第三代半导体技术持续精进。在制造工艺上，各厂商的技术水准普遍提升，晶圆制造线宽进一步缩小，元胞密度进一步上升，器件性能更为优化。同时，行业对可靠性的探讨和实践比以往更加深入和全面，推动了产品整体质量和可靠性的进步。
此外，行业逐步走向理性和集中。产业经历了一轮明显的“洗牌”或“出清”。部分缺乏竞争力的企业退出市场，行业竞争格局趋于理性，集中度有所提高。这为产业的长期健康发展奠定了基础。
张文理：2025年，第三代半导体产业在技术突破与规模化应用上取得显著进展。氮化镓（GaN）实现“高低压双线并进”：高压领域，多家厂商推出1200V–1700V GaN器件，采用蓝宝石衬底、垂直结构等多元技术路径，拓展至车载OBC、光伏逆变器等高功率应用场景；低压侧则凭借高频高效优势，广泛应用于新能源汽车DC-DC转换、AI超算中心48V供电系统及人形机器人驱动模块。
产业调整期下竞争加剧
SiC/GaN锚定降本增效发力
行家说三代半：当前第三代半导体行业面临的主要问题是什么？未来有哪些技术路径可能突破这些限制？
魏炜：当前行业的核心挑战在于如何平稳渡过“产业调整期”，并推动下一阶段的技术飞跃。如何在新开拓的市场中构建持续、健康的盈利能力，并应对技术迭代带来的投资压力，是业内企业共同面临的问题。
未来碳化硅技术突破将围绕“降本增效”与“系统优化”展开。一方面，8英寸衬底及外延的产业化仍是降本的关键长期路径，需要产业链协同解决工程化问题。另一方面，技术演进不会单纯追求尺寸升级，而是更注重在现有平台上通过工艺精细化、器件结构创新以及与应用端的协同设计，来进一步提升性能、可靠性和性价比，以满足更广阔市场的需求。
张文理：当前第三代半导体行业面临最大的问题是在如新能源汽车、工业等高可靠性应用场景验证周期长以及中低端市场同质化严重，价格战加剧内卷。
未来技术突破将围绕降本增效与性能提升展开。在海外Yole最新的行业分析报告中，镓未来GaNext展现了功率氮化镓同行业最佳的FOM (Area* Rdson) 性能。2026年将持续聚焦前沿技术研发与成本优化，有望在数据中心、电动汽车等高价值市场建立差异化优势，打破行业瓶颈。
SiC/GaN潜力持续释放
市场迈入规模化扩张新阶段
行家说三代半：展望未来5年，你会如何看待第三代半导体行业的发展？请展开谈谈您的看法。
魏炜：未来五年，第三代半导体行业将迎来更为广阔的发展空间，市场需求引擎强劲，碳化硅应用深度渗透，产业生态进一步成熟，前景可期。在新能源汽车领域，SiC的渗透率将从高压平台向更多车型延伸，甚至在低压平台进一步替代传统硅基IGBT。
AI爆发式增长将驱动对算力和能源的巨量需求，从新能源发电、储能到数据中心电源转换，整个能源链路都将为SiC和GaN带来海量且持续的市场机会。随着成本优势巩固，在消费电子、工业电源等存量市场的替代进程将加速，市场蛋糕将成倍扩大。随着应用场景的复杂化，能够提供完整、高效、可靠系统级支持的企业将获得更大优势。行业将在扩张中走向更成熟、更专业的细分发展阶段。
张文理：展望未来五年，用一个关键词概括第三代半导体（SiC/GaN）行业的发展，我认为是 “潜力无限”。这意味着产业将从技术突破和试点应用，迈入规模化、多元化商业爆发的全新时代。这一判断基于以下趋势：
市场体量跨越式增长：行业正以超40%的复合增长率逆势狂飙。据预测，仅车用SiC/GaN功率市场在未来十年内规模就将增长两倍。到2026年，碳化硅功率元件市场规模预计达53.3亿美元，而氮化镓功率器件市场也有望在未来突破30亿美元。
应用场景爆发式扩张：除持续渗透新能源汽车800V高压平台外，产业增长引擎正转向多元。AI超算中心与数据中心的能效升级，人形机器人关节驱动对高功率密度芯片的刚需，以及智能光伏、航空航天等领域，共同构成强劲的新增长极。
技术与成本瓶颈突破：随着8英寸制程走向规模化、良率提升和产业链垂直整合，SiC/GaN的系统应用成本正加速超越传统硅基方案，触发大规模市场替代。
供应链与竞争格局重塑：全球主要经济体围绕本土制造展开战略布局，中国等地区的供应链自主化能力快速提升，预示着竞争将从技术单点突破升级为全生态链的博弈。
因此，未来五年将是第三代半导体发展的黄金时期、确立其作为下一代能源与信息产业核心基石地位的关键五年。
双企发力2026
抢占多场景赛道先机
行家说三代半：贵公司2026年将重点发力哪些市场或者哪些发展目标？
魏炜：2026年，基本半导体将依托从“芯片-单管-模块-驱动芯片-驱动器”的完整产品链能力，聚焦以下几个核心方向进行重点发力：
1、巩固并深耕汽车市场：汽车电子仍是战略重心。基本半导体将针对各类电气化需求和不断增多的车型平台，推出更多封装、更高性能的车规级SiC模块，助力客户提升系统效率。
2、强攻工业高端应用：重点瞄准工业控制、能源变换等领域，用高性能的工业级SiC模块切入原本由IGBT模块主导的中高端存量市场，为客户提供升级换代的解决方案。
3、拓展消费与新兴领域：积极拓展在储能、AI数据中心电源、消费类电源等新兴市场的业务，提供包括芯片、单管及驱动配套解决方案在内的支持，满足这些市场对效率和成本的双重苛刻要求。
4、产品线持续丰富：在工业应用方面，目前基本半导体已成功推出34mm、62mm、ED3、E2B、E3B等封装的工业模块，未来我们持续丰富产品矩阵，以更齐全的品类和更优的性能服务全球客户，强化系统级解决方案供应商的定位。
张文理：2026年，镓未来将聚焦两大核心战略方向，实现消费电子与高功率应用的协同发展：
首先是消费类快充市场（手机、笔记本电脑等）：我们将持续深耕智能手机、笔记本电脑等主流消费电子领域，通过GaN技术提供高性价比、小体积、高效率的快充解决方案，满足终端用户对轻便、安全、快速充电体验的日益增长需求。
其次是大功率数据中心超算中心及新能源汽车应用：我们将同时重点拓展中高功率场景，特别是在数据中心和人工智能超算中心的电源系统中，充分发挥GaN器件在高能效、高功率密度和高频开关方面的显著优势，助力绿色低碳算力基础设施建设；在车载OBC中通过双向开关GaN器件的使用实现单级高效架构，彻底消除母线电容与输入电感，提升效率，减少系统成本，
通过“消费级普及”与“工业级突破”双轮驱动，镓未来不仅巩固在快充市场的领先地位，更将推动GaN技术在下一代高效能源转换系统中的规模化应用，全面释放氮化镓作为第三代半导体材料的战略价值。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
