3年近20亿！这项SiC技术为何备受追捧？
1月31日，“第十一届电源科技奖”获奖名单公布，三安半导体的“超低损耗高可靠性碳化硅肖特基二极管技术开发及产业化”项目荣获技术创新奖。
据介绍，三安半导体的SiC二极管产品在投产三年内，累计实现销售收入达19.97亿元。
根据公开消息，三安半导体已形成完备的SiCSBD产品系列，电压覆盖650V至2000V，累计出货超过3亿颗。目前该公司的碳化硅二极管产品已迭代至第6代，广泛应用于光伏、服务器电源、通信及新能源汽车等领域，为客户系统带来更高效率和长期可靠性。
奖项介绍中提到，三安半导体碳化硅二极管核心竞争力来源于三方面：
正向导通电阻降低：通过采用自对准工艺、多层外延生长的新技术、衬底减薄工艺以及激光退火工艺等技术，使阳极欧姆比接触电阻率降低一个数量级。
理想因子测试导入：将SBD产品导入了理想因子测试并进行一系列工艺优化金半界面，其测试数据集中趋近于1，表明该芯片具有良好的反偏可靠性。
浪涌可靠性提升：通过优化版图中的PIN占比，提升PIN区域欧姆接触的占比。并采用减薄晶圆的方式，将晶圆厚度缩减了200um以上，有效改善器件的热阻。此两项措施都提升了SBD的热处理能力，在保持静态特性水平不变的前提下，将非重复正向电流IFSM从九倍额定电流提升到十一倍以上。
图：项目图片
除SiC SBD领域的突破外，三安半导体在SiC MOSFET领域同样持续发力，接连实现多项技术突破：
2025年8月22日，三安半导体正在开发一种采用电镀铜基金属化层的SiC MOSFET技术，主要工艺特点为：电镀铜层厚度为8至20μm、采用PI（聚酰亚胺）钝化以提高耐环境性，并具备更高结温运行、更高可靠性、支持双面散热封装及更好的短路鲁棒性等优势。
凭借这些优势，三安半导体的铜基FSM方案可实现更高的整体功率密度及可靠性，更适用于汽车牵引逆变器、可再生能源和电源等大功率和高频率应用领域。
同年8月27日，三安半导体正式发布首代高性能Trench MOSFET技术平台成果。该平台实验批次产品关键性能表现突出，导通电阻最低达1.75 mΩ·cm²，击穿电压超过1400V，核心静态性能已超越国际先进水平。
同步公布的下一代Trench MOSFET技术规划显示，其导通电阻（Ron,sp）目标将进一步下降20%以上，持续向更高效、更紧凑的性能极限迭代，产品可广泛适配新能源汽车、光伏逆变器、工业电源等高压高频核心应用场景。
值得关注的是，据三安半导体2025年半年度报告显示，上半年其碳化硅业务聚焦车规级应用，加快SiC MOSFET技术迭代，同时稳步推进与意法半导体合资的重庆8英寸碳化硅项目。具体来看，报告期内，三安半导体的碳化硅产能进展如下：
三安半导体：已拥有6吋碳化硅配套产能16000片/月，8吋碳化硅衬底产能1000片/月、外延产能2000片/月，8吋碳化硅芯片产线已通线；
安意法（三安半导体与意法半导体重庆合资公司）：专注碳化硅外延、芯片生产，产品独家供应意法半导体，2025年2月已实现通线，目前芯片产品已交付意法半导体进入可靠性验证阶段；首期产能2000片/月，规划达产后8英寸外延、芯片年产能48万片。
重庆三安（三安半导体全资子公司）：聚焦碳化硅衬底生产，配套供应安意法，首次建设产能2000片/月，已开始逐步释放产能，规划达产后8吋衬底产能为48万片/年；
苏州斯科半导体（三安半导体与理想汽车合资公司）：一期产线已实现通线，全桥功率模块已实现批量生产。
此外，2025年11月，三安半导体还在长沙举行以《全“芯”力量，共赴理想》为主题的三安碳化硅芯片上车仪式，三安半导体在仪式上向理想汽车赠送了8吋SiC MOSFET芯片成品。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
