消费电子SiC MOS迎来爆发，这家企业做对了什么？
据不完全统计，2025年SiC MOSFET在消费类PD快充市场的出货量达到数千万颗，碳化硅在消费类电子市场的黄金窗口正在开启，同时它也将改写PD充电的进化论。
作为PD快充市场的SiC MOSFET“主力军”之一，昕致科技已携手多家头部电源管理IC公司合作伙伴，共同打造高效快充生态，并实现规模出货。近日，“行家说三代半”采访了昕致科技市场应用中心总监徐星德，重点交流以下3个话题：
PD快充市场为何热烈拥抱SiC MOSFET？
PD快充存在哪些痛点难题？昕致科技有何破解方案？
昕致科技的SiC MOSFET具备哪些独到优势？
快速响应，生态共建
昕致科技PD快充进展亮眼
北京昕致科技有限责任公司成立于2025年，是由原昕感科技集团功率器件事业部及相关资源整合而成，是昕感科技集团的全资子公司。
据了解，2025年3-4月份，昕致科技启动了消费类市场调研以来，短短数月，他们的SiC MOSFET就在PD快充领域切切实实撕开了一个大口。
徐星德告诉“行家说三代半”，截至目前，昕致科技的650V SiC MOSFET器件在消费类电子领域的出货量已达千万颗级别，实现了从市场调研到规模出货的快速跨越。
徐星德表示，这背后除了对市场需求的敏锐洞察与快速技术响应外，更重要的是他们与多家国内领先的下游厂商建立了紧密的合作关系。
据了解，目前昕致科技已与众多国内领先的电源管理IC公司达成深度合作。据透露，在进入PD快充市场之前，昕致科技就与这些企业进行深度交流，围绕驱动厂商的技术要求，迅速合作打造出适配PD快充的SiC MOSFET产品和驱动器方案。
徐星德自豪地表示，“现阶段，我们的产品在PD快充中导入量产的速度是较快的，同时我们的产品系列目前在业内也是较全的。”为此，现在越来越多的驱动IC公司主动寻求与昕致科技合作。
而这种深度协同开发的模式，显著加快了昕致科技SiC MOSFET方案的成熟度和终端导入进程。目前，昕致科技的SiC MOSFET已成功导入多家客户的终端快充产品中，公开应用案例包括：
无锡硅动力针对快充和适配器领域推出的SP9477W芯片，选用昕致科技SiC器件作为核心功率开关。
Somostel 65W碳化硅充电器采用昕致科技SiC器件。
图：Somostel 65W碳化硅充电器、无锡硅动力的高性能SiC解决方案
从市场调研到规模出货，从生态合作到终端落地，昕致科技以“快速响应、生态共建”的策略，使其SiC MOSFET在PD快充领域迅速站稳脚跟，并展现出较强劲的增长势头。
昕致SiC MOSFET深度布局
直击PD快充三大痛点
PD快充导入SiC MOSFET，并不是简单的pin-pin替代传统硅MOSFET，或者与氮化镓器件争夺市场份额，其背后是PD快充技术深度迭代的技术需求。
过去十几年，PD快充技术实现了两次迭代升级。1.0时代，PD快充解决了协议统一和充电功率的突破性进展，但却受困于硅基方案的体积笨重与效率瓶颈，为此氮化镓器件掀起PD快充2.0时代，实现了效率与体积的革命性突破。
而今，PD快充正在迈入3.0时代，其核心特征和需求是多口快充（或一充多机）和满功率快充。而这一变化使得SiC MOSFET开始走向C位。
在PD快充应用中，传统硅基MOSFET和GaN器件等核心器件虽能实现快充，但持续负载能力不足，快充前期可迅速充至70%-80%，但随着器件温升提高，其充电功率会出现下降，在多口快充应用场景中，这种现象更为明显，很难实现稳定的一充多机效果。
相比之下，昕致科技的SiC MOSFET从根本上解决了这一难题。徐星德解释道，“SiC MOSFET是垂直结构，器件导通电阻在高温下极为稳定，从25℃到175℃，电流输出能力几乎不衰减。这意味着在多设备充电场景中，充电功率输出不会‘掉线’。”
他表示，SiC MOSFET这一特性不仅切实解决了PD快充3.0时代的技术痛点，而且还为PD快充厂商提供了PD快充2.0时代类似GaN那样的新卖点，可以提升PD快充厂商和驱动器企业的产品竞争力。
尽管SiC MOSFET性能突出，但要在PD快充红海市场实现规模化应用仍要解决2个难题。
首先，传统SiC MOSFET需要负压关断，给PD快充的驱动设计带来了“难度大、成本高”的双重挑战。
针对这一难题，昕致科技通过技术创新，率先推出了适用于PD快充硬开关和半桥LLC拓扑的“零压关断”SiC MOSFET。
徐星德表示，“零压关断的核心价值在于简化SiC MOSFET驱动设计。”采用该技术后，驱动器无需配置复杂的负压电路，只需将驱动电压从常规的10V抬升至15V左右即可实现稳定关断，同时省去了传统方案中必需的米勒钳位电路。
据其测算，传统负压关断的SiC MOSFET需要专门开发驱动器，需增加多道光罩工艺和额外控制芯片，整体成本要增加约40%。昕致科技的“零压关断”方案在简化客户应用设计的同时，显著降低了方案总成本，进一步推动SiC器件在消费类市场的大规模应用。
此外，为确保“零压关断”的可靠性，昕致科技还重点解决SiC MOSFET的串扰挑战。他们通过创新的“电容笔设计”主动优化SiC MOSFET栅极特性，从而将串扰电压牢牢限制在≤1.3V的验证阈值内，实现了长期可靠性验证。
以往，“高成本”是SiC MOSFET进军PD快充等消费类市场的最大门槛。但徐星德表示，随着SiC衬底和外延上游产业链的成熟，以及昕致科技的技术优化，这一局面已在改变。
“在SiC 成本把控这一块，我们有信心”，徐星德表示。现阶段，昕致科技主要为客户提供平面栅SiC MOSFET， 产品价格已与氮化镓及CoolMOS基本持平，部分规格甚至更低，同时还具备性能优势。
为了进一步提升自身和客户的竞争力，昕致科技还规划了清晰的技术迭代路线，未来他们将从平面栅结构向沟槽栅、深沟槽乃至超结结构迭代，通过结构优化进一步降低SiC MOSFET成本。
总的来说，昕致科技已经形成了“性能-可靠性-成本”三位一体的核心竞争力，这不仅让昕致科技的SiC MOSFET在PD快充领域快速打开市场，未来更将在LED照明电源、TV电源、服务器电源等场景中展现出规模化应用潜力。
在实现技术突破与成本优化的同时，昕致科技还凭借其独特的供应链与设计能力，正构筑起坚实的竞争壁垒，为消费电子市场的快速上量提供可靠保障。
展望未来，昕致科技的目标不止于为PD 快充市场提供高性价比 SiC MOSFET 产品，更将以 SiC 器件为核心，向“技术赋能与解决方案合作伙伴”的角色演进。徐星德透露，他们已与下游厂商深度合作，将加大资源投入，针对碳化硅关键应用领域推出系统级电源解决方案。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
