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超78万片!一个月6条8吋SiC线加速推进
行家说三代半 · 2026-01-08
超78万片!一个月6条8吋SiC线加速推进
“行家说三代半”观察到,近一个月内,共有6个8吋SiC项目传来消息,涉及外延、晶圆等关键环节:
士兰微:8吋SiC芯片项目一期通线,年产能42万片;
株洲中车:中低压功率器件产业化项目通线,年产能36万片;
天域半导体:东莞生态园新基地通线,将满足8吋SiC外延片的预期生产重点;
国联万众:8吋SiC芯片生产线开始批量供货,产能预计可达到5000片/月;
CHIPX Global:计划在马来西亚建设一座8吋GaN/SiC集成电路晶圆制造工厂;
韩国釜山:拟投资1.9亿元,建立8吋SiC示范晶圆厂。
士兰微:
厦门8吋SiC芯片项目一期通线
1月4日,士兰微电子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线开工典礼成功举办。这也意味着,士兰微电子的8吋SiC芯片项目正式进入运营阶段。
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据介绍,该项目位于福建厦门,由士兰微电子旗下子公司士兰集宏负责,项目规划用地面积约205亩,总投资120亿元,分两期建设,其中一期投资70亿元,达产后年产能42万片8英寸碳化硅芯片;二期投产后,总产能将提升至72万片/年,成为全球规模领先的8英寸碳化硅功率器件产线。
士兰微电子表示,该项目以碳化硅MOSFET为核心产品,主要服务于新能源汽车主驱逆变器等高需求领域,可充分满足国内新能源汽车碳化硅芯片需求,同时为光伏、储能、充电桩、AI服务器电源、大型白电智能功率模块等领域提供高性能碳化硅芯片,还将带动国内8英寸碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。
株洲中车:
中低压功率器件项目通线
2025年12月26日,株洲中车举行中低压功率器件产业化(株洲)建设项目通线仪式。
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据介绍,该项目将重点突破精细光刻、沟槽刻蚀、高温栅氧、高温离子注入、大尺寸碳化硅减薄五大核心工艺技术,不仅可满足第三代、第四代碳化硅产品的规模化量产需求,更前瞻布局第五代、第六代技术研发,持续引领行业技术创新。
聚焦SiC业务,株洲中车目前拥有600V-6500V SiC全系列工程化能力,其6英寸SiC芯片产线具备3万片/年产能且已实现满产运行。目前SiC重点产品包括3300V高压平面栅SiC MOSFET、1200V精细平面栅SiC MOSFET、1200V沟槽栅SiC MOSFET等,其中SiC TO器件、SiC车规模块等产品已实现批量出货。
天域半导体:
东莞生态园新基地通线
2025年12月19日,天域半导体举行了东莞生态园新基地通线仪式。据天域董事长李锡光现场介绍,该产线投产后,将与天域总部42万片年产能形成协同,助力东莞生态园基地快速达成新增38万片产能的目标,推动天域总产能向80万片迈进,未来更将剑指200万片/年的宏伟蓝图。
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此前,天域半导体于2025年12月5日在港交所挂牌上市。据其招股书显示,东莞生态园新基地建筑面积约为6.3万平方米,在未来两年将配备先进的生产设备及机械以及多条生产线,将满足8英寸碳化硅外延片的预期生产重点,并具备生产6英寸碳化硅外延片的能力。
此外,通线仪式当天,天域半导体还集中与多家产业链上下游头部企业、银行机构现场达成签约合作,包括下游SiC器件端的士兰微、瞻芯电子、芯粤能等,上游供给端的天岳先进、南砂晶圆、天科合达、同光半导体、烁科晶体、晶盛机电、纳设智能等。
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国联万众:
8英寸SiC芯片线量产
2025年12月29日,中瓷电子发布《投资者关系活动记录表》,其中披露了关于其子公司国联万众的8吋SiC产线的情况:8英寸SiC芯片生产线于2025年10月完成通线并开始批量供货,产能预计可达到5000片/月。此外,国联万众新建的SiC功率模块生产线也同步通线。
在产能规划上,国联万众将稳步提升8英寸产线良率与产能爬坡速度,与之并行的6英寸SiC生产线预计2026年继续维持5000片/月的产能。
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图:国联万众的8英寸与6英寸碳化硅晶圆
另在SiC MOS芯片上车方面,国联万众1200V 18mΩ、750V 14mΩ芯片产品在国内头部车企已经完成验证,并与其他国内头部车企完成技术对接并签署了战略合作协议,目标产品包括1200V 10mΩSiC MOS等芯片产品。
CHIPX Global:
宣布将建设8英寸GaN/SiC晶圆制造工厂
2025年12月15日,爱尔兰半导体企业CHIPX Global正式宣布,他们计划在马来西亚建设一座8英寸GaN/SiC集成电路晶圆制造工厂。
相关公告提及,这座工厂将是东盟(ASEAN)区域内首条8英寸GaN/SiC前端晶圆产线,旨在加速提升马来西亚在光子学、高带宽光互连以及先进材料工程方面的能力。CHIPX还表示,该工厂将为下一代收发器和接收器提供制造基础,从而为人工智能数据中心和智能系统实现超高速连接。
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基于此,“行家说三代半”判断,CHIPX的技术方向是采用SiC取代硅光子,该工厂生产的不是SiC功率器件或者GaN射频器件,而是光子集成电路或GPU处理器。
据悉,CHIPX Global是一家2022年在英国成立的半导体企业,其创始人钦莫伊·巴鲁阿(Chinmoy Baruah)拥有印度卡齐兰加大学的理学学士学位,以及英国曼彻斯特大学的化学研究生学位,他还是一家制氢初创公司德国Cavendyne公司的联合创始人。
韩国釜山:
拟建立8英寸SiC示范晶圆厂
2025年12月10日,韩国政府举行了“韩国半导体愿景与推进战略报告”会议。现场,釜山政府披露了关于碳化硅的最新规划——拟投资400亿韩元(约合人民币1.91亿),在2028年前建成一座8英寸碳化硅示范晶圆厂。
据了解,釜山的规划与韩国政府的中长期战略相呼应。在会议现场,韩国政府宣布了中长期战略,计划到2047年投资约700万亿韩元(约合人民币3.34万亿),在龙仁打造全球最大的半导体产业集群,并新增10座晶圆厂,使晶圆厂总数达到37座。
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本文发自【行家说三代半】,专注第三代半导体(碳化硅和氮化镓)行业观察。
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