近日，合肥昕感总经理李道会博士带领的研发团队与南京理工大学微电子学院（集成电路学院）联合攻克碳化硅功率半导体关键技术——双方共同研发的SiC MOSFET功率模块开关损耗预测模型在国际顶级期刊《IEEE Transactions on Power Electronics》成功发表。这项题为“ANN-assisted Switching Loss Prediction for SiC MOSFET Power Module”的论文标志着昕感科技在碳化硅功率半导体核心技术创新方面取得重要突破。

       尤为重要的是，研究团队提出的这种基于多层反向传播人工神经网络（ANN）的开关损耗预测新方法部署在NVIDIA Jetson系列嵌入式平台上后性能无衰减，具备实际应用价值，为功率模块的热设计优化与批量质量筛查提供了一种新的解决方案。

      除上述成果外，昕感科技研发团队还围绕功率半导体器件的新结构与新机理，与南京理工大学持续开展深度合作，相关成果已连续发表于《IEEE Transactions on Electron Devices》与《Journal of Physics D: Applied Physics》等国际权威期刊。一系列高水平研究成果的持续输出，展现了昕感科技在功率半导体领域的系统性研究能力，并形成了从理论创新到技术转化的高效循环。

      基于昕感科技测试应用中心（NTAC）这个集产品测试、应用验证、技术研发与产业协作于一体的高水平平台，昕感科技正积极推进与南京理工大学共建“功率半导体技术联合实验室”。以联合实验室建设为契机，昕感科技持续攻克功率半导体领域关键技术，也将通过NTAC将创新成果系统性地转化为产品竞争力，致力于为新能源汽车、工业能源、智能机器人等战略新兴产业的发展，提供领先的功率半导体解决方案支撑。

昕感科技聚焦于功率半导体的技术突破创新与产品研发生产，致力于成为中国功率半导体领域的变革引领者。

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