长安汽车嵌入式SiC布局提速
随着碳化硅技术的快速演进，PCB嵌入式封装已成为推动SiC功率模块向小型化、高集成化发展的关键技术路径。近日，长安汽车、森国科相继在该领域取得重要进展，为行业创新发展注入了强劲新动力。
辰致集团:
成功研发PCB嵌入式功率模块
1月21日，辰致集团在官微透露，他们已顺利完成PCB嵌入式功率模块产品的样品试制，并已完成模块的相关性能测试验证。
据介绍，该产品采用了PCB嵌入式封装技术，通过将功率半导体芯片直接嵌入PCB多层结构，实现了功率器件、电气互连与部分功能电路的一体化集成。与传统塑封或灌封模块相比，该设计大幅缩短了功率回路，提升了多并联SiC MOSFET的对称性与均流效果，同时有效降低了寄生电感和开关损耗，从而有助于整体系统性能的优化。
进一步来看，该产品实现了多项技术突破，不仅将杂散电感降至2nH，降幅75%，有效降低开关损耗、提升逆变器效率，适配SiC MOSFET高频应用，还提升了整体集成度，使CTE匹配更可控，减小热机械应力，缓解焊层疲劳，提升热疲劳寿命与可靠性。
资料显示，辰致汽车科技集团有限公司成立于2005年12月，现为中国长安汽车集团的全资子公司，业务聚焦于汽车零部件领域。2025年7月，辰致集团成立了电子电器事业部，主要孵化域控制器、集成电源、逆变砖、集成热管理控制器等全车控制器产品和IGBT、SiC模组等功率半导体产品。
值得关注的是，2025年8月，长安汽车旗下深蓝汽车透露，由深蓝汽车与斯达半导体合资组建的重庆安达半导体项目已正式投产下线，未来将打造下一代PCB嵌入式封装SiC功率模块。
森国科:
推出PCB嵌入式SiC芯片
1月22日，森国科宣布突破SiC封装瓶颈，正式推出一款已经量产的、具备优异性能的已经用于PCB嵌入式3D封装的650V/27mΩ SiC MOSFET。
据介绍，该芯片具备低栅极电荷（Qg=120nC）和快速开关特性（tr=28ns, tf=22ns），为高频高效运行提供了基础。其体二极管也具有快速反向恢复特性（trr=17ns），适用于桥式电路。
除电性能优异外，该芯片在封装层面同样优势显著。其结壳热阻（RthJC）低至0.36°C/W，并具备双面散热能力，确保了在高负载条件下的稳定输出能力（如Tc=100°C时Id可达64A）。
森国科表示，该款芯片适用于高效逆变器、电机驱动、充电桩等应用场景，其成功量产标志着PCB嵌入式3D封装技术已从实验室走向产业化，并解决了SiC技术向更高阶应用发展时的核心瓶颈。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
